检索结果-内蒙古大学图书馆

固体电子学研究与进展 2008年第3期28卷 355-359页

作者：曹敏华李拂晓林金庭单片集成电路与模块国家重点实验室南京电子器件研究所南京210016

研制中心频率为18 GHz的振荡型有源集成天线,包括微带天线设计、单片压控振荡器(MMIC VCO)的设计及微带天线与单片压控振荡器二者的集成。微带天线的芯片面积为4.5 mm×3.5 mm,增益为3.67 dB,中心频率为18.032 GHz,最小输入驻波系数... 详细信息

研制中心频率为18 GHz的振荡型有源集成天线,包括微带天线设计、单片压控振荡器(MMIC VCO)的设计及微带天线与单片压控振荡器二者的集成。微带天线的芯片面积为4.5 mm×3.5 mm,增益为3.67 dB,中心频率为18.032 GHz,最小输入驻波系数为1.098;单片压控振荡器芯片面积1.1 mm×1.0 mm,调谐范围为15.978～18.247 GHz,输出功率大于6 dBm。振荡型有源集成天线的方向图测试结果与微带天线的特性符合,该振荡型有源集成天线能够正常工作。

关键词：有源集成天线微带天线压控振荡器

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GaN HFET的综合设计

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固体电子学研究与进展 2009年第4期29卷 473-479页

作者：薛舫时单片集成电路与模块国家级重点实验室南京电子器件研究所南京210016

从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发,研究了负极化电荷在强化沟道阱量子限制和能带剪裁中的作用。优化设计负极化电荷的位置后给出了新的复合势垒设计。提出了新的动态电流崩塌模型和二维异质结构概念,把原位Si3N4钝化和复合势垒结合... 详细信息

从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发,研究了负极化电荷在强化沟道阱量子限制和能带剪裁中的作用。优化设计负极化电荷的位置后给出了新的复合势垒设计。提出了新的动态电流崩塌模型和二维异质结构概念,把原位Si3N4钝化和复合势垒结合起来实现二维异质结构。用AlGaN/AlInN复合势垒解决了AlInNHFET中的欧姆接触电阻大和沟道不易夹断两大难题。通过能带剪裁和二维异质结构设计完成了包含钝化、场板电极、挖槽、薄势垒欧姆接触、GaN帽层和AlN插入层等方案优点的新综合设计。

关键词：氮化镓异质结场效应管铝镓氮/铝铟氮复合势垒能带剪裁动态电流崩塌模型二维异质结构综合设计

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GaN薄膜表面形貌与AlN成核层生长参数的关系

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固体电子学研究与进展 2011年第1期31卷 9-12页

作者：倪金玉李忠辉李亮董逊章咏梅许晓军孔月婵姜文海单片集成电路与模块国家级重点实验室南京电子器件研究所南京210016

采用金属有机物化学气相淀积技术生长了以AlN为成核层的GaN薄膜,研究了成核层生长时三甲基铝(TMAl)流量对最终GaN薄膜表面形貌的影响。研究结果表明,高质量的GaN薄膜只能在高TMAl流量下获得,采用充足的TMAl源才能形成满足需要的AlN成核... 详细信息

采用金属有机物化学气相淀积技术生长了以AlN为成核层的GaN薄膜,研究了成核层生长时三甲基铝(TMAl)流量对最终GaN薄膜表面形貌的影响。研究结果表明,高质量的GaN薄膜只能在高TMAl流量下获得,采用充足的TMAl源才能形成满足需要的AlN成核点,这是生长高质量GaN薄膜的一个先决条件。

关键词：氮化镓金属有机物化学气相淀积氮化铝成核层

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生长压力对MOCVD GaN材料晶体质量的影响

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固体电子学研究与进展 2011年第2期31卷 107-110页

作者：彭大青李忠辉李亮孙永强李哲洋董逊张东国单片集成电路与模块国家级重点实验室南京电子器件研究所南京210016

使用氮化物MOCVD外延生长系统,采用传统的两步生长法在76.2 mm c面蓝宝石衬底上生长了不同压力的GaN薄膜样品。研究发现提高高温GaN的生长压力,初期的三维生长时间增长,有利于提高GaN薄膜的晶体质量。同时采用XRD、PL谱和湿化学腐蚀方... 详细信息

使用氮化物MOCVD外延生长系统,采用传统的两步生长法在76.2 mm c面蓝宝石衬底上生长了不同压力的GaN薄膜样品。研究发现提高高温GaN的生长压力,初期的三维生长时间增长,有利于提高GaN薄膜的晶体质量。同时采用XRD、PL谱和湿化学腐蚀方法研究了样品的位错特性,结果表明高压生长的样品能够降低位错密度,起到改善GaN晶体质量的作用。

关键词：金属有机化合物化学气相淀积氮化镓生长压力位错

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GaN HFET沟道中的电子状态转移和非线性研究

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固体电子学研究与进展 2009年第2期29卷 170-174页

作者：薛舫时单片集成电路与模块国家级重点实验室南京电子器件研究所南京210016

从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发研究了大栅压摆动下的沟道电子状态,发现高栅压下电子波函数向势垒层的渗透和激发子带向势垒层的转移是导致跨导下降、线性变差的主要原因。分别研究了势垒层和沟道结构对波函数渗透和电子态转移的... 详细信息

从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发研究了大栅压摆动下的沟道电子状态,发现高栅压下电子波函数向势垒层的渗透和激发子带向势垒层的转移是导致跨导下降、线性变差的主要原因。分别研究了势垒层和沟道结构对波函数渗透和电子态转移的影响。通过势垒层和沟道结构的综合设计获得了在大栅压摆动下保持高跨导和线性的优化结构。提出了剪裁二维能带结构的新工艺方案。

关键词：氮化镓异质结场效应管非线性沟道电子态转移电子波函数渗透沟道电子布居率能带剪裁

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MOCVD生长AlGaN／GaN／Si(111)异质结材料

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固体电子学研究与进展 2009年第4期29卷 608-610页

作者：李忠辉李亮董逊李赟张岚许晓军姜文海陈辰单片集成电路与模块国家级重点实验室南京电子器件研究所南京210016

利用MOCVD在Si(111)衬底上生长了无裂纹的GaN外延薄膜和AlGaN/GaN异质结构。通过优化Si衬底的浸润处理时间、AlN层厚度等参数获得了无裂纹的GaN外延薄膜,研究了SiN缓冲层和插入层厚度对AlGaN/GaN异质结电学性质的影响,2DEG的迁移率和面... 详细信息

利用MOCVD在Si(111)衬底上生长了无裂纹的GaN外延薄膜和AlGaN/GaN异质结构。通过优化Si衬底的浸润处理时间、AlN层厚度等参数获得了无裂纹的GaN外延薄膜,研究了SiN缓冲层和插入层厚度对AlGaN/GaN异质结电学性质的影响,2DEG的迁移率和面密度分别达到1410cm2/V.s和1.16×1013cm-2。

关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管二维电子气

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具有136GHz的0.18m GaAs Metamorphic HEMT器件

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固体电子学研究与进展 2009年第2期29卷 167-169页

作者：康耀辉张政朱赤高剑锋单片集成电路与模块国家级重点实验室南京电子器件研究所南京210016

应用电子束直写技术成功制作了栅长0.18μm的高性能In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As MHEMT。从工艺角度,结合器件的小信号等效电路的理论分析,优化了器件结构,特别是T形栅结构,从而减小了器件寄生参数,达到了较好的器件性能。最终制作的I... 详细信息

应用电子束直写技术成功制作了栅长0.18μm的高性能In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As MHEMT。从工艺角度,结合器件的小信号等效电路的理论分析,优化了器件结构,特别是T形栅结构,从而减小了器件寄生参数,达到了较好的器件性能。最终制作的In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As MHEMT饱和电流达到275mA/mm,夹断电压-0.8V,在Vgs为-0.15V时的最大非本征跨导gm为650mS/mm,截止频率ft达到136GHz,最大振荡频率fmax大于120GHz。

关键词：渐变组分高迁移率晶体管 T形栅截止频率

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GaN HFET中的耦合沟道阱

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固体电子学研究与进展 2010年第2期30卷 169-173页

作者：薛舫时单片集成电路与模块国家级重点实验室南京电子器件研究所南京210016

从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发研究了GaN异质结构中的耦合沟道阱,求出了耦合沟道阱中电子状态随异质结构的变化,发现通过适当的能带剪裁可以使基态子带和激发态子带分别落在主阱和副阱中,从而显著降低了子带间的散射。使用这种新... 详细信息

从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发研究了GaN异质结构中的耦合沟道阱,求出了耦合沟道阱中电子状态随异质结构的变化,发现通过适当的能带剪裁可以使基态子带和激发态子带分别落在主阱和副阱中,从而显著降低了子带间的散射。使用这种新颖的耦合沟道阱完成了低噪声HFET的优化设计。

关键词：耦合沟道阱能带剪裁子带间散射低噪声氮化镓异质结场效应管优化设计

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用CF4等离子体处理来剪裁AlGaN／GaN异质结能带

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固体电子学研究与进展 2009年第1期29卷 31-35页

作者：薛舫时单片集成电路与模块国家级重点实验室南京电子器件研究所南京210016

自洽求解薛定谔方程和泊松方程研究了CF4等离子体处理对AlGaN/GaN异质结能带的影响。证实了强F离子注入和势垒层的腐蚀是导致沟道电子气耗尽和夹断电压正移的根源。建立了夹断电压移动与异质结构间的关联,为精确的能带剪裁奠定了基础。... 详细信息

自洽求解薛定谔方程和泊松方程研究了CF4等离子体处理对AlGaN/GaN异质结能带的影响。证实了强F离子注入和势垒层的腐蚀是导致沟道电子气耗尽和夹断电压正移的根源。建立了夹断电压移动与异质结构间的关联,为精确的能带剪裁奠定了基础。针对GaN HFET对肖特基势垒、欧姆接触和沟道电场分布的要求,提出了用CF4等离子体剪裁能带的方案。

关键词： CF4 等离子体处理能带剪裁 F离子注入和势垒层腐蚀肖特基势垒欧姆接触沟道电场控制电流崩塌

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磁控溅射AlN介质MIS栅结构的AlGaN/GaN HEMT

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固体电子学研究与进展 2009年第3期29卷 330-333,368页

作者：任春江陈堂胜焦刚钟世昌薛舫时陈辰南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室南京210016

报道了一种X波段输出功率密度达10.4W/mm的SiC衬底AlGaN/GaN MIS-HEMT。器件研制中采用了MIS结构、凹槽栅以及场板,其中MIS结构中采用了磁控溅射的AlN介质作为绝缘层。采用MIS结构后,器件击穿电压由80V提高到了180V以上,保证了器件能够... 详细信息

报道了一种X波段输出功率密度达10.4W/mm的SiC衬底AlGaN/GaN MIS-HEMT。器件研制中采用了MIS结构、凹槽栅以及场板,其中MIS结构中采用了磁控溅射的AlN介质作为绝缘层。采用MIS结构后,器件击穿电压由80V提高到了180V以上,保证了器件能够实现更高的工作电压。在8GHz、55V的工作电压下,研制的1mm栅宽AlGaN/GaN MIS-HEMT输出功率达到了10.4W,此时器件的功率增益和功率附加效率分别达到了6.56dB和39.2%。

关键词：场板铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管氮化铝金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管

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