检索结果-内蒙古大学图书馆

2013年全国微波毫米波会议

作者：钟世昌陈堂胜景少红任春江陈辰高涛南京电子器件研究所单片集成电路及模块电路国家重点实验室

本文通过设计C波段连续波60W GaN内匹配功率管,研究了内匹配电路的设计、合成以及内匹配电路的测试,实现了GaN功率HEMT在C波段60W连续波输出功率的内匹配电路,并使整个电路的输入、输出电路阻抗提升至50Ω。最终所研制的A1GaN/GGaN C波... 详细信息

本文通过设计C波段连续波60W GaN内匹配功率管,研究了内匹配电路的设计、合成以及内匹配电路的测试,实现了GaN功率HEMT在C波段60W连续波输出功率的内匹配电路,并使整个电路的输入、输出电路阻抗提升至50Ω。最终所研制的A1GaN/GGaN C波段内匹配功率管在28V漏电压,5.3～5.9GHz频带内输出功率大于60W,最高功率输出77.6W,.带内功率增益大于10dB,最大功率附加效率52.9%,充分展示了GaN功率器件在性能上的优势。

关键词： GaN 功率管内匹配功率附加效率

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

C波段连续波60W AlGaN/GaN功率管及其应用

C波段连续波60W AlGaN/GaN功率管及其应用

引用

2013年全国微波毫米波会议

作者：钟世昌陈堂胜景少红任春江陈辰高涛南京电子器件研究所南京210016 单片集成电路及模块电路国家重点实验室南京210016 南京电子器件研究所南京210016

本文通过设计C波段连续波60W GaN内匹配功率管,研究了内匹配电路的设计、合成以及内匹配电路的测试,实现了GaN功率HEMT在C波段60W连续波输出功率的内匹配电路,并使整个电路的输入、输出电路阻抗提升至50Ω.最终所研制的AlGaN/GaN C波段... 详细信息

本文通过设计C波段连续波60W GaN内匹配功率管,研究了内匹配电路的设计、合成以及内匹配电路的测试,实现了GaN功率HEMT在C波段60W连续波输出功率的内匹配电路,并使整个电路的输入、输出电路阻抗提升至50Ω.最终所研制的AlGaN/GaN C波段内匹配功率管在28V漏电压,5.3～5.9GHz频带内输出功率大于60W,最高功率输出77.6W,带内功率增益大于10dB,最大功率附加效率52.9％,充分展示了GaN功率器件在性能上的优势.

关键词：氮化镓功率管内匹配电路设计理念输出功率

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

0.5μm GaN HEMT及其可靠性

0.5μm GaN HEMT及其可靠性

引用

2012全国第十四届微波集成电路与移动通信学术年会

作者：任春江王泉慧刘海琪王雯李忠辉孔月婵蒋浩钟世昌陈堂胜张斌南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016

文中报道了采用Ⅰ线步进光刻实现的3英寸SiC衬底0.5μm GaN HEMT及其可靠性.器件正面工艺光刻均采用了Ⅰ线步进光刻来实现,背面采用通孔接地.研制的GaN HEMT器件fT为15GHz,fm.为24GHz,6GHz下MSG为17dB,满足C波段及以下频段应用要求.1.2... 详细信息

文中报道了采用Ⅰ线步进光刻实现的3英寸SiC衬底0.5μm GaN HEMT及其可靠性.器件正面工艺光刻均采用了Ⅰ线步进光刻来实现,背面采用通孔接地.研制的GaN HEMT器件fT为15GHz,fm.为24GHz,6GHz下MSG为17dB,满足C波段及以下频段应用要求.1.25mm栅宽GaN HEMT在2GHz、28V工作电压下进行负载牵引测试,最佳功率匹配时功率附加效率70％,对应输出功率以及功率增益分别为36.4dBm和15dB.对1.25mm栅宽器件在28V工作电压下的直流三温加速寿命得到器件激活能和150℃结温下平均失效时间(MTTF)分别为1.51eV和1.8×107小时.对研制的L波段GaN功率管开展了射频过载寿命试验,150℃结温、3dB过载下工作1000小时器件输出功率下降小于0.2dB.

关键词：高电子迁移率晶体管步进光刻通孔接地可靠性评估

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

基于LTCC技术的SIW元件集成设计与工艺

引用

环球市场信息导报（理论） 2012年第6期 45-46页

作者：戴雷王子良陈继新中电科技集团五十五所江苏南京210016 单片集成电路与模块国家重点实验室江苏南京210016 东南大学江苏南京210000

基于LTCC技术设计了一个三腔SIW（介质集成波导）滤波器以及集成该滤波器的RF前端MCM模块。并通过LTCC工艺加工了上述滤波器和MCM模块多层基板，对其进行组装、测试和分析。测试曲线与结果与设计值较吻合，验证了LTCC基板集成SIW元件的... 详细信息

基于LTCC技术设计了一个三腔SIW（介质集成波导）滤波器以及集成该滤波器的RF前端MCM模块。并通过LTCC工艺加工了上述滤波器和MCM模块多层基板，对其进行组装、测试和分析。测试曲线与结果与设计值较吻合，验证了LTCC基板集成SIW元件的可行性，为LTCC无源元件的实现探索了一条新的途径。

关键词： SI :LTCC MCM 滤波器

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

基于76.2mm圆片工艺的GaN HEMT可靠性评估

引用

固体电子学研究与进展 2011年第2期31卷 115-119,140页

作者：蒋浩任春江陈堂胜焦刚肖德坚南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016

报道了利用76.2 mm圆片工艺实现了SiC衬底GaN HEMT微波功率管的研制,并对其进行了多项试验以评估其可靠性。器件工艺中通过引入难熔金属作器件肖特基势垒,有效提高了GaN HEMT器件肖特基势垒的热稳定性,经过500°C高温处理30 s后器... 详细信息

报道了利用76.2 mm圆片工艺实现了SiC衬底GaN HEMT微波功率管的研制,并对其进行了多项试验以评估其可靠性。器件工艺中通过引入难熔金属作器件肖特基势垒,有效提高了GaN HEMT器件肖特基势垒的热稳定性,经过500°C高温处理30 s后器件肖特基特性依然保持稳定。随后的高温工作寿命试验表明,该GaN HEMT能够经受225°C结温500 h的工作而未发生失效,但器件的饱和电流出现了退化,进一步的分析表明引起器件饱和电流下降的主要原因是电迁徙引起的欧姆退化。针对电迁徙现象进行了相关工艺的改进,对改进后器件的三温加速寿命试验表明,器件在150°C结温下平均失效时间(MTTF)达4×105h,激活能为1.0 eV。将研制的GaN HEMT管芯用于了两级级联结构的C波段功率模块,对研制的功率模块在28 V工作电压125°C结温下进行了射频工作寿命试验,增益压缩5 dB下连续波工作1 000 h后输出功率变化量小于0.1 dB。

关键词：铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管场板栅挖槽难熔栅平均失效时间

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

UHF频段高功率SiC SIT

引用

固体电子学研究与进展 2011年第1期31卷 20-23页

作者：陈刚王雯柏松李哲洋吴鹏李宇柱倪炜江单片集成电路与模块国家重点实验室南京电子器件研究所南京210016

采用导通SiC衬底上的SiC多层外延材料,成功制作出了国内首个SiC SIT(静电感应晶体管)。该器件研制中,采用了自对准工艺、高能离子注入及高温退火工艺、密集栅深凹槽干法刻蚀工艺、PECVD SiO2和SixNy介质钝化工艺,有效抑制了漏电并提高... 详细信息

采用导通SiC衬底上的SiC多层外延材料,成功制作出了国内首个SiC SIT(静电感应晶体管)。该器件研制中,采用了自对准工艺、高能离子注入及高温退火工艺、密集栅深凹槽干法刻蚀工艺、PECVD SiO2和SixNy介质钝化工艺,有效抑制了漏电并提高了器件击穿电压,器件功率输出能力由此得到提升。最终28 cm栅宽SiC SIT器件,在UHF波段的500 MHz、90 V工作电压下,脉冲饱和输出功率达到了550 W,此时功率增益为11.3 dB。

关键词：宽禁带半导体碳化硅静电感应晶体管离子注入

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

6～18 GHz宽带GaN功率放大器MMIC

引用

固体电子学研究与进展 2011年第2期31卷 111-114页

作者：余旭明张斌陈堂胜任春江南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016

报道了一款采用三级拓扑结构的6～18 GHz宽带单片微波功率放大器芯片。放大器采用了微带结构,并使用电抗匹配进行设计,减小输出匹配电路的损耗和提高效率。经匹配优化后放大器在6～18 GHz整个频带内脉冲输出功率大于6 W,小信号增益达到2... 详细信息

报道了一款采用三级拓扑结构的6～18 GHz宽带单片微波功率放大器芯片。放大器采用了微带结构,并使用电抗匹配进行设计,减小输出匹配电路的损耗和提高效率。经匹配优化后放大器在6～18 GHz整个频带内脉冲输出功率大于6 W,小信号增益达到25 dB,在14 GHz频点处峰值输出功率达到10 W,对应的功率附加效率为21%。放大器芯片采用南京电子器件研究所的0.25μm GaN HEMT 76.2 mm圆片工艺制造,尺寸为2.3 mm×1.1mm。

关键词：铝镓氮/氮化镓氮化镓功率放大器宽带 6~18 GHz 微波单片集成电路

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

基于MEMS圆片级封装/通孔互联技术的SIP技术

引用

固体电子学研究与进展 2011年第2期31卷 F0003-F0003页

作者：朱健吴璟贾世星姜国庆南京电子器件研究所南京210016 单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016

随着科学技术的发展，3DSIP（System—in—package）技术已成为世界热点。基于MEMS圆片级封装WLP（Wafer—level packaging）的SIP技术是目前3DSIP最重要技术之一，

关键词：圆片级封装 IP技术 MEMS 互联技术通孔 level 科学技术

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

横向接触式RF MEMS开关

引用

固体电子学研究与进展 2010年第4期30卷 518-521页

作者：杜国平朱健郁元卫侯智昊南京电子器件研究所南京210016 单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016

提出了一种横向接触式RF MEMS开关,采用金属叉指结构进行驱动。通过结构建模和性能仿真,对叉指结构进行了优化,提高了机械性能,减小开关的尺寸。通过加大横向接触面积,降低接触电阻,减小开关导通态的插损,提高了开关的射频性能。利用低... 详细信息

提出了一种横向接触式RF MEMS开关,采用金属叉指结构进行驱动。通过结构建模和性能仿真,对叉指结构进行了优化,提高了机械性能,减小开关的尺寸。通过加大横向接触面积,降低接触电阻,减小开关导通态的插损,提高了开关的射频性能。利用低温表面牺牲层工艺在砷化镓衬底上进行了开关的流片,通过工艺的改进最终得到满意的流片结果。测试结果表明:在DC-20GHz频率范围内,开关的插入损耗小于0.3dB,隔离度大于20dB。

关键词：射频微机电系统开关横向移动

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

MMIC用NiFe-SiO_x磁性金属颗粒膜电感研究

引用

固体电子学研究与进展 2010年第2期30卷 208-211页

作者：孔岑李辉张万里陈辰陈效建电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016

在蓝宝石基的氮化镓衬底上采用射频磁控溅射结合剥离的方法制作了NiFe-SiOx磁性金属颗粒膜,利用PECVD淀积绝缘层,制备出"SiN绝缘层/NiFe-SiOx薄膜/SiN绝缘层/金属线圈"结构的平面电感。测试表明,对于单圈电感,与无磁膜结构相... 详细信息

在蓝宝石基的氮化镓衬底上采用射频磁控溅射结合剥离的方法制作了NiFe-SiOx磁性金属颗粒膜,利用PECVD淀积绝缘层,制备出"SiN绝缘层/NiFe-SiOx薄膜/SiN绝缘层/金属线圈"结构的平面电感。测试表明,对于单圈电感,与无磁膜结构相对比在1 GHz时电感量有30%的提升,且对Q值影响不大;对于多圈电感,电感量与电感结构密切相关,当磁膜同时存在于线圈下和线圈之间时对电感量提升最大,但截止频率较低;而磁膜在电感线圈正下方的结构对电感量提升较前一种磁膜电感低,但截止频率较前一种磁膜电感高。

关键词：磁性金属颗粒膜磁膜电感单片微波集成电路工艺图形化磁膜

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：