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作者

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  • 15 篇 chen gang

语言

  • 204 篇 中文
检索条件"机构=单片集成电路与模块国家级重点实验室"
204 条 记 录,以下是71-80 订阅
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2.5Gb/s GaAsPIN/PHEMT单片集成光接收机前端
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光电子.激光 2008年 第2期19卷 191-195页
作者: 焦世龙 叶玉堂 陈堂胜 杨先明 李拂晓 邵凯 吴云峰 电子科技大学光电信息学院 四川成都610054 单片集成电路与模块国家级重点实验室 江苏南京210016 南京电子器件研究所 江苏南京210016
采用0.5μm GaAs PHEMT工艺,研制了一种PIN光探测器和分布放大器单片集成850nm光接收机前端。探测器光敏面直径为30μm,电容为0.25pF,10V反向偏压下的暗电流小于20nA。分布放大器-3dB带宽接近20GHz,跨阻增益约46dBΩ;在50MHz^16GHz范围... 详细信息
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MMIC用NiFe-SiO_x磁性金属颗粒膜电感研究
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固体电子学研究与进展 2010年 第2期30卷 208-211页
作者: 孔岑 李辉 张万里 陈辰 陈效建 电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054 南京电子器件研究所 单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016
在蓝宝石基的氮化镓衬底上采用射频磁控溅射结合剥离的方法制作了NiFe-SiOx磁性金属颗粒膜,利用PECVD淀积绝缘层,制备出"SiN绝缘层/NiFe-SiOx薄膜/SiN绝缘层/金属线圈"结构的平面电感。测试表明,对于单圈电感,与无磁膜结构相... 详细信息
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高性能半绝缘4H-SiC衬底AlGaN/GaN HEMT
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半导体技术 2008年 第S1期33卷 80-82,90页
作者: 任春江 李忠辉 焦刚 钟世昌 董逊 薛舫时 陈辰 陈堂胜 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室 南京210016
利用南京电子器件研究所的MOCVD设备在半绝缘4H-SiC衬底外延生长了Al GaN/GaN异质结,运用该材料研制了8GHz输出功率密度10.52W/mm的HEMT器件。非接触霍尔测试表明,经过优化的Al GaN/GaN异质结材料中的二维电子气(2DEG)面密度为1.0×... 详细信息
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664GHz接收前端技术研究
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微波学报 2015年 第S1期31卷 14-17页
作者: 姚常飞 周明 罗运生 魏翔 张君直 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室 南京210016 南京电子器件研究所微波毫米波模块电路事业部 南京210016
基于X波段源,通过9×2×2次倍频链实现了输出约1-2m W的320-356GHz全固态倍频源。该信号源作为本振信号驱动664GHz接收前端的二次谐波混频器,该混频器采用了有源偏置技术以降低混频器的本振驱动功率和接收机的噪声温度。仿真结... 详细信息
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短波长OEIC光接收机前端设计及制作
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微电子学 2008年 第5期38卷 713-717页
作者: 范超 陈堂胜 陈辰 焦世龙 陈镇龙 刘霖 王昱琳 叶玉堂 电子科技大学光电信息学院 成都610054 单片集成电路与模块国家级重点实验室 南京210016
基于国内的材料和工艺技术,研制出850nm单片集成光接收机前端,集成形式包括PIN/TIA、PIN/DA、MSM/TIA和MSM/DA等。对光探测器和电路分别进行了研究和优化。通过Silvaco软件,建立了探测器器件模型,并通过实验数据验证。分布放大器-3dB带... 详细信息
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10Gb/s GaAs PHEMT Current Mode Transimpedance Preamplifier for Optical Receiver
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Journal of Semiconductors 2007年 第1期28卷 24-30页
作者: 焦世龙 叶玉堂 陈堂胜 冯欧 蒋幼泉 范超 李拂晓 电子科技大学光电信息学院 成都610054 单片集成电路与模块国家级重点实验室 南京210016 南京电子器件研究所 南京210016
A single power supply common-gate (CG) current mode transimpedance preamplifier (TIA) is developed with a 0.5μm GaAs PHEMT process. The amplifier has a measured - 3dB bandwidth of 7. 5GHz and a transimpedance gai... 详细信息
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基于表面势的HEMT模型分析
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半导体技术 2010年 第4期35卷 320-324页
作者: 吕彬义 孙玲玲 孔月婵 陈辰 刘军 陈磊 单片集成电路与模块国家级重点实验室 南京210016 杭州电子科技大学教育部射频电路与系统重点实验室 杭州310018
将表面势的概念引入GaAs高电子迁移率晶体管器件结构,以建立可精确描述HEMT器件输入/出特性的新模型。通过分析最基本的HEMT结构,参考Si基MOSFET中Pao-sah模型的分析方法,对沟道电荷利用泊松方程表述,并结合能带电压关系,建立HEMT器件... 详细信息
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A 10Gb/s GaAs PHEMT High Gain Preamplifier for Optical Receivers
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Journal of Semiconductors 2007年 第12期28卷 1902-1911页
作者: 焦世龙 杨先明 赵亮 李辉 陈镇龙 陈堂胜 邵凯 叶玉堂 电子科技大学光电信息学院 成都610054 南京电子器件研究所 南京210016 单片集成电路与模块国家级重点实验室 南京210016
A high gain cascade connected preamplifier for optical receivers is developed with 0.5μm GaAs PHEMT technology from the Nanjing Electronic Devices Institute. To begin with, the transimpedance amplifier has a -3dB ban... 详细信息
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6~18GHz单片联型单分布功率放大器设计
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电子与封装 2006年 第5期6卷 29-32,4页
作者: 曹海勇 陈效建 钱峰 单片集成电路与模块国家级重点实验室 江苏南京210016
联型单分布放大器CSSDA是一种新的宽带放大器电路结构,不但具有带宽大、驻波特性好的特点,更具有增益高、易联的优点。文章在对CSSDA特点分析及其与传统分布式放大器CDA 比较的基础上,讨论了此种电路用于功率放大器设计时的难点... 详细信息
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砷化镓0.5 μm PHEMT开关标准工艺研究
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固体电子学研究与进展 2006年 第4期26卷 545-549页
作者: 李拂晓 郑华 郑惟彬 林罡 吴振海 黄庆安 东南大学MEMS教育部重点实验室 南京210096 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室 南京210016
采用PCM技术对砷化镓0.5μmPHEMT开关工艺关键工艺步骤进行定量严格监控,并对关键工艺节点进行工序能力评价(Cpk),运用统计过程控制(SPC)技术对采集的工艺数据进行分析,实现了开关工艺的稳定受控,工艺水平不断提高,砷化镓单片开关的成... 详细信息
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