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  • 64 篇 电子文献
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机构

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  • 15 篇 南京电子器件研究...
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  • 5 篇 单片集成电路及模...
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  • 3 篇 单片集成电路与模...
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  • 1 篇 广西大学
  • 1 篇 四川大学
  • 1 篇 上海索辰信息科技...

作者

  • 25 篇 陈堂胜
  • 25 篇 陈辰
  • 22 篇 任春江
  • 17 篇 焦刚
  • 14 篇 钟世昌
  • 12 篇 李忠辉
  • 11 篇 董逊
  • 10 篇 chen chen
  • 9 篇 李拂晓
  • 9 篇 张斌
  • 9 篇 chen tangsheng
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  • 6 篇 薛舫时
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语言

  • 64 篇 中文
检索条件"机构=单片集成电路及模块电路国家重点实验室"
64 条 记 录,以下是11-20 订阅
排序:
L波段GaN大功率高效率准单片功率放大器
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固体电子学研究与进展 2017年 第6期37卷 384-388页
作者: 蔺兰峰 周衍芳 黎明 陶洪琪 单片集成电路与模块国家重点实验室 南京电子器件研究所南京210016
研制了一款基于NEDI 0.25μm GaN功率MMIC工艺的L波段大功率高效率准单片功率放大器。采用两级拓扑结构,以准单片形式实现。输入采用有耗匹配网络提高芯片的稳定性,级间和末级匹配均采用无耗纯电抗网络,其中末级匹配电路通过低损耗陶瓷... 详细信息
来源: 评论
凹槽栅场调制板结构AlGaN/GaN HEMT
收藏 引用
Journal of Semiconductors 2007年 第z1期28卷 398-401页
作者: 陈堂胜 王晓亮 焦刚 钟世昌 任春江 陈辰 李拂晓 南京电子器件研究所 单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016 中国科学院半导体研究所北京100083 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016
研制的SiC衬底上的AlGaN/GaN微波功率HEMTs,采用凹槽栅和场调制板结构有效抑制了器件的电流崩塌,提高了器件的击穿电压和器件的微波功率特性.研制的1mm栅宽器件在8GHz,34V工作电压下,饱和输出功率达到了9.05W,功率增益为7.5dB,功率附加... 详细信息
来源: 评论
功率平衡基础上的基波分析法
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电子学报 2007年 第10期35卷 1994-1998页
作者: 黄炳华 钮利荣 蔺兰峰 孙春妹 广西大学电气工程学院 广西南宁530004 单片集成电路和模块国家重点实验室 江苏南京210016
在非线性网络的适当端口施加正弦电压源Us.用基波平衡原理求得注入网络的基波电流is1.当is1=0时,正弦电压源的频率和幅值被称为基波解.如果能求出n个基波解,则原网络必然也对应的存在有n个周期解.如果基波解不存在,则原网络的周期解也... 详细信息
来源: 评论
SiN钝化前的NF_3等离子体处理对AlGaN/GaN HEMT性能的影响
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Journal of Semiconductors 2008年 第12期29卷 2385-2388页
作者: 任春江 陈堂胜 焦刚 陈刚 薛舫时 陈辰 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室 南京210016
研究了Si N钝化前利用感应耦合等离子体(ICP)对Al GaN/GaN HEMT表面进行NF3等离子体处理对器件性能的影响.结果表明,运用低能量的NF3等离子体处理钝化前的Al GaN/GaN HEMT表面能有效抑制器件电流崩塌,而器件直流微波小信号特性则未受... 详细信息
来源: 评论
SiC衬底AlGaN/GaN HEMT的ICP通孔刻蚀
收藏 引用
Journal of Semiconductors 2008年 第12期29卷 2408-2411页
作者: 任春江 陈堂胜 柏松 徐筱乐 焦刚 陈辰 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室 南京210016
利用ICP对研制的SiC衬底上Al GaN/GaN HEMT刻蚀获得了深度为50μm的接地通孔.器件通孔制作前首先用机械研磨的方法将衬底减薄至50μm,在背面蒸发Ti/Ni并电镀Ni至3μm作为刻蚀阻挡层;之后利用SF6/O2混合气体的电感耦合等离子体对SiC衬底... 详细信息
来源: 评论
14W X-Band AlGaN/GaN HEMT Power MMICs
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Journal of Semiconductors 2008年 第6期29卷 1027-1030页
作者: 陈堂胜 张斌 任春江 焦刚 郑维彬 陈辰 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室 南京210016
The development of an AIGaN/GaN HEMT power MMIC on SI-SiC designed in microstrip technology is pres- ented. A recessed-gate and a field-plate are used in the device processing to improve the performance of the AIGaN/G... 详细信息
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Ka波段低相位噪声GaAs MHEMT单片压控振荡器
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固体电子学研究与进展 2009年 第3期29卷 352-355页
作者: 王维波 王志功 张斌 康耀辉 吴礼群 杨乃彬 东南大学射频与光电集成电路研究所 南京210096 单片集成电路与模块国家重点实验室 南京210016 南京电子器件研究所 南京210016
报道了一种低相位噪声VCOMMIC芯片,采用传统的源端反馈形成负阻来消除谐振回路中的寄生电阻,通过合理的输出匹配实现起振条件并抑制谐波,利用南京电子器件研究所0.15μmGaAsMHEMT工艺,研制的Ka波段GaAsMHEMT压控振荡器,典型振荡频率为39... 详细信息
来源: 评论
MMIC用NiFe-SiO_x磁性金属颗粒膜电感研究
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固体电子学研究与进展 2010年 第2期30卷 208-211页
作者: 孔岑 李辉 张万里 陈辰 陈效建 电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054 南京电子器件研究所 单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016
在蓝宝石基的氮化镓衬底上采用射频磁控溅射结合剥离的方法制作了NiFe-SiOx磁性金属颗粒膜,利用PECVD淀积绝缘层,制备出"SiN绝缘层/NiFe-SiOx薄膜/SiN绝缘层/金属线圈"结构的平面电感。测试表明,对于单圈电感,与无磁膜结构相... 详细信息
来源: 评论
SiC基AlGaN/GaN HEMTs外延工艺研究
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半导体技术 2008年 第S1期33卷 140-142页
作者: 李忠辉 董逊 任春江 李亮 焦刚 陈辰 陈堂胜 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室 南京210016
利用MOCVD研究了SiC衬底Al GaN/GaN HEMTs材料外延生长工艺。所研制GaNHEMTs外延材料的2DEG方块电阻不均匀性约为2%,n×μ达到2.2×1016/V.s(温)。采用上述材料制作1mm栅宽HEMTs器件,8GHz、45V工作时输出功率密度10.52W/mm,... 详细信息
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高性能半绝缘4H-SiC衬底AlGaN/GaN HEMT
收藏 引用
半导体技术 2008年 第S1期33卷 80-82,90页
作者: 任春江 李忠辉 焦刚 钟世昌 董逊 薛舫时 陈辰 陈堂胜 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室 南京210016
利用南京电子器件研究所的MOCVD设备在半绝缘4H-SiC衬底外延生长了Al GaN/GaN异质结,运用该材料研制了8GHz输出功率密度10.52W/mm的HEMT器件。非接触霍尔测试表明,经过优化的Al GaN/GaN异质结材料中的二维电子气(2DEG)面密度为1.0×... 详细信息
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