检索结果-内蒙古大学图书馆

电子工业专用设备 2017年第4期46卷 30-34页

作者：杜国平朱健郁元卫姜理利南京电子器件研究所江苏南京210016 单片集成电路与模块国家重点实验室江苏南京210016

利用静电驱动原理设计了一种新颖的射频硅膜RF MEMS开关,其开关的优点在于:巧妙的运用CPW传输线的地线作为下电极,加大了开关驱动面积,减小了驱动电压;利用硅膜作为结构层,利用硅本身优良的机械特性可提高开关的可靠性;具有静电接触式... 详细信息

利用静电驱动原理设计了一种新颖的射频硅膜RF MEMS开关,其开关的优点在于:巧妙的运用CPW传输线的地线作为下电极,加大了开关驱动面积,减小了驱动电压;利用硅膜作为结构层,利用硅本身优良的机械特性可提高开关的可靠性;具有静电接触式开关低频隔离度的优点。通过流片得到了满意的开关样品,测试结果表明:在DC-6 GHz频率范围内,开关的插入损耗小于0.5 dB,隔离度大于30 dB。

关键词：射频MEMS 开关硅膜

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

C波段连续波60W AlGaN/GaN功率管及其应用

C波段连续波60W AlGaN/GaN功率管及其应用

引用

2013年全国微波毫米波会议

作者：钟世昌陈堂胜景少红任春江陈辰高涛南京电子器件研究所南京210016 单片集成电路及模块电路国家重点实验室南京210016 南京电子器件研究所南京210016

本文通过设计C波段连续波60W GaN内匹配功率管,研究了内匹配电路的设计、合成以及内匹配电路的测试,实现了GaN功率HEMT在C波段60W连续波输出功率的内匹配电路,并使整个电路的输入、输出电路阻抗提升至50Ω.最终所研制的AlGaN/GaN C波段... 详细信息

本文通过设计C波段连续波60W GaN内匹配功率管,研究了内匹配电路的设计、合成以及内匹配电路的测试,实现了GaN功率HEMT在C波段60W连续波输出功率的内匹配电路,并使整个电路的输入、输出电路阻抗提升至50Ω.最终所研制的AlGaN/GaN C波段内匹配功率管在28V漏电压,5.3～5.9GHz频带内输出功率大于60W,最高功率输出77.6W,带内功率增益大于10dB,最大功率附加效率52.9％,充分展示了GaN功率器件在性能上的优势.

关键词：氮化镓功率管内匹配电路设计理念输出功率

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺的4GS/s、14 bit数模转换器

引用

南京邮电大学学报（自然科学版） 2024年第3期44卷 42-47页

作者：张翼戚骞张有涛韩春林王洋张长春郭宇锋南京邮电大学集成电路科学与工程学院江苏南京210023 射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室江苏南京210023 东南大学毫米波国家重点实验室江苏南京210096 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室江苏南京210016 南京国博电子股份有限公司江苏南京210016 南京工业职业技术大学电子信息工程学院、集成电路学院江苏南京210023

基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计了超高速高精度数模转换器(DAC),其时钟采样率为4 GS/s、精度为14 bit。为满足4 GHz处理速度,该DAC中所有电路均采用异质结晶体管(HBTs)搭建。为了降低功耗和节约面积,本设计采用10+4分段译码的方式,... 详细信息

基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计了超高速高精度数模转换器(DAC),其时钟采样率为4 GS/s、精度为14 bit。为满足4 GHz处理速度,该DAC中所有电路均采用异质结晶体管(HBTs)搭建。为了降低功耗和节约面积,本设计采用10+4分段译码的方式,其中低10位电流舵使用R-2R梯形电阻网络,而高4位使用温度计码结构。仿真结果表明,所设计DAC的DNL、INL分别为0.54 LSB和0.39 LSB,全奈奎斯特频域内的无杂散动态范围均大于82 dBc。在3.3 V和5 V混合电源供电下,整个DAC的平均功耗为2.39 W。芯片总面积为11.22 mm^(2)。

关键词：数模转换器 SiGe HBT 电流模逻辑电流舵

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

基于MEMS圆片级封装/通孔互联技术的SIP技术

引用

固体电子学研究与进展 2011年第2期31卷 F0003-F0003页

作者：朱健吴璟贾世星姜国庆南京电子器件研究所南京210016 单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016

随着科学技术的发展，3DSIP（System—in—package）技术已成为世界热点。基于MEMS圆片级封装WLP（Wafer—level packaging）的SIP技术是目前3DSIP最重要技术之一，

关键词：圆片级封装 IP技术 MEMS 互联技术通孔 level 科学技术

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

E面耦合窄带波导滤波器的快速设计方法

E面耦合窄带波导滤波器的快速设计方法

引用

2007年全国微波毫米波会议

作者：张华王勇丁振宇南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室上海索辰信息科技有限公司

本文描述了一种基于全波综合CAD软件WASP-NET的小型化窄带波导滤波器快速设计方法,通过设定指标要求,由CAD软件自动全波地综合得到初始设计,然后对设计结果进行评估,选出性能和尺寸都符合要求的,进一步,可以用WASP-NET优化,或采用其他... 详细信息

本文描述了一种基于全波综合CAD软件WASP-NET的小型化窄带波导滤波器快速设计方法,通过设定指标要求,由CAD软件自动全波地综合得到初始设计,然后对设计结果进行评估,选出性能和尺寸都符合要求的,进一步,可以用WASP-NET优化,或采用其他工具进行对照验证。这种设计方法能够在较短的时间内获得较好的设计结果,是一种值得推广的现代波导滤波器设计方法。

关键词：波导滤波器综合 CAD

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

基于LTCC技术的SIW元件集成设计与工艺

基于LTCC技术的SIW元件集成设计与工艺

引用

全国第十二届微波集成电路与移动通信学术会议

作者：戴雷王子良陈继新中电科技集团五十五所南京 210016 单片集成电路与模块国家重点实验室南京 210016 东南大学南京 210000

基于LTCC技术设计了一个三腔SIW(介质集成波导)滤波器以及集成该滤波器的RF前端MCM模块.并通过LTCC工艺加工了上述滤波器和MCM模块多层基板,对其进行组装、测试和分析.测试曲线与结果与设计值较吻合,验证了LTCC基板集成SIW元件的可行性,... 详细信息

基于LTCC技术设计了一个三腔SIW(介质集成波导)滤波器以及集成该滤波器的RF前端MCM模块.并通过LTCC工艺加工了上述滤波器和MCM模块多层基板,对其进行组装、测试和分析.测试曲线与结果与设计值较吻合,验证了LTCC基板集成SIW元件的可行性,为LTCC无源元件的实现探索了一条新的途径.

关键词： LTCC技术 MCM滤波器介质集成波导集成设计

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

硅基射频微系统三维异构集成技术

引用

固体电子学研究与进展 2019年第3期39卷 F0003-F0003页

作者：郁元卫张洪泽黄旼朱健张斌单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016 南京电子器件研究所南京210016

南京电子器件研究所根据射频组件芯片化的发展趋势,在国内首先提出了硅基射频微系统架构,在203.2mm(8英寸)硅晶圆上,建立起了TSV射频转接板的设计/工艺能力,通过基于TSV射频转接板的三维异构集成先进工艺技术,制备出硅基首款38GHz异构... 详细信息

南京电子器件研究所根据射频组件芯片化的发展趋势,在国内首先提出了硅基射频微系统架构,在203.2mm(8英寸)硅晶圆上,建立起了TSV射频转接板的设计/工艺能力,通过基于TSV射频转接板的三维异构集成先进工艺技术,制备出硅基首款38GHz异构集成收发芯片,研制出4层硅片堆叠集成的X波段硅基变频芯片,形成了1.0版本的射频微系统工艺规则和多用户流程能力。TSV尺寸(30:200)μm,可以支持4层硅片的圆片级堆叠。该工艺架构在DC-40GHz的微波性能已通过了验证。

关键词：射频微系统异构集成

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

MOCVD生长Si基AlGaN/GaN HEMTs研究

MOCVD生长Si基AlGaN/GaN HEMTs研究

引用

第11届全国固体薄膜会议

作者：董逊李忠辉李亮任春江焦刚陈辰陈堂胜中国电子科技集团公司第五十五研究所单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016

MOCVD生长了无裂纹Si基GaN及AlGaN/GaN HEMTs外延材料.采用在高温AIN缓冲层上直接生长GaN缓冲层及HEMTs结构,分别研究了工艺条件对GaN晶体质量和HEMT电学性质的影响.制作并分析了200/μm GaN HEMT器件的直流和微波小信号特性。

关键词：外延材料电学性质信号特性缓冲层金属化学气相沉积晶体质量

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

7～13 GHz GaAs单片40W限幅低噪声放大器

引用

固体电子学研究与进展 2017年第5期37卷 F0003-F0003页

作者：彭龙新王溯源凌志健章军云徐波单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016 南京电子器件研究所南京210016

南京电子器件研究所首次研制出7～13GHz连续波40W大功率限幅器＋低噪声放大器集成单片。根据大功率和低噪声要求，将PIN二极管和低噪声PHEMT两种材料集成在同～GaAs衬底上，

关键词：低噪声放大器 GaAs衬底限幅器单片南京电子器件研究所 PIN二极管 PHEMT 大功率

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

基于0.7μm InP HBT工艺的10GS/s宽带Σ-Δ模数转换器设计

引用

中北大学学报（自然科学版） 2022年第6期43卷 554-559页

作者：张翼刘坤韩春林王洋张有涛李晓鹏杨磊郭宇锋南京邮电大学集成电路科学与工程学院江苏南京210023 射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室江苏南京210023 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室江苏南京210016 东南大学毫米波国家重点实验室江苏南京210096 南京工业职业技术大学江苏南京210023 南京国博电子股份有限公司江苏南京210016

基于0.7μm InP HBT工艺,设计了连续时间超高速宽带Σ-Δ模数转换器,其时钟采样率为10 GS/s.该模数转换器系统包括两级环路滤波器,一个2 bit ADC和一个2 bit DAC.为了方便测试,电路中还增加了2 bit DAC和输出缓冲电路.设计完成后的Σ-Δ... 详细信息

基于0.7μm InP HBT工艺,设计了连续时间超高速宽带Σ-Δ模数转换器,其时钟采样率为10 GS/s.该模数转换器系统包括两级环路滤波器,一个2 bit ADC和一个2 bit DAC.为了方便测试,电路中还增加了2 bit DAC和输出缓冲电路.设计完成后的Σ-ΔADC电路版图整体尺寸为1.58 mm×1.82 mm.电路后仿真结果表明:当时钟采样率为10 GS/s时,该ADC电路在输入信号频率为307 MHz时的带内无杂散动态范围为52.4 dB,信噪比为42.6 dB;在5 V电源电压下,电路的总功耗约为1.3 W.

关键词： Σ-Δ模数转换器 InP HBT工艺超高速宽带 2 bit数模转换器

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：