检索结果-内蒙古大学图书馆

固体电子学研究与进展 2010年第4期30卷 478-480页

作者：倪炜江李宇柱李哲洋李赟陈辰陈效建南京电子器件研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室南京210016

采用碳化硅外延和器件工艺制造了碳化硅结势垒肖特基(JBS)二极管,耐压达到1 200 V,封装的器件电流室温达到5 A(正向压降2.1 V).通过在不同工作温度下对比测试显示了直流特性随工作温度的变化情况,并验证至少在250℃下依旧能正常工作.研... 详细信息

采用碳化硅外延和器件工艺制造了碳化硅结势垒肖特基(JBS)二极管,耐压达到1 200 V,封装的器件电流室温达到5 A(正向压降2.1 V).通过在不同工作温度下对比测试显示了直流特性随工作温度的变化情况,并验证至少在250℃下依旧能正常工作.研制的1 200 V碳化硅JBS二极管和IXYS公司的600 V硅快恢复二极管(Fast recovery diode)进行了对比:室温动态开关测试中,碳化硅二极管的反向恢复能耗比硅二极管节省92%.这是国内首次报道的250℃高温下正常工作的碳化硅JBS二极管.

关键词： 4H碳化硅结势垒肖特基二极管快恢复二极管

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6～18 GHz宽带GaN功率放大器MMIC

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固体电子学研究与进展 2011年第2期31卷 111-114页

作者：余旭明张斌陈堂胜任春江南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016

报道了一款采用三级拓扑结构的6～18 GHz宽带单片微波功率放大器芯片。放大器采用了微带结构,并使用电抗匹配进行设计,减小输出匹配电路的损耗和提高效率。经匹配优化后放大器在6～18 GHz整个频带内脉冲输出功率大于6 W,小信号增益达到2... 详细信息

报道了一款采用三级拓扑结构的6～18 GHz宽带单片微波功率放大器芯片。放大器采用了微带结构,并使用电抗匹配进行设计,减小输出匹配电路的损耗和提高效率。经匹配优化后放大器在6～18 GHz整个频带内脉冲输出功率大于6 W,小信号增益达到25 dB,在14 GHz频点处峰值输出功率达到10 W,对应的功率附加效率为21%。放大器芯片采用南京电子器件研究所的0.25μm GaN HEMT 76.2 mm圆片工艺制造,尺寸为2.3 mm×1.1mm。

关键词：铝镓氮/氮化镓氮化镓功率放大器宽带 6~18 GHz 微波单片集成电路

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GaN HFET研究中的钝化、场板和异质结构设计

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微纳电子技术 2009年第4期46卷 193-200,253页

作者：薛舫时南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室南京210016

从AlGaN/GaN沟道阱电子状态出发,深入研究了GaNHFET研究中的钝化和场板电极。提出了用低、高Al组分比势垒制成复合势垒,来抬高势垒和增大势垒宽度,强化沟道阱的量子限制。强调了负极化电荷在强化沟道阱量子限制和能带剪裁中的重要作用... 详细信息

从AlGaN/GaN沟道阱电子状态出发,深入研究了GaNHFET研究中的钝化和场板电极。提出了用低、高Al组分比势垒制成复合势垒,来抬高势垒和增大势垒宽度,强化沟道阱的量子限制。强调了负极化电荷在强化沟道阱量子限制和能带剪裁中的重要作用。依据内沟道、外沟道和欧姆接触对势垒的不同要求设计出二维异质结构。通过特殊的异质结构设计和后工艺剪裁制成了满足肖特基势垒和欧姆接触的两种不同的异质结构。把优质Si3N4钝化膜同复合势垒结合起来塑造出满足外沟道要求的异质结构,从而实现了HFET二维异质结构的优化设计。证实了这种新沟道阱中的电子在三种不同栅压下的强二维特性,强调了背场板和背势垒在器件研究中的重要作用。

关键词： GaN HFET的钝化场板效应极化工程二维异质结构背场板背势垒

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4H-SiC MESFET器件工艺

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Journal of Semiconductors 2007年第z1期28卷 565-567页

作者：陈刚柏松张涛汪浩李哲洋蒋幼泉南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016

介绍了制作4H-SiC MESFET器件的关键工艺.通过改进工艺,采用半绝缘衬底的国产SiC三层外延片,制造出总栅宽为1mm,2GHz连续波下输出功率大于4W,小信号增益大于10dB的SiC MESFET.

关键词： 4H-SiC 金属半导体场效应管微波宽禁带半导体

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Ku波段宽带氮化镓功率放大器MMIC

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电子学报 2015年第9期43卷 1859-1863页

作者：余旭明洪伟王维波张斌东南大学毫米波国家重点实验室江苏南京210096 单片集成电路与模块国家重点实验室江苏南京210016

基于0．25tan栅长GaINHEMT工艺，采用三级放大拓扑结构设计了一款Ku波段Gain功率放大器．放大器设计从建立大信号模型出发，输出匹配网络和级间匹配网络均采用电抗匹配减小电路的损耗，从而提高整体放大器的功率效率．测试结果表明，该... 详细信息

基于0．25tan栅长GaINHEMT工艺，采用三级放大拓扑结构设计了一款Ku波段Gain功率放大器．放大器设计从建立大信号模型出发，输出匹配网络和级间匹配网络均采用电抗匹配减小电路的损耗，从而提高整体放大器的功率效率．测试结果表明，该放大器在14．6～18GHz频带内，小信号增益30dB，脉冲饱和输出功率达15W，功率附加效率（PAE）大于32％；在14．8GHz频点处，放大器的峰值功率达19．5W，PAE达39％．该结果表明GaNMMIC具有高频高功率高效率的优势，具有广阔的应用前景．

关键词：氮化镓功率放大器微波集成电路 Ku波段

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4H-SiC MESFET工艺中的金属掩膜研究

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半导体技术 2008年第S1期33卷 241-243页

作者：陈刚李哲洋陈征冯忠陈雪兰柏松南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室 210016

在4H-SiC MESFET微波功率器件制造技术中干法刻蚀是一个很重要的工艺,而对SiC外延片的RIE、ICP等干法刻蚀来说,有光刻胶、Ni、Al和NiSi化合物等多种掩膜方法,其中用光刻胶做掩膜时刻蚀形成的台阶角度缓,不垂直,而Ni、Al等金属掩膜在干... 详细信息

在4H-SiC MESFET微波功率器件制造技术中干法刻蚀是一个很重要的工艺,而对SiC外延片的RIE、ICP等干法刻蚀来说,有光刻胶、Ni、Al和NiSi化合物等多种掩膜方法,其中用光刻胶做掩膜时刻蚀形成的台阶角度缓,不垂直,而Ni、Al等金属掩膜在干法刻蚀后易形成接近垂直的台阶。通过对Ni、Al、NiSi化合物等多种金属掩膜的研究,得到了干法刻蚀台阶垂直且表面状况良好的Ni金属掩膜条件,最终成功制备出9mm SiC MESFET微波功率器件,在2GHz脉冲输出功率超过38W,功率增益9dB。

关键词： 4H碳化硅金属掩膜金属-肖特基势垒FET

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单片集成GaAsPIN／PHEMT光接收机前端工艺研究

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固体电子学研究与进展 2008年第4期28卷 540-544页

作者：冯忠焦世龙冯欧杨立杰蒋幼泉陈堂胜陈辰叶玉堂南京电子器件研究所南京210016 电子科技大学光电信息学院成都610054 单片集成电路与模块国家级重点实验室南京210016

利用0.5μm GaAs PHEMT技术研究了适用于单片集成GaAs PIN/PHEMT光接收机前端的关键工艺,解决了台面工艺和PHEMT平面工艺的兼容性问题,包括不同浓度磷酸系腐蚀液对台面腐蚀均匀性的影响、台面与平面共有金属化工艺对光刻技术的要求。结... 详细信息

利用0.5μm GaAs PHEMT技术研究了适用于单片集成GaAs PIN/PHEMT光接收机前端的关键工艺,解决了台面工艺和PHEMT平面工艺的兼容性问题,包括不同浓度磷酸系腐蚀液对台面腐蚀均匀性的影响、台面与平面共有金属化工艺对光刻技术的要求。结果表明,工艺技术完全满足单片设计要求,研制得到的单片集成光接收机前端在输入1Gb/s和2.5Gb/s非归零(NRZ)伪随机二进制序列(PRBS)调制的光信号下得到较为清晰的输出眼图。

关键词：单片集成光探测器分布放大器光接收机眼图

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4H-SiC欧姆接触与测试方法研究

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固体电子学研究与进展 2008年第1期28卷 38-41页

作者：陈刚柏松李哲阳韩平南京大学物理系江苏省光电信息功能材料重点实验室南京210008 南京电子器件研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室南京210016

主要针对不同金属和工艺条件下的4H-SiC欧姆接触特性进行对比研究,形成4H-SiC的优良欧姆接触的最佳条件。通过TLM方法结合四探针测量得到特征接触电阻率,测得NiCr和Ni与4H-SiC的最佳特征接触电阻率分别达到ρc=9.02×10-6Ω.cm2,ρc... 详细信息

主要针对不同金属和工艺条件下的4H-SiC欧姆接触特性进行对比研究,形成4H-SiC的优良欧姆接触的最佳条件。通过TLM方法结合四探针测量得到特征接触电阻率,测得NiCr和Ni与4H-SiC的最佳特征接触电阻率分别达到ρc=9.02×10-6Ω.cm2,ρc=2.22×10-7Ω.cm2,能够很好满足SiC器件的需要。

关键词：碳化硅欧姆接触特征接触电阻率退火

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Si掺杂对MOCVD生长的n型Al_(0.5)Ga_(0.5)N的影响

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半导体技术 2008年第S1期33卷 136-139页

作者：李亮李忠辉董逊周建军孔月婵姜文海陈辰南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室南京210016

采用AlN缓冲层技术在蓝宝石衬底上通过MOCVD方法成功制备出0.5μm的Si掺杂Al0.5Ga0.5N外延薄膜,并对其电学、光学与结构特性进行了研究。Hall测量表明,在室温下n型Al0.5Ga0.5N中的载流子浓度和迁移率分别为1.2×1019cm-3和12cm2/V.... 详细信息

采用AlN缓冲层技术在蓝宝石衬底上通过MOCVD方法成功制备出0.5μm的Si掺杂Al0.5Ga0.5N外延薄膜,并对其电学、光学与结构特性进行了研究。Hall测量表明,在室温下n型Al0.5Ga0.5N中的载流子浓度和迁移率分别为1.2×1019cm-3和12cm2/V.s。载流子浓度随Si掺杂量的增加而增大。利用XRD和Raman等测量方法研究了Si掺杂Al0.5Ga0.5N薄膜晶格常数c和Raman散射谱随SiH4流量的变化。随着SiH4流量的增大,Al0.5Ga0.5N薄膜的晶格常数c变小同时E2声子峰发生红移,这表明掺Si后Al0.5Ga0.5N薄膜中的压应力得到了一定程度的弛豫。

关键词： AlGaN Si掺杂金属有机化学气相淀积蓝宝石衬底外延薄膜

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S波段SiC MESFET微波功率MMIC

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半导体技术 2008年第S1期33卷 244-246页

作者：柏松陈刚冯忠钱峰陈征吴鹏任春江李哲洋郑惟彬蒋幼泉陈辰南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室南京210016

利用本实验室生长的半绝缘衬底上的4H-SiC外延材料开展了SiC MESFET和MMIC的工艺技术研究。在实现SiC衬底减薄和通孔技术的基础上,采用微带技术以及全套的无源器件,设计并研制了国内第一片SiC微波功率MMIC。研制的SiC MMIC工作频段为S波... 详细信息

利用本实验室生长的半绝缘衬底上的4H-SiC外延材料开展了SiC MESFET和MMIC的工艺技术研究。在实现SiC衬底减薄和通孔技术的基础上,采用微带技术以及全套的无源器件,设计并研制了国内第一片SiC微波功率MMIC。研制的SiC MMIC工作频段为S波段,在1.8~3.4GHz的频带内小信号增益大于12dB,漏电压为32V时带内脉冲输出功率超过5W。SiCMMIC小信号特性达到了设计预期,但输出功率低于设计值。这是由于受到MI M电容耐压能力的限制,SiC MMIC的工作电压比较低。

关键词：碳化硅金属半导体场效应晶体管微波功率单片微波集成电路

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