检索结果-内蒙古大学图书馆

作者：李春陈刚南京电子器件研究所五中心南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室

介绍了离子注入工艺可在SiC器件中形成欧姆接触,其电阻值经退火后可达到10Ω·cm;同时也可利用离子注入在平面工艺中形成良好的电学隔离,避免工艺复杂化,提高了成品率。最后通过B注入形成边缘终端制作4H-SiC肖特基势垒二极管的例子... 详细信息

介绍了离子注入工艺可在SiC器件中形成欧姆接触,其电阻值经退火后可达到10Ω·cm;同时也可利用离子注入在平面工艺中形成良好的电学隔离,避免工艺复杂化,提高了成品率。最后通过B注入形成边缘终端制作4H-SiC肖特基势垒二极管的例子说明了离子注入在SiC器件制造过程中所起的重要作用。

关键词：离子注入 4H碳化硅欧姆接触肖特基势垒二极管隔离技术

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InP基共振遂穿二极管隔离层厚度对器件I-V特性影响的研究

InP基共振遂穿二极管隔离层厚度对器件I-V特性影响的研究

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2007年全国微波毫米波会议

作者：韩春林张杨曾一平高建峰薛舫时陈辰单片集成电路和模块国家级重点实验室南京电子器件研究所中国科学院半导体研究所

本文对AlAs/InGaAs/InAs共振遂穿二极管(RTD)不同厚度隔离层对器件Ⅰ-Ⅴ特性的影响进行了研究,研究发现器件的峰谷电流密度在负微分电阻区会随着隔离层材料厚度的增加而降低,同时,在一定隔离层厚度范围内峰谷电流比随着隔离层材料厚度... 详细信息

本文对AlAs/InGaAs/InAs共振遂穿二极管(RTD)不同厚度隔离层对器件Ⅰ-Ⅴ特性的影响进行了研究,研究发现器件的峰谷电流密度在负微分电阻区会随着隔离层材料厚度的增加而降低,同时,在一定隔离层厚度范围内峰谷电流比随着隔离层材料厚度的增加而增加。通过优化材料结构,研制出峰谷电流比PVR=20的InP基RTD器件。

关键词：共振遂穿二极管分子束外延隔离层

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SOI基双线振动式MEMS陀螺仪的工艺研究

SOI基双线振动式MEMS陀螺仪的工艺研究

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中国微米纳米技术学会第十一届学术年会

作者：吴璟刘梅贾世星朱健卓敏南京电子器件研究所，南京，210016 南京电子器件研究所，南京，210016 单片集成电路与模块国家级重点实验室，南京，210016

SOI-MEMS惯性器件是基于SOI(Silicon-on-insulator)衬底的MEMS惯性器件，具有寄生电容小、噪声低、信噪比高、灵敏度优越、体积小、易批量等优点，在国外已广泛应用并实现商用化，如美国AD公司、Tronic’s Microsystems公司等，主要应... 详细信息

SOI-MEMS惯性器件是基于SOI(Silicon-on-insulator)衬底的MEMS惯性器件，具有寄生电容小、噪声低、信噪比高、灵敏度优越、体积小、易批量等优点，在国外已广泛应用并实现商用化，如美国AD公司、Tronic’s Microsystems公司等，主要应用于集成硅压力传感器、汽车牵引控制系统、摄像机稳定补偿系统、医用仪器等广泛领域。SOI材料结构的特殊性使得它在MEMS领域里具有简化工艺的作用：1.整体仍为单晶硅结构，应力小，抗机械疲劳性能好;***2薄膜功能多种多样，可用于自停止腐蚀层、信号隔离层、释放结构的牺牲层等;3.柔性化设计，量程随硅膜厚度的改变而改变，设计灵活;***与CMOS、IC工艺相通，易于电路集成。

关键词：陀螺仪单晶硅疲劳性能惯性器件压力传感器

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4H-SiC外延中的缺陷及其对肖特基二极管的影响

4H-SiC外延中的缺陷及其对肖特基二极管的影响

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：陈刚陈雪兰柏松李哲洋韩平南京大学物理系江苏省光电信息功能材料重点实验室210008 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室210016 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室210016 南京大学物理系江苏省光电信息功能材料重点实验室210008

本文主要研究了4H-SiC外延片中的缺陷对制作出的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管的电学性能的影响。SiC的外延生长是通过LPCVD外延设备在偏8°的(0001)Si面4H-SiC单晶片上进行的,衬底材料来自外购,同质生长的SiC外延层掺杂为n型,掺杂浓度... 详细信息

本文主要研究了4H-SiC外延片中的缺陷对制作出的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管的电学性能的影响。SiC的外延生长是通过LPCVD外延设备在偏8°的(0001)Si面4H-SiC单晶片上进行的,衬底材料来自外购,同质生长的SiC外延层掺杂为n型,掺杂浓度5×1015cm-3,厚度为10um。通过对外延好的4H-SiC片进行2cm×2cm划片,然后使用扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)及拉曼光谱(raman spectrum)多种测试手段对边长为2cm的方形SiC外延材料的表面形貌、缺陷和晶型进行了分析研究。然后制作了简单的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管,制造的二极管大小是直径110um的圆形;文中简述了制作肖特基势垒二极管的相关工艺流程:通过电学测试得到了性能较好的特性参数为理想因子n=1.24,势垒高度φ=0.87eV,击穿电压在650V 。

关键词： 4H碳化硅外延材料缺陷肖特基二极管电学性能势垒高度拉曼光谱

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高介电BST材料对MIS结构AlGaN/GaN HEMT器件性能的影响

高介电BST材料对MIS结构AlGaN/GaN HEMT器件性能的影响

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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：周建军张继华陈堂胜任春江焦刚李忠辉陈辰杨传仁南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室电子科技大学微电子与固体电子学院

采用衬底同步加热磁控溅射的高介电BS材料作为栅绝缘层,研制了BS/AlGaN/GaNMIS结构HEMT器件。通过对器件直流和高频特性的测试以及与同样厚度SiN MIS结构对比,分析了高介电BST材料作为栅绝缘层对AlGaN/GaN MIS HEMT器件性能的影响。使... 详细信息

采用衬底同步加热磁控溅射的高介电BS材料作为栅绝缘层,研制了BS/AlGaN/GaNMIS结构HEMT器件。通过对器件直流和高频特性的测试以及与同样厚度SiN MIS结构对比,分析了高介电BST材料作为栅绝缘层对AlGaN/GaN MIS HEMT器件性能的影响。使用高介电BST材料作为栅绝缘层可以改善器件的线性特性和跨导特性,提高器件栅的正向工作电压,并有效降低AlGaN/GaN HEMT器件的夹断电压。同时,由于只引入很薄一层高介电材料作为栅绝缘层,器件的高频特性没有显著降低,BST/AlGaN/GaN MIS HEMT器件的电流增益截止频率达到23 GHz。

关键词： AlGaN/GaN HEMT BST MIS 高介电材料

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离子注入工艺在4H-SiC器件中的应用

离子注入工艺在4H-SiC器件中的应用

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：李春陈刚南京电子器件研究所五中心210016 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室210016

本文介绍了离了注入工艺可在SiC器件中形成欧姆接触,其电阻值经退火后可达到10-6Ω·cm2[1];同时也可利用离子注入在平面工艺中形成良好的电学隔离,避免工艺复杂化,提高了成品率。最后通过B+离子注入形成边缘终端制作4H-SiC肖特基... 详细信息

本文介绍了离了注入工艺可在SiC器件中形成欧姆接触,其电阻值经退火后可达到10-6Ω·cm2[1];同时也可利用离子注入在平面工艺中形成良好的电学隔离,避免工艺复杂化,提高了成品率。最后通过B+离子注入形成边缘终端制作4H-SiC肖特基势垒二极管的例子说明了离子注入在SiC器件制造过程中所起的重要性。

关键词：离子注入 4H碳化硅器件欧姆接触肖特基势垒二极管隔离技术

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4H-SiC外延中的缺陷及其对肖特基二极管的影响

4H-SiC外延中的缺陷及其对肖特基二极管的影响

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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：陈刚陈雪兰柏松李哲洋韩平南京大学物理系江苏省光电信息功能材料重点实验室南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室

研究了4H-SiC外延片中的缺陷对制作出的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管的电学性能的影响。SiC的外延生长是通过LPCVD外延设备在偏8°的（0001）Si面4H-SiC单晶片上进行的,衬底材料来自外购,同质生长的SiC外延层掺杂为n型,掺杂浓度5×... 详细信息

研究了4H-SiC外延片中的缺陷对制作出的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管的电学性能的影响。SiC的外延生长是通过LPCVD外延设备在偏8°的（0001）Si面4H-SiC单晶片上进行的,衬底材料来自外购,同质生长的SiC外延层掺杂为n型,掺杂浓度5×10cm,厚度为10μm。通过对外延好的4H-SiC片进行2cm×2 cm划片,使用扫描电镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）及喇曼光谱多种测试手段对边长为2cm的方形SiC外延材料的表面形貌、缺陷和晶型进行了分析研究,制作了简单的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管,制造的二极管为直径110μm的圆形。简述了制作肖特基势垒二极管的相关工艺流程;通过电学测试得到了性能较好的特性参数为理想因子n=1.24,势垒高度φ=0.87 eV,击穿电压在650 V。

关键词： 4H-SiC 缺陷肖特基二极管理想因子势垒高度测试

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GaN高电子迁移率晶体管高频噪声特性的研究

GaN高电子迁移率晶体管高频噪声特性的研究

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2011年全国微波毫米波会议

作者：陈勇波周建军徐跃杭国云川徐锐敏电子科技大学电子工程学院单片集成电路和模块国家级重点实验室南京电子器件研究所

本文基于FUKUI噪声模型分析了GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件的高频噪声特性,结果表明GaN HEMT由于具有更高的临界电场和更大的电子饱和速度,与第二代半导体(GaAs等)器件相比具有更优越的噪声潜力。对近十多年来国内外在GaN HEMT低噪... 详细信息

本文基于FUKUI噪声模型分析了GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件的高频噪声特性,结果表明GaN HEMT由于具有更高的临界电场和更大的电子饱和速度,与第二代半导体(GaAs等)器件相比具有更优越的噪声潜力。对近十多年来国内外在GaN HEMT低噪声器件及其低噪声功率放大器单片集成电路(MMIC)方面的研究现状进行了综述,并分析了目前存在的主要问题及其发展趋势。

关键词： GaN 高电子迁移率晶体管(HEMT) 高频噪声低噪声放大器(LNA)

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高速低功耗直接数字频率合成器的FPGA实现

高速低功耗直接数字频率合成器的FPGA实现

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全国第十二届微波集成电路与移动通信学术会议

作者：钱考华李晓鹏张有涛钱峰中电集团第55研究所集成电路设计部南京 210016 中电集团第55研究所集成电路设计部南京 210016 中电集团第55研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室南京 210016

介绍了DDS的基本原理和结构以及CORDIC算法,用CORDIC算法实现了DDS的相位一幅度转换电路,并设计引入了逆sinc函数数字校正滤波器对系统输出幅频特性加以修正,弥补了DAC的幅频衰减特性,最后给出了FPGA的运行结果.

关键词：直接数字频率合成 CORDIC算法逆sinc函数滤波器电路设计

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Ka波段Si基微机械宽带垂直过渡

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微纳电子技术 2008年第12期45卷 712-715页

作者：戴新峰郁元卫贾世星朱健於晓峰丁玉宁南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室南京210016 南京电子器件研究所微纳米研发中心南京210016 南京电子器件研究所毫米波电路部南京210016

介绍了一种适用于三维毫米波集成电路的Si基微机械垂直过渡,该垂直过渡是两层0.1mm厚的共面波导传输线通过0.3mm厚中间层,在中间层采用了同轴结构,该同轴结构通过金属化通孔来实现。这一设计原理简单,结构简洁,便于优化设计,具有很宽的... 详细信息

介绍了一种适用于三维毫米波集成电路的Si基微机械垂直过渡,该垂直过渡是两层0.1mm厚的共面波导传输线通过0.3mm厚中间层,在中间层采用了同轴结构,该同轴结构通过金属化通孔来实现。这一设计原理简单,结构简洁,便于优化设计,具有很宽的带宽和平坦的幅度响应。运用三维电磁场仿真软件对该垂直过渡结构进行了建模,并作了优化设计与仿真计算,运用微机械金属化通孔工艺和多层键合工艺研制了样品。在片测试结果表明该样品性能良好,在26.5～34.0GHz该过渡插入损耗小于3.5dB,带内起伏小于2dB。

关键词： Ka波段 Si基微机械三维集成电路宽带垂直过渡热压键合

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