检索结果-内蒙古大学图书馆

固体电子学研究与进展 2007年第3期27卷 F0003-F0003页

作者：陈堂胜张斌焦刚任春江陈辰邵凯杨乃彬单片集成电路与模块国家重点实验室南京电子器件研究所南京210016

AIGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）以其高输出功率密度、高电压工作和易于宽带匹配等优势将成为下一代高频固态微波功率器件。微波功率器件主要有内匹配功率管和功率单片微波集成电路（MMIC）两种结构形式，功率MMIC尽管其研制成本... 详细信息

AIGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）以其高输出功率密度、高电压工作和易于宽带匹配等优势将成为下一代高频固态微波功率器件。微波功率器件主要有内匹配功率管和功率单片微波集成电路（MMIC）两种结构形式，功率MMIC尽管其研制成本相对较高，但功率MMIC可实现宽带匹配，同时功率MMIC的体积较内匹配功率管小得多，

关键词：功率密度 AlGaN/GaN MMIC X-波段 HEMT 高电子迁移率晶体管 AIGaN/GaN 单片微波集成电路

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8bit1．4GS／s模数转换器

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固体电子学研究与进展 2010年第1期30卷 F0003-F0003页

作者：张有涛李晓鹏刘奡张敏钱峰陈辰单片集成电路与模块国家重点实验室南京电子器件研究所南京210016

超高速模数转换器(ADC)是软件无线电、高速数据采集和宽带数字化雷达的关键组成部分.附带校准技术的折叠内插ADC具有等同快闪(FLASH)ADC的高转换速度,是设计超高速ADC的最佳选择,但仍需综合考虑各项指标来时行校准方法设计及芯片架构优化.

关键词：高速模数转换器南京电子器件研究所高速ADC 高速数据采集校准技术软件无线电数字化雷达组成部分

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硅膜RFMEMS开关

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电子工业专用设备 2017年第4期46卷 30-34页

作者：杜国平朱健郁元卫姜理利南京电子器件研究所江苏南京210016 单片集成电路与模块国家重点实验室江苏南京210016

利用静电驱动原理设计了一种新颖的射频硅膜RF MEMS开关,其开关的优点在于:巧妙的运用CPW传输线的地线作为下电极,加大了开关驱动面积,减小了驱动电压;利用硅膜作为结构层,利用硅本身优良的机械特性可提高开关的可靠性;具有静电接触式... 详细信息

利用静电驱动原理设计了一种新颖的射频硅膜RF MEMS开关,其开关的优点在于:巧妙的运用CPW传输线的地线作为下电极,加大了开关驱动面积,减小了驱动电压;利用硅膜作为结构层,利用硅本身优良的机械特性可提高开关的可靠性;具有静电接触式开关低频隔离度的优点。通过流片得到了满意的开关样品,测试结果表明:在DC-6 GHz频率范围内,开关的插入损耗小于0.5 dB,隔离度大于30 dB。

关键词：射频MEMS 开关硅膜

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基于MEMS圆片级封装/通孔互联技术的SIP技术

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固体电子学研究与进展 2011年第2期31卷 F0003-F0003页

作者：朱健吴璟贾世星姜国庆南京电子器件研究所南京210016 单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016

随着科学技术的发展，3DSIP（System—in—package）技术已成为世界热点。基于MEMS圆片级封装WLP（Wafer—level packaging）的SIP技术是目前3DSIP最重要技术之一，

关键词：圆片级封装 IP技术 MEMS 互联技术通孔 level 科学技术

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SiN纳米梁谐振器的制造工艺研究

SiN纳米梁谐振器的制造工艺研究

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中国微米纳米技术学会第十一届学术年会

作者：卓敏朱健刘梅贾世星南京电子器件研究所，南京，210016 南京电子器件研究所，南京，210016 单片集成电路与模块国家级重点试验室，南京，210016

纳米梁谐振器是某一维度上的特征尺度小于100nm纳米级谐振器。纳米梁谐振器以其超小的体积与质量，超低的功耗，超高的灵敏度，体现了NEMS器件的优越性。纳米梁谐振器有望广泛应用于单电子电量、单分子质量等物理量的检测。高灵敏度生... 详细信息

纳米梁谐振器是某一维度上的特征尺度小于100nm纳米级谐振器。纳米梁谐振器以其超小的体积与质量，超低的功耗，超高的灵敏度，体现了NEMS器件的优越性。纳米梁谐振器有望广泛应用于单电子电量、单分子质量等物理量的检测。高灵敏度生物、化学传感器等不同领域。本文研究了纳米级固支梁谐振器的制造工艺技术，研究利用电子束光刻和MEMS工艺相结合的纳米制造技术，开发出干法刻蚀和湿法腐蚀相结合的纳米固支梁结构的制造工艺，形成纳米梁谐振器自上而下的制造工艺技术。

关键词：纳米梁谐振器制造工艺干法刻蚀电子束光刻

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E面耦合窄带波导滤波器的快速设计方法

E面耦合窄带波导滤波器的快速设计方法

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2007年全国微波毫米波会议

作者：张华王勇丁振宇南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室上海索辰信息科技有限公司

本文描述了一种基于全波综合CAD软件WASP-NET的小型化窄带波导滤波器快速设计方法,通过设定指标要求,由CAD软件自动全波地综合得到初始设计,然后对设计结果进行评估,选出性能和尺寸都符合要求的,进一步,可以用WASP-NET优化,或采用其他... 详细信息

本文描述了一种基于全波综合CAD软件WASP-NET的小型化窄带波导滤波器快速设计方法,通过设定指标要求,由CAD软件自动全波地综合得到初始设计,然后对设计结果进行评估,选出性能和尺寸都符合要求的,进一步,可以用WASP-NET优化,或采用其他工具进行对照验证。这种设计方法能够在较短的时间内获得较好的设计结果,是一种值得推广的现代波导滤波器设计方法。

关键词：波导滤波器综合 CAD

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硅基射频微系统三维异构集成技术

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固体电子学研究与进展 2019年第3期39卷 F0003-F0003页

作者：郁元卫张洪泽黄旼朱健张斌单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016 南京电子器件研究所南京210016

南京电子器件研究所根据射频组件芯片化的发展趋势,在国内首先提出了硅基射频微系统架构,在203.2mm(8英寸)硅晶圆上,建立起了TSV射频转接板的设计/工艺能力,通过基于TSV射频转接板的三维异构集成先进工艺技术,制备出硅基首款38GHz异构... 详细信息

南京电子器件研究所根据射频组件芯片化的发展趋势,在国内首先提出了硅基射频微系统架构,在203.2mm(8英寸)硅晶圆上,建立起了TSV射频转接板的设计/工艺能力,通过基于TSV射频转接板的三维异构集成先进工艺技术,制备出硅基首款38GHz异构集成收发芯片,研制出4层硅片堆叠集成的X波段硅基变频芯片,形成了1.0版本的射频微系统工艺规则和多用户流程能力。TSV尺寸(30:200)μm,可以支持4层硅片的圆片级堆叠。该工艺架构在DC-40GHz的微波性能已通过了验证。

关键词：射频微系统异构集成

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MOCVD生长Si基AlGaN/GaN HEMTs研究

MOCVD生长Si基AlGaN/GaN HEMTs研究

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第11届全国固体薄膜会议

作者：董逊李忠辉李亮任春江焦刚陈辰陈堂胜中国电子科技集团公司第五十五研究所单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016

MOCVD生长了无裂纹Si基GaN及AlGaN/GaN HEMTs外延材料.采用在高温AIN缓冲层上直接生长GaN缓冲层及HEMTs结构,分别研究了工艺条件对GaN晶体质量和HEMT电学性质的影响.制作并分析了200/μm GaN HEMT器件的直流和微波小信号特性。

关键词：外延材料电学性质信号特性缓冲层金属化学气相沉积晶体质量

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