检索结果-内蒙古大学图书馆

电子与封装 2008年第10期8卷 10-13页

作者：成海峰张斌南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016

设计了一种适用于对MMIC功率放大器进行合成的新型功率合成器。采用多端口网络理论对功率合成结构进行分析,结合MMIC功放单片的工作特点总结出该功率合成器最重要的设计指标,设计出工作在5GHz^6GHz的16路辐射线型功率合成器。通过测试... 详细信息

设计了一种适用于对MMIC功率放大器进行合成的新型功率合成器。采用多端口网络理论对功率合成结构进行分析,结合MMIC功放单片的工作特点总结出该功率合成器最重要的设计指标,设计出工作在5GHz^6GHz的16路辐射线型功率合成器。通过测试发现该功率合成器的驻波<1.5dB,各端口幅度不平衡度<±0.4dB,相位不平衡度<±2°,并具有较好的隔离度,整个功率合成器的直径小于56mm,非常适合用于C波段大功率的合成。最终采用该功率合成器在5GHz^6GHz的工作频率内成功获得160W的合成功率。

关键词：合成器辐射线功率合成结构多端口网络大功率

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高性能半绝缘4H-SiC衬底AlGaN/GaN HEMT

高性能半绝缘4H-SiC衬底AlGaN/GaN HEMT

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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：任春江李忠辉焦刚钟世昌董逊薛舫时陈辰陈堂胜南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室

利用南京电子器件研究所的MOCVD设备在半绝缘4H-SiC衬底外延生长了AlGaN/GaN异质结,运用该材料研制了8 GHz输出功率密度10.52 W/mm的HEM器件。非接触霍尔测试表明,经过优化的AlGaN/GaN异质结材料中的二维电子气（2DEG）面密度为1.0×... 详细信息

利用南京电子器件研究所的MOCVD设备在半绝缘4H-SiC衬底外延生长了AlGaN/GaN异质结,运用该材料研制了8 GHz输出功率密度10.52 W/mm的HEM器件。非接触霍尔测试表明,经过优化的AlGaN/GaN异质结材料中的二维电子气（2DEG）面密度为1.0×10cm,迁移率达1 880 cm/V·s。在该材料上研制了栅长0.35μm带场板的AlGaN/GaNHEMT,小信号测试表明器件f为31.6 GHz,最高振荡频率f为36.8 GHz。研制的1 mm栅宽器件8 GHz、45 V工作电压下饱和输出功率为10.52 W,功率增益和功率附加效率分别为7.62 dB和45.8%。

关键词：氧化镓铝/氮化镓高电子迁移率晶体管电流崩塌

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用于SIP系统的三维多层LTCC延迟线设计

用于SIP系统的三维多层LTCC延迟线设计

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2009年全国微波毫米波会议

作者：张华陈安定於晓峰丁玉宁王子良戴雷南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室

本文设计了基于LTCC基板的三维多层微波延迟线,用于SIP系统。采用同轴线的概念,设计了类同轴垂直转换结构,以提供多层传输线间的连接。设计了多层弯折延迟线,对延迟线进行了三维全波电磁仿真优化,获得了较好的信号完整性:并在4～8GHz频... 详细信息

本文设计了基于LTCC基板的三维多层微波延迟线,用于SIP系统。采用同轴线的概念,设计了类同轴垂直转换结构,以提供多层传输线间的连接。设计了多层弯折延迟线,对延迟线进行了三维全波电磁仿真优化,获得了较好的信号完整性:并在4～8GHz频率内,分别获得了0.2nS和0.55nS的延迟时间。

关键词：三维微波延迟线 LTCC多层基板类同轴垂直转换 SIP

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大功率低插损氮化镓单刀双掷射频开关

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微电子学 2024年

作者：周英杰侯文杰张翼杨磊南京邮电大学集成电路科学与工程学院南京国博电子股份有限公司射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室东南大学毫米波国家重点实验室微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室

基于0.25 μm GaN HEMT工艺设计了工作在0.4 GHz～6 GHz的单刀双掷(SPDT)射频开关芯片。为降低插入损耗，设计中通过在端口添加电感的方式进行端口电容补偿；为减小芯片面积，采用金丝键合等效电感的方式，同时版图设计中去除了传统的... 详细信息

基于0.25 μm GaN HEMT工艺设计了工作在0.4 GHz～6 GHz的单刀双掷(SPDT)射频开关芯片。为降低插入损耗，设计中通过在端口添加电感的方式进行端口电容补偿；为减小芯片面积，采用金丝键合等效电感的方式，同时版图设计中去除了传统的传输线连接，串管与并管均直接连接到同一个信号焊盘，有效降低了传输线造成的损耗，也大幅度减小了芯片的面积。此外，并管使用管芯叠加的方式，通过平均分压增加了芯片的功率容量。芯片流片测试结果表明：插入损耗小于0.5 dB，隔离度大于21 dB，回波损耗大于20 dB，功率容量P-0.1dB为48 dBm，脉冲测试下P-0.1 dB为52 dBm，面积仅为1 mm2。

关键词：大功率低插损单刀双掷射频开关氮化镓高电子迁移率晶体管

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GaN MSM型紫外探测器

GaN MSM型紫外探测器

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2007年全国微波毫米波会议

作者：姜文海陈辰李忠辉周建军董逊南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室

采用以MOCVD设备生长的宽带隙非故意掺杂的n-GaN材料制备了金属-半导体-金属型的紫外光电探测器。在1.5V偏压下具有陡峭的截止边,表现出可见盲特性,其响应度为0.71A/W,峰值在362nm处,紫外/可见抑制比接近10～3。通过击穿单侧肖特基结对... 详细信息

采用以MOCVD设备生长的宽带隙非故意掺杂的n-GaN材料制备了金属-半导体-金属型的紫外光电探测器。在1.5V偏压下具有陡峭的截止边,表现出可见盲特性,其响应度为0.71A/W,峰值在362nm处,紫外/可见抑制比接近10～3。通过击穿单侧肖特基结对另一侧的肖特基结进行了测试,并以此对器件的工作方式和设计优化进行了分析。

关键词：紫外探测器可见盲宽带隙

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GaAs Ti/Pt/Au栅PHEMT单片集成电路耐氢能力的提升

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电子与封装 2019年第3期19卷 30-34页

作者：彭龙新邹雷王朝旭林罡徐波吴礼群单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016 南京电子器件研究所南京210016

为提高GaAs Au/Pt/Ti栅PHEMT MMIC放大器耐氢气的能力,提出了在PHEMT栅上加厚Si N钝化层的方法,并通过高温加速氢气试验验证了该方法的有效性。耗尽型D管的钝化层由150 nm加厚到300 nm后,在150℃加速下,耐氢气浓度和耐受时间由原来的140... 详细信息

为提高GaAs Au/Pt/Ti栅PHEMT MMIC放大器耐氢气的能力,提出了在PHEMT栅上加厚Si N钝化层的方法,并通过高温加速氢气试验验证了该方法的有效性。耗尽型D管的钝化层由150 nm加厚到300 nm后,在150℃加速下,耐氢气浓度和耐受时间由原来的14000×10-6、40 h提升到30000×10-6、110 h (电流还未出现明显下降),耐氢能力得到了明显提升。为了维护管子的微波性能,增强型E管采用多层Si N钝化,总厚度加厚到600 nm后,在150℃加速下,耐氢气浓度和耐受时间可达到20000×10-6、115 h (电流还未出现明显下降),满足实际应用要求。

关键词： GaAsTi/Pt/Au栅耗尽型PHEMT 增强型PHEMT 微波单片集成电路氢退化耐氢能力

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GaAs单片二极管双平衡混频器

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电子与封装 2010年第9期10卷 31-33页

作者：陈坤彭龙新李建平南京电子器件研究所南京210016 单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016

采用0.25μm的GaAs工艺制作了一款单片二极管双平衡混频器。基于环形二极管双平衡混频器的基本工作原理,提出了LO巴伦与RF巴伦的区别所在,并以Marchand巴伦为LO巴伦,以triformer巴伦作为RF巴伦。在优化了局部电路后,再与环形二极管组成... 详细信息

采用0.25μm的GaAs工艺制作了一款单片二极管双平衡混频器。基于环形二极管双平衡混频器的基本工作原理,提出了LO巴伦与RF巴伦的区别所在,并以Marchand巴伦为LO巴伦,以triformer巴伦作为RF巴伦。在优化了局部电路后,再与环形二极管组成整体电路,并对整体电路进行了优化。最后对版图进行EM仿真,并稍作调整以改善EM仿真结果。当本振功率在13dBm时,实测得转换损耗在低本振和高本振下约为11.5dB和10.5dB,LO端口到IF端口和RF端口隔离度分别为30dB和35dB,LO端口和RF端口驻波分别小于2和3.5,实测结果与仿真结果基本一致。

关键词：双平衡混频器环形二极管巴伦微波单片集成电路转换损耗

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C波段窄带腔体滤波器设计

C波段窄带腔体滤波器设计

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2007年全国微波毫米波会议

作者：张华孙健陶若燕南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室

本文对同轴腔体滤波器的电磁结构模型进行了理论分析,得出计算谐振腔体间耦合系数的公式,以及谐振单元本征值等关键参数,并应用三维电磁仿真软件进行分析、优化,最后对滤波器实物进行测试,实测与仿真结果吻合。与传统的C波段腔体、波导... 详细信息

本文对同轴腔体滤波器的电磁结构模型进行了理论分析,得出计算谐振腔体间耦合系数的公式,以及谐振单元本征值等关键参数,并应用三维电磁仿真软件进行分析、优化,最后对滤波器实物进行测试,实测与仿真结果吻合。与传统的C波段腔体、波导窄带带通滤波器相比,该同轴腔体滤波器实现了小型化。

关键词：窄带同轴腔体滤波器全波分析耦合系数本征值

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高功率GaN微波功率放大模块及其应用

高功率GaN微波功率放大模块及其应用

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2010’全国半导体器件技术研讨会

作者：唐世军徐永刚陈堂胜任春江钟世昌陈辰南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室

采用GaN微波功率HEMT 0.4 mm和2 mm管芯,应用GaAs匹配电路实现C波段微波功率模块。该器件研制中采用两级放大电路,正负电源结构,在5.5 GHz,28 V工作电压下,饱和输出功率达到了14 W,此时功率增益为20 dB、功率附加效率(PAE)为46%。实现... 详细信息

采用GaN微波功率HEMT 0.4 mm和2 mm管芯,应用GaAs匹配电路实现C波段微波功率模块。该器件研制中采用两级放大电路,正负电源结构,在5.5 GHz,28 V工作电压下,饱和输出功率达到了14 W,此时功率增益为20 dB、功率附加效率(PAE)为46%。实现了低电流、高效、高可靠性、可实用的功率模块。

关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管功率放大模块

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SiC基AlGaN/GaN HEMTs外延工艺研究

SiC基AlGaN/GaN HEMTs外延工艺研究

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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：李忠辉董逊任春江李亮焦刚陈辰陈堂胜南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室

利用MOCVD研究了SiC衬底AlGaN/GaN HEMTs材料外延生长工艺。所研制GaNHEMTs外延材料的2DEG方块电阻不均匀性约为2%,n×μ达到2.2×10/V·s（室温）。采用上述材料制作1 mm栅宽HEMTs器件,8 GHz、45 V工作时输出功率密度10.52... 详细信息

利用MOCVD研究了SiC衬底AlGaN/GaN HEMTs材料外延生长工艺。所研制GaNHEMTs外延材料的2DEG方块电阻不均匀性约为2%,n×μ达到2.2×10/V·s（室温）。采用上述材料制作1 mm栅宽HEMTs器件,8 GHz、45 V工作时输出功率密度10.52 W/mm,功率增益7.62 dB,功率附加效率45.8%,表明该外延材料具有较好的微波应用潜力。

关键词：碳化硅氮化镓高电子迁移率晶体管

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