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作者

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  • 25 篇 陈辰
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  • 12 篇 李忠辉
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语言

  • 64 篇 中文
检索条件"机构=单片集成电路及模块电路国家重点实验室"
64 条 记 录,以下是41-50 订阅
排序:
0.5μm GaN HEMT其可靠性
0.5μm GaN HEMT及其可靠性
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2012全国第十四届微波集成电路与移动通信学术年会
作者: 任春江 王泉慧 刘海琪 王雯 李忠辉 孔月婵 蒋浩 钟世昌 陈堂胜 张斌 南京电子器件研究所 单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016
文中报道了采用Ⅰ线步进光刻实现的3英寸SiC衬底0.5μm GaN HEMT其可靠性.器件正面工艺光刻均采用了Ⅰ线步进光刻来实现,背面采用通孔接地.研制的GaN HEMT器件fT为15GHz,fm.为24GHz,6GHz下MSG为17dB,满足C波段以下频段应用要求.1.2... 详细信息
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势垒层和插入层厚度对AlGaN/GaN异质结性质的影响
势垒层和插入层厚度对AlGaN/GaN异质结性质的影响
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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者: 李忠辉 董逊 南京电子器件研究所 单片集成电路与模块国家重点实验室210016
利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)在蓝宝石衬底上外延生长AlGaN/AlN/GaN异质结材料,通过Hall效应测试并分析了AlN和AlGaN层厚度对2DEG密度和方阻的影响,优化异质结构,以汞探针CV、非接触电学测试方法表征了样品的2DEG浓度分布和方阻... 详细信息
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原位掩模生长时间与GaN外延层性质的关系
原位掩模生长时间与GaN外延层性质的关系
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第十届固体薄膜会议
作者: 李忠辉 董逊 张岚 南京电子器件研究所,单片集成电路与模块国家重点实验室,南京 210016
利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长了低温SiNx 纳米尺寸掩模GaN/SiNx/Al2O3 外延结构,研究了SiH4处理时间与GaN外延层的晶体质量、发光电学性质的关系。当SiH4 处理时间为120s 时,GaN 外延层中刃位错和螺位错密度、光致发... 详细信息
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磁控溅射AlN介质的AlGaN/GaN MIS-HEMT
磁控溅射AlN介质的AlGaN/GaN MIS-HEMT
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全国第十二届微波集成电路与移动通信学术会议
作者: 任春江 陈堂胜 焦刚 钟世昌 薛舫时 陈辰 南京电子器件研究所 单片集成电路与模块国家重点实验室南京 210016
本文报道了一种X波段输出功率密度达10.4W/mm的SiC衬底AlGaN/GaN MIS-HEMT.器件研制中采用了MIS结构、凹槽栅以场板,其中MIS结构中采用了磁控溅射的AlN介质作为绝缘层.采用MIS结构后,器件击穿电压由80V提高到了180V以上,保证了器件能... 详细信息
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原位生长SiNx缓冲层对GaN薄膜特性的影响
原位生长SiNx缓冲层对GaN薄膜特性的影响
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第六届全国毫米波亚毫米波学术会议
作者: 李忠辉 董逊 张岚 南京电子器件研究所 单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016
本文利用LP-MOCVD在蓝宝石衬底上生长了带有薄SiNx缓冲层的GaN薄膜,并研究了SiH4流量对晶体质量、发光电学特性的影响.实验发现GaN薄膜中刃位错和螺位错密度均随SiH4流量的增加而增加,最小值分别达到4.28×109 cm-2和1.3×108... 详细信息
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高性能半绝缘4H-SiC衬底AlGaN/GaN HEMT研制
高性能半绝缘4H-SiC衬底AlGaN/GaN HEMT研制
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者: 任春江 李忠辉 焦刚 钟世昌 董逊 薛舫时 陈辰 陈堂胜 南京电子器件研究所 单片集成电路与模块国家重点实验室南京 210016
文中利用南京电了器件研究所的MOCVD设备在半绝缘4H-SiC衬底外延生长了AlGaN/GaN异质结,运用该材料研制了8GHz输出功率密度10.52W/mm的HEMT器件。非接触霍尔测试表明经过优化的AlGaN/GaN异质结材料中的二维电子气(2DEG)面密度为1.0×... 详细信息
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1 mm栅宽X波段10 W AlGaN/GaN微波功率HEMT
1 mm栅宽X波段10 W AlGaN/GaN微波功率HEMT
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第六届全国毫米波亚毫米波学术会议
作者: 陈堂胜 焦刚 钟世昌 任春江 陈辰 李拂晓 南京电子器件研究所 单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016
本文介绍了在X波段输出功率为10 W的AlGaN/GaN微波功率HEMT.该器件采用MOCVD技术在SiC衬底上生长AlGaN/GaN异质结,器件研制中采用了凹槽栅和场调制板结构.凹槽栅使得器件的跨导由216 mS/mm上升到了325 mS/mm,结合采用的场调制板减小了... 详细信息
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微波宽禁带半导体走向实用化
微波宽禁带半导体走向实用化
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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者: 邵凯 南京电子器件研究所 单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016
近来美日各大公司纷纷推出移动通信基站用的GaN HEMT大功率管产品,而与此同时美国DARPA支持的军用GaN HEMT正在艰苦攻关.文章分析了军民两种应用对器件要求的差异,指出高压工作时的长寿命是当前的难点.同时指出SiC MESFET已解决了高压... 详细信息
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X-波段AlGaN/GaN HEMT功率MMIC
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固体电子学研究与进展 2007年 第3期27卷 F0003-F0003页
作者: 陈堂胜 张斌 焦刚 任春江 陈辰 邵凯 杨乃彬 单片集成电路与模块国家重点实验室 南京电子器件研究所南京210016
AIGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)以其高输出功率密度、高电压工作和易于宽带匹配等优势将成为下一代高频固态微波功率器件。微波功率器件主要有内匹配功率管和功率单片微波集成电路(MMIC)两种结构形式,功率MMIC尽管其研制成本... 详细信息
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8bit1.4GS/s模数转换器
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固体电子学研究与进展 2010年 第1期30卷 F0003-F0003页
作者: 张有涛 李晓鹏 刘奡 张敏 钱峰 陈辰 单片集成电路与模块国家重点实验室 南京电子器件研究所南京210016
超高速模数转换器(ADC)是软件无线电、高速数据采集和宽带数字化雷达的关键组成部分.附带校准技术的折叠内插ADC具有等同快闪(FLASH)ADC的高转换速度,是设计超高速ADC的最佳选择,但仍需综合考虑各项指标来时行校准方法设计芯片架构优化.
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