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声电荷输运器件材料的选取
声电荷输运器件材料的选取
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2011'中国西部声学学术交流会
作者： 伍建峰 王晓彧 吴浩东 高怀 周建军 南京大学教育部近代声学重点实验室 东南大学苏州研究院高频高功率器件与集成技术研究中心 东南大学国家ASIC系统工程中心 单片集成电路与模块国家级重点实验室
本文对声电荷输运器件(Acoustic Charge Transport,简称ACT)的工作原理进行了简单介绍,阐述了声电荷输运器件材料选择的要求。文中介绍了砷化镓材料与氮化镓材料,采用TCAD商用模拟软件分别对两种材料双异质结结构.ACT进行了导带与电子... 详细信息
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新型电极材料石墨烯在LED中的应用
新型电极材料石墨烯在LED中的应用
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第八届全国激光技术与光电子学学术会议
作者： 吴才川 刘斌 谢自力 修向前 陈鹏 韩平 张荣 孔月婵 陈辰 南京大学电子科学与工程学院 江苏 南京 210093 微波毫米波单片集成和模块电路国家级重点实验室 江苏 南京 210016
石墨烯具有独特的力学、热学和光电学性能,良好的热稳定性与化学稳定性,是制备高性能导电薄膜的理想材料之一.主要介绍了石墨烯薄膜的制备和表征技术以及石墨烯导电薄膜作为电极应用在GaN基LED中的研究进展和存在的问题,并对石墨烯电极... 详细信息
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新型砷化镓高隔离开关
新型砷化镓高隔离开关
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2010’全国第十三届微波集成电路与移动通信学术会议
作者： 李晓鹏 王志功 许正荣 张有涛 陈新宇 钱峰 东南大学射频与光电集成电路研究所 南京210096 南京电子器件研究所南京210016 东南大学射频与光电集成电路研究所 南京210096 南京电子器件研究所 南京210016 南京电子器件研究所 南京210016 单片集成电路与模块国家级重点实验室南京210016
基于砷化镓场效应结构的赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)技术和CMOS电荷泵技术，研制开发的射频开关无需外加隔直电容，具有插损低、隔离度高、承受功率大和线性度高等特点。芯片采用GaAs0.5umPHEMT标准工艺线和CMOS高压标准工艺线加工... 详细信息
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高介BST材料对MIS结构AlGaN/GaN HEMT器件性能的影响
高介BST材料对MIS结构AlGaN/GaN HEMT器件性能的影响
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 周建军 张继华 陈堂胜 任春江 焦刚 李忠辉 陈辰 杨传仁 单片集成电路与模块国家级重点实验室 南京电子器件研究所南京 210016 电子科技大学微电了与同体电子学院 成都 610054 电子科技大学微电了与固体电子学院 成都 610054
采用衬底同步加热磁控溅射的高介电BST材料作为栅绝缘层,研制了BST/AlGaN/GaN MIS结构HEMT器件。通过对器件直流和高频特性的测试,以及与同样厚度SiN MIS结构对比分析了高介电BST材料作为栅绝缘层对AlGaN/GaN MISHEMT器件性能的影响。... 详细信息
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