检索结果-内蒙古大学图书馆

半导体技术 2008年第S1期33卷 83-86页

作者：孔月婵薛舫时周建军李亮陈辰南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室南京210016

采用自洽计算方法对BST/AlGaN/GaN铁电/半导体异质结构中二维电子气进行研究,通过计入铁电极化随电场变化的非线性关系,模拟了对该异质结构进行"极化/退极化"(加负/正偏压)后,由铁电极化偶极子翻转导致的二维电子气浓度的变... 详细信息

采用自洽计算方法对BST/AlGaN/GaN铁电/半导体异质结构中二维电子气进行研究,通过计入铁电极化随电场变化的非线性关系,模拟了对该异质结构进行"极化/退极化"(加负/正偏压)后,由铁电极化偶极子翻转导致的二维电子气浓度的变化情况。当对BST/AlGaN/GaN异质结构进行"极化"后,BST极化偶极子部分反转使得BST/AlGaN界面处感生高浓度负极化电荷,对二维电子气产生耗尽作用,而由于极化钉扎作用,此时BST的平均极化方向仍与Al-GaN中极化方向相同。当对异质结构进行"退极化"后,BST极化偶极子排列与AlGaN中极化方向相同,二维电子气浓度增加。随AlGaN势垒层厚度减小,BST极化对二维电子气的调制作用增强。另外,通过C-V测量方法对BST/AlGaN/GaN样品进行小范围电压扫描发现C-V曲线呈逆时针滞回方向,证实了铁电体极化对二维电子气的调制作用。

关键词：铁电/半导体异质结构极化调制二维电子气

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

横向接触式RF MEMS开关

引用

固体电子学研究与进展 2010年第4期30卷 518-521页

作者：杜国平朱健郁元卫侯智昊南京电子器件研究所南京210016 单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016

提出了一种横向接触式RF MEMS开关,采用金属叉指结构进行驱动。通过结构建模和性能仿真,对叉指结构进行了优化,提高了机械性能,减小开关的尺寸。通过加大横向接触面积,降低接触电阻,减小开关导通态的插损,提高了开关的射频性能。利用低... 详细信息

提出了一种横向接触式RF MEMS开关,采用金属叉指结构进行驱动。通过结构建模和性能仿真,对叉指结构进行了优化,提高了机械性能,减小开关的尺寸。通过加大横向接触面积,降低接触电阻,减小开关导通态的插损,提高了开关的射频性能。利用低温表面牺牲层工艺在砷化镓衬底上进行了开关的流片,通过工艺的改进最终得到满意的流片结果。测试结果表明:在DC-20GHz频率范围内,开关的插入损耗小于0.3dB,隔离度大于20dB。

关键词：射频微机电系统开关横向移动

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

InP基共振遂穿二极管研究

引用

半导体技术 2008年第S1期33卷 1-3页

作者：韩春林薛舫时高建峰陈辰南京电子器件研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室南京210016

在实验中对InGaAs/AlAs/InP共振遂穿二极管(RTD)进行了优化设计,并用MBE设备在(100)半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料。采用电子束光刻工艺和空气桥互连技术,制作了InP基RTD器件。在室温下测试了器件的电学特性,峰值电流密度24.6kA/c... 详细信息

在实验中对InGaAs/AlAs/InP共振遂穿二极管(RTD)进行了优化设计,并用MBE设备在(100)半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料。采用电子束光刻工艺和空气桥互连技术,制作了InP基RTD器件。在室温下测试了器件的电学特性,峰值电流密度24.6kA/cm2,峰谷电流比为8.6。通过MATLAB软件对器件I-V测试曲线进行了数值拟合,结果与实验数据吻合得很好。

关键词：共振遂穿二极管空气桥 MATLAB 电子束光刻分子束外延

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

Al_(0.66)Ga_(0.34)N日盲紫外光电探测器研究

引用

半导体技术 2008年第S1期33卷 210-212页

作者：姜文海陈辰周建军李忠辉董逊南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室南京210016

采用MOCVD生长的高Al含量n-AlxGa1-xN制备了金属-半导体-金属(MSM)结构紫外日盲探测器。材料为非故意掺杂n型,表面无裂缝。经三轴X射线衍射(TAXRD)对外延材料进行测试,AlxGa1-xN半峰宽(FWHM)为155arcs,显示了良好的晶体质量。经光谱响... 详细信息

采用MOCVD生长的高Al含量n-AlxGa1-xN制备了金属-半导体-金属(MSM)结构紫外日盲探测器。材料为非故意掺杂n型,表面无裂缝。经三轴X射线衍射(TAXRD)对外延材料进行测试,AlxGa1-xN半峰宽(FWHM)为155arcs,显示了良好的晶体质量。经光谱响应测试,探测器存在两个峰值响应,波长分别位于255、365nm处,说明探测器同时具有日盲探测和双色探测特征。在6V偏压下255nm处响应度为0.1A/W,并以此推算出AlxGa1-xN材料的Al含量为0.66。

关键词：金属-半导体-金属日盲探测器半峰宽双色响应度

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

MSM型氮化镓紫外探测器研究

引用

光电子技术 2009年第1期29卷 11-13页

作者：姜文海陈辰周建军李忠辉郑惟彬董逊南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室南京210016

以宽禁带半导体氮化镓材料制备了金属-半导体-金属型的紫外光电探测器。材料生长是以MOCVD设备完成的,为非故意掺杂的n型材料。器件在362nm处具有陡峭的截止边,表现出可见盲特性,在1.5 V偏压下响应度为0.71 A/W,紫外/可见抑制比接近103... 详细信息

以宽禁带半导体氮化镓材料制备了金属-半导体-金属型的紫外光电探测器。材料生长是以MOCVD设备完成的,为非故意掺杂的n型材料。器件在362nm处具有陡峭的截止边,表现出可见盲特性,在1.5 V偏压下响应度为0.71 A/W,紫外/可见抑制比接近103。通过击穿单侧肖特基结对另一侧的肖特基结进行测试,结果表明肖特基结具有较理想的特性,并以此对器件的工作方式和设计优化进行了讨论分析。

关键词：紫外探测器可见盲宽带隙

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

L波段GaN大功率高效率准单片功率放大器

引用

固体电子学研究与进展 2017年第6期37卷 384-388页

作者：蔺兰峰周衍芳黎明陶洪琪单片集成电路与模块国家重点实验室南京电子器件研究所南京210016

研制了一款基于NEDI 0.25μm GaN功率MMIC工艺的L波段大功率高效率准单片功率放大器。采用两级拓扑结构,以准单片形式实现。输入采用有耗匹配网络提高芯片的稳定性,级间和末级匹配均采用无耗纯电抗网络,其中末级匹配电路通过低损耗陶瓷... 详细信息

研制了一款基于NEDI 0.25μm GaN功率MMIC工艺的L波段大功率高效率准单片功率放大器。采用两级拓扑结构,以准单片形式实现。输入采用有耗匹配网络提高芯片的稳定性,级间和末级匹配均采用无耗纯电抗网络,其中末级匹配电路通过低损耗陶瓷电路实现。合理规划前级与末级间推动比,降低前级漏电流,减小末级匹配损耗,优化谐波匹配,实现大功率高效率设计。芯片在28V脉冲电压下工作,在1.2~1.4GHz范围内,实测输出功率大于49dBm,功率增益大于25dB,功率附加效率达到73%。管芯部分及输入匹配电路采用GaN功率MMIC工艺制作,输出匹配电路采用低损耗陶瓷片介质加工,两块电路键合一起总面积8.0mm×5.6mm。

关键词： GaN L波段高效率大功率准单片

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

凹槽栅场板结构的AlGaN/GaN HEMT特性分析

引用

Journal of Semiconductors 2007年第Z1期28卷 407-410页

作者：陈辰陈堂胜任春江薛舫时南京大学物理系南京210008 单片集成电路和模块国家级重点实验室南京210016

研究了无场调制板结构、有场调制板结构但无凹槽栅、结合场调制板结构和凹槽栅工艺三种AlGaN/GaN HEMT的动态I-V特性和微波特性,认为场调制板结构和凹槽栅工艺可以有效改善AlGaN/GaN HEMT器件沟道内电场分布,显著减小电流崩塌现象,提高... 详细信息

研究了无场调制板结构、有场调制板结构但无凹槽栅、结合场调制板结构和凹槽栅工艺三种AlGaN/GaN HEMT的动态I-V特性和微波特性,认为场调制板结构和凹槽栅工艺可以有效改善AlGaN/GaN HEMT器件沟道内电场分布,显著减小电流崩塌现象,提高器件的微波输出功率特性.利用此技术研制的1mm栅宽AlGaN/GaNHEMT输出功率大于10W.

关键词： AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管场板凹槽栅动态测试

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

凹槽栅场调制板结构AlGaN/GaN HEMT

引用

Journal of Semiconductors 2007年第z1期28卷 398-401页

作者：陈堂胜王晓亮焦刚钟世昌任春江陈辰李拂晓南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016 中国科学院半导体研究所北京100083 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016

研制的SiC衬底上的AlGaN/GaN微波功率HEMTs,采用凹槽栅和场调制板结构有效抑制了器件的电流崩塌,提高了器件的击穿电压和器件的微波功率特性.研制的1mm栅宽器件在8GHz,34V工作电压下,饱和输出功率达到了9.05W,功率增益为7.5dB,功率附加... 详细信息

研制的SiC衬底上的AlGaN/GaN微波功率HEMTs,采用凹槽栅和场调制板结构有效抑制了器件的电流崩塌,提高了器件的击穿电压和器件的微波功率特性.研制的1mm栅宽器件在8GHz,34V工作电压下,饱和输出功率达到了9.05W,功率增益为7.5dB,功率附加效率为46%.

关键词：宽禁带半导体 AlGaN/GaN)高电子迁移率晶体管场板凹槽栅

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

功率平衡基础上的基波分析法

引用

电子学报 2007年第10期35卷 1994-1998页

作者：黄炳华钮利荣蔺兰峰孙春妹广西大学电气工程学院广西南宁530004 单片集成电路和模块国家重点实验室江苏南京210016

在非线性网络的适当端口施加正弦电压源Us.用基波平衡原理求得注入网络的基波电流is1.当is1=0时,正弦电压源的频率和幅值被称为基波解.如果能求出n个基波解,则原网络必然也对应的存在有n个周期解.如果基波解不存在,则原网络的周期解也... 详细信息

在非线性网络的适当端口施加正弦电压源Us.用基波平衡原理求得注入网络的基波电流is1.当is1=0时,正弦电压源的频率和幅值被称为基波解.如果能求出n个基波解,则原网络必然也对应的存在有n个周期解.如果基波解不存在,则原网络的周期解也不存在.以考比兹电路为例,说明虚功平衡和周期振荡的密切关系,以蔡氏电路为例,用基波平衡原理说明混沌振荡的性状.结论的普遍性可以推广到三阶非线性微分方程.其正确性可以用SIMULINK仿真验证.

关键词：非线性虚功功率极限环考比兹电路混沌

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

SiN钝化前的NF_3等离子体处理对AlGaN/GaN HEMT性能的影响

引用

Journal of Semiconductors 2008年第12期29卷 2385-2388页

作者：任春江陈堂胜焦刚陈刚薛舫时陈辰南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016

研究了Si N钝化前利用感应耦合等离子体(ICP)对Al GaN/GaN HEMT表面进行NF3等离子体处理对器件性能的影响.结果表明,运用低能量的NF3等离子体处理钝化前的Al GaN/GaN HEMT表面能有效抑制器件电流崩塌,而器件直流及微波小信号特性则未受... 详细信息

研究了Si N钝化前利用感应耦合等离子体(ICP)对Al GaN/GaN HEMT表面进行NF3等离子体处理对器件性能的影响.结果表明,运用低能量的NF3等离子体处理钝化前的Al GaN/GaN HEMT表面能有效抑制器件电流崩塌,而器件直流及微波小信号特性则未受影响.微波功率测试表明,经过6min NF3等离子体处理的Al GaN/GaN HEMT在2GHz,30V工作电压下达到6.15W/mm的输出功率密度,而未经过处理的器件只达到1.82W/mm的输出功率密度.

关键词： AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管电流崩塌 NF3等离子体处理

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：