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第六届全国毫米波亚毫米波学术会议

作者：陈堂胜焦刚钟世昌任春江陈辰李拂晓南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016

本文介绍了在X波段输出功率为10 W的AlGaN/GaN微波功率HEMT.该器件采用MOCVD技术在SiC衬底上生长AlGaN/GaN异质结,器件研制中采用了凹槽栅和场调制板结构.凹槽栅使得器件的跨导由216 mS/mm上升到了325 mS/mm,结合采用的场调制板减小了... 详细信息

本文介绍了在X波段输出功率为10 W的AlGaN/GaN微波功率HEMT.该器件采用MOCVD技术在SiC衬底上生长AlGaN/GaN异质结,器件研制中采用了凹槽栅和场调制板结构.凹槽栅使得器件的跨导由216 mS/mm上升到了325 mS/mm,结合采用的场调制板减小了器件的电流崩塌,提高了器件的微波功率性能.研制的器件电流增益截止频率为28 GHz,最高振荡频率为60 GHz.在8 GHz、36 V工作电压下,1 mm栅宽的该器件输出功率为10.1 W,功率增益为8.1 dB、功率附加效率(PAE)为45％.

关键词：宽禁带半导体氮化镓高电子迁移率晶体管微波功率性能栅挖槽场板结构

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势垒层和插入层厚度对AlGaN/GaN异质结性质的影响

势垒层和插入层厚度对AlGaN/GaN异质结性质的影响

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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：李忠辉董逊南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室210016

利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)在蓝宝石衬底上外延生长AlGaN/AlN/GaN异质结材料,通过Hall效应测试并分析了AlN和AlGaN层厚度对2DEG密度和方阻的影响,优化异质结构,以汞探针CV、非接触电学测试方法表征了样品的2DEG浓度分布和方阻... 详细信息

利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)在蓝宝石衬底上外延生长AlGaN/AlN/GaN异质结材料,通过Hall效应测试并分析了AlN和AlGaN层厚度对2DEG密度和方阻的影响,优化异质结构,以汞探针CV、非接触电学测试方法表征了样品的2DEG浓度分布和方阻均匀性。

关键词： 2DEG AlGaN GaN异质结 MOCVD 金属有机物化学气相沉积外延生长

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微波宽禁带半导体走向实用化

微波宽禁带半导体走向实用化

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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：邵凯南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016

近来美日各大公司纷纷推出移动通信基站用的GaN HEMT大功率管产品,而与此同时美国DARPA支持的军用GaN HEMT正在艰苦攻关.文章分析了军民两种应用对器件要求的差异,指出高压工作时的长寿命是当前的难点.同时指出SiC MESFET已解决了高压... 详细信息

近来美日各大公司纷纷推出移动通信基站用的GaN HEMT大功率管产品,而与此同时美国DARPA支持的军用GaN HEMT正在艰苦攻关.文章分析了军民两种应用对器件要求的差异,指出高压工作时的长寿命是当前的难点.同时指出SiC MESFET已解决了高压工作时的可靠性问题,因而已被装备采用.最后对加速我国的微波宽禁带半导体器件实用化进程提出了建议.

关键词：宽禁带半导体微波半导体功率管器件实用化 GaN HEM

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电子束光刻技术的原理及其在微纳加工与纳米器件制备中的应用

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电子显微学报 2006年第2期25卷 97-103页

作者：张琨林罡刘刚田扬超王晓平中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家实验室安徽合肥230026 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室江苏南京210016 中国科学技术大学合肥同步辐射国家实验室安徽合肥230026

电子束光刻是微电子技术领域重要的光刻技术之一,它可以制备特征尺寸10nm甚至更小的图形。随着电子束曝光机越来越多地进入科研领域,它在微纳加工、纳米结构的特性研究和纳米器件的制备等方面都呈现出重要的应用价值。本文以几种常见的... 详细信息

电子束光刻是微电子技术领域重要的光刻技术之一,它可以制备特征尺寸10nm甚至更小的图形。随着电子束曝光机越来越多地进入科研领域,它在微纳加工、纳米结构的特性研究和纳米器件的制备等方面都呈现出重要的应用价值。本文以几种常见的电子束曝光机为例,说明电子束光刻的工作原理和关键技术,并给出一些它在纳米器件和微纳加工方面的应用实例。

关键词：电子束光刻微纳加工纳米器件

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Ka波段Si基微机械宽带垂直过渡

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微纳电子技术 2008年第12期45卷 712-715页

作者：戴新峰郁元卫贾世星朱健於晓峰丁玉宁南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室南京210016 南京电子器件研究所微纳米研发中心南京210016 南京电子器件研究所毫米波电路部南京210016

介绍了一种适用于三维毫米波集成电路的Si基微机械垂直过渡,该垂直过渡是两层0.1mm厚的共面波导传输线通过0.3mm厚中间层,在中间层采用了同轴结构,该同轴结构通过金属化通孔来实现。这一设计原理简单,结构简洁,便于优化设计,具有很宽的... 详细信息

介绍了一种适用于三维毫米波集成电路的Si基微机械垂直过渡,该垂直过渡是两层0.1mm厚的共面波导传输线通过0.3mm厚中间层,在中间层采用了同轴结构,该同轴结构通过金属化通孔来实现。这一设计原理简单,结构简洁,便于优化设计,具有很宽的带宽和平坦的幅度响应。运用三维电磁场仿真软件对该垂直过渡结构进行了建模,并作了优化设计与仿真计算,运用微机械金属化通孔工艺和多层键合工艺研制了样品。在片测试结果表明该样品性能良好,在26.5～34.0GHz该过渡插入损耗小于3.5dB,带内起伏小于2dB。

关键词： Ka波段 Si基微机械三维集成电路宽带垂直过渡热压键合

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离子注入工艺在4H-SiC器件中的应用

离子注入工艺在4H-SiC器件中的应用

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：李春陈刚南京电子器件研究所五中心210016 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室210016

本文介绍了离了注入工艺可在SiC器件中形成欧姆接触,其电阻值经退火后可达到10-6Ω·cm2[1];同时也可利用离子注入在平面工艺中形成良好的电学隔离,避免工艺复杂化,提高了成品率。最后通过B+离子注入形成边缘终端制作4H-SiC肖特基... 详细信息

本文介绍了离了注入工艺可在SiC器件中形成欧姆接触,其电阻值经退火后可达到10-6Ω·cm2[1];同时也可利用离子注入在平面工艺中形成良好的电学隔离,避免工艺复杂化,提高了成品率。最后通过B+离子注入形成边缘终端制作4H-SiC肖特基势垒二极管的例子说明了离子注入在SiC器件制造过程中所起的重要性。

关键词：离子注入 4H碳化硅器件欧姆接触肖特基势垒二极管隔离技术

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硅膜RFMEMS开关

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电子工业专用设备 2017年第4期46卷 30-34页

作者：杜国平朱健郁元卫姜理利南京电子器件研究所江苏南京210016 单片集成电路与模块国家重点实验室江苏南京210016

利用静电驱动原理设计了一种新颖的射频硅膜RF MEMS开关,其开关的优点在于:巧妙的运用CPW传输线的地线作为下电极,加大了开关驱动面积,减小了驱动电压;利用硅膜作为结构层,利用硅本身优良的机械特性可提高开关的可靠性;具有静电接触式... 详细信息

利用静电驱动原理设计了一种新颖的射频硅膜RF MEMS开关,其开关的优点在于:巧妙的运用CPW传输线的地线作为下电极,加大了开关驱动面积,减小了驱动电压;利用硅膜作为结构层,利用硅本身优良的机械特性可提高开关的可靠性;具有静电接触式开关低频隔离度的优点。通过流片得到了满意的开关样品,测试结果表明:在DC-6 GHz频率范围内,开关的插入损耗小于0.5 dB,隔离度大于30 dB。

关键词：射频MEMS 开关硅膜

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8bit1．4GS／s模数转换器

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固体电子学研究与进展 2010年第1期30卷 F0003-F0003页

作者：张有涛李晓鹏刘奡张敏钱峰陈辰单片集成电路与模块国家重点实验室南京电子器件研究所南京210016

超高速模数转换器(ADC)是软件无线电、高速数据采集和宽带数字化雷达的关键组成部分.附带校准技术的折叠内插ADC具有等同快闪(FLASH)ADC的高转换速度,是设计超高速ADC的最佳选择,但仍需综合考虑各项指标来时行校准方法设计及芯片架构优化.

关键词：高速模数转换器南京电子器件研究所高速ADC 高速数据采集校准技术软件无线电数字化雷达组成部分

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X-波段AlGaN/GaN HEMT功率MMIC

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固体电子学研究与进展 2007年第3期27卷 F0003-F0003页

作者：陈堂胜张斌焦刚任春江陈辰邵凯杨乃彬单片集成电路与模块国家重点实验室南京电子器件研究所南京210016

AIGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）以其高输出功率密度、高电压工作和易于宽带匹配等优势将成为下一代高频固态微波功率器件。微波功率器件主要有内匹配功率管和功率单片微波集成电路（MMIC）两种结构形式，功率MMIC尽管其研制成本... 详细信息

AIGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）以其高输出功率密度、高电压工作和易于宽带匹配等优势将成为下一代高频固态微波功率器件。微波功率器件主要有内匹配功率管和功率单片微波集成电路（MMIC）两种结构形式，功率MMIC尽管其研制成本相对较高，但功率MMIC可实现宽带匹配，同时功率MMIC的体积较内匹配功率管小得多，

关键词：功率密度 AlGaN/GaN MMIC X-波段 HEMT 高电子迁移率晶体管 AIGaN/GaN 单片微波集成电路

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砷化镓仍然是微波半导体的主流技术

砷化镓仍然是微波半导体的主流技术

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：邵凯单片集成电路与模块国家级重点实验室中国电子科技集团公司南京电子器件研究所

氮化镓技术的逐步实用化引起了微波半导体业界的高度关注。但是传统的砷化镓除了在手机等大规模市场继续领先之外,在高可靠微波毫米波器件电路、高效毫米波功率放大器等高端应用场合仍然占有优势。因此在未来几年内砷化镓将仍然足微波... 详细信息

氮化镓技术的逐步实用化引起了微波半导体业界的高度关注。但是传统的砷化镓除了在手机等大规模市场继续领先之外,在高可靠微波毫米波器件电路、高效毫米波功率放大器等高端应用场合仍然占有优势。因此在未来几年内砷化镓将仍然足微波半导体的主流技术。文章对南京电子器件研究所的相关研究工作作了介绍。

关键词：砷化镓氮化镓微波半导体毫米波功率放大器

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