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作者

  • 56 篇 陈辰
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  • 37 篇 陈刚
  • 36 篇 柏松
  • 36 篇 李哲洋
  • 26 篇 薛舫时
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  • 12 篇 冯忠

语言

  • 145 篇 中文
检索条件"机构=单片集成电路及模块电路国家级重点实验室"
145 条 记 录,以下是61-70 订阅
排序:
A 10Gb/s GaAs PHEMT High Gain Preamplifier for Optical Receivers
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Journal of Semiconductors 2007年 第12期28卷 1902-1911页
作者: 焦世龙 杨先明 赵亮 李辉 陈镇龙 陈堂胜 邵凯 叶玉堂 电子科技大学光电信息学院 成都610054 南京电子器件研究所 南京210016 单片集成电路与模块国家级重点实验室 南京210016
A high gain cascade connected preamplifier for optical receivers is developed with 0.5μm GaAs PHEMT technology from the Nanjing Electronic Devices Institute. To begin with, the transimpedance amplifier has a -3dB ban... 详细信息
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6~18GHz单片联型单分布功率放大器设计
收藏 引用
电子与封装 2006年 第5期6卷 29-32,4页
作者: 曹海勇 陈效建 钱峰 单片集成电路与模块国家级重点实验室 江苏南京210016
联型单分布放大器CSSDA是一种新的宽带放大器电路结构,不但具有带宽大、驻波特性好的特点,更具有增益高、易联的优点。文章在对CSSDA特点分析其与传统分布式放大器CDA 比较的基础上,讨论了此种电路用于功率放大器设计时的难点... 详细信息
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离子注入工艺在4H-SiC器件中的应用
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半导体技术 2008年 第S1期33卷 252-255页
作者: 李春 陈刚 南京电子器件研究所五中心 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室 南京210016
介绍了离子注入工艺可在SiC器件中形成欧姆接触,其电阻值经退火后可达到10-6Ω.cm2;同时也可利用离子注入在平面工艺中形成良好的电学隔离,避免工艺复杂化,提高了成品率。最后通过B+注入形成边缘终端制作4H-SiC肖特基势垒二极管的例子... 详细信息
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水平热壁式CVD SiC外延均匀性研究
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半导体技术 2008年 第S1期33卷 269-272页
作者: 李哲洋 李赟 董逊 柏松 陈刚 陈辰 中国电子科技集团公司第五十五研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室 南京210016
研究了水平热壁式CVD(hot-wall CVD)4H-SiC同质外延生长,通过优化载气H2的流量获得低于1%(最好值为0.09%)的外延厚度均匀性(σ/mean),碳硅比(C/Si)的改变对外延材料载流子浓度均匀性的分布有重要影响,通过优化C/Si比,获得低于7%(最好值... 详细信息
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5Gb/s单片集成GaAs MSM/PHEMT 850nm光接收机前端
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Journal of Semiconductors 2007年 第4期28卷 587-591页
作者: 焦世龙 陈堂胜 钱峰 冯欧 蒋幼泉 李拂晓 邵凯 叶玉堂 电子科技大学光电信息学院 成都610054 单片集成电路与模块国家级重点实验室 南京210016 南京电子器件研究所 南京210016
采用0.5μm GaAs PHEMT工艺研制出了一种单片集成850nm光接收机前端,它包括金属-半导体-金属(MSM)光探测器和分布放大器.探测器光敏面积为50μm×50μm,电容为0.17pF,4V偏压下的暗电流小于17nA.分布放大器-3dB带宽接近20GHz,跨阻增... 详细信息
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生长源流量对SiC外延生长的影响
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半导体技术 2008年 第S1期33卷 266-268页
作者: 李赟 李哲洋 董逊 陈辰 中国电子科技集团公司第五十五研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室 南京210016
使用水平热壁式化学气相沉积系统,固定生长源碳硅比(C/Si),改变生长源流量,在偏向〈1120〉方向8°的4H-SiC(0001)衬底上进行了一系列同质外延实验,研究了生长源流量对外延速率和掺杂浓度的影响。样品表面形貌通过原子力显微镜(AFM)... 详细信息
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GaN HFET中的噪声
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中国电子科学研究院学报 2009年 第2期4卷 125-131页
作者: 薛舫时 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室 南京210016
从GaN异质结沟道阱中电子状态出发研究了HFET中的噪声产生机理。用沟道阱中子带间散射解释了迁移率起伏引起的1/f噪声。从电子状态转移不同状态间的跃迁出发解释了各类噪声实验结果。建立了沟道阱能带与HFET噪声性能间的关联。运用正... 详细信息
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GaN HFET的沟道夹断特性和强电场下的电流崩塌
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微纳电子技术 2006年 第10期43卷 453-460,469页
作者: 薛舫时 陈堂胜 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室 南京210016
从自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程出发,研究了纵、横向电场作用下GaNHFET沟道中的电子态和夹断特性。建立了不同异质结构和电场梯度下的电荷控制模型;运用热电子隧穿电流崩塌模型解释了强场电流崩塌的实验结果;强调了沟道夹断特性对... 详细信息
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微波功率AlGaN/GaN HFET的二维能带和异质结构设计
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中国电子科学研究院学报 2007年 第5期2卷 456-463页
作者: 薛舫时 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室 南京210016
在综述微波功率AlGaN/GaN HFET技术发展趋势基础上,提出了二维异质结能带优化设计的新课题。从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发研究了利用异质界面上的极化电荷来剪裁异质结能带。用极化电荷设计近矩形前势垒能增大高能热电子的隧穿... 详细信息
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基于4H-SiC肖特基二极管的中子探测器
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原子能科学技术 2013年 第4期47卷 664-668页
作者: 蒋勇 吴健 韦建军 范晓强 陈雨 荣茹 邹德慧 李勐 柏松 陈刚 李理 四川大学原子与分子物理研究所 四川成都610065 中国工程物理研究院核物理与化学研究所 四川绵阳621900 南京电子器件研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室 江苏南京210016
针对当前极端环境下耐辐照半导体中子探测器的需求,采用耐高温、耐辐照的碳化硅宽禁带半导体材料,利用6 Li(n,α)3 H核反应原理,研制了基于4H-SiC肖特基二极管的中子探测器。利用磁控溅射完成中子转化层的制作,并用SEM表征6 LiF膜厚。... 详细信息
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