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  • 43 篇 期刊文献
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  • 64 篇 电子文献
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  • 2 篇 理学
    • 1 篇 数学
    • 1 篇 物理学

主题

  • 14 篇 高电子迁移率晶体...
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机构

  • 29 篇 南京电子器件研究...
  • 21 篇 单片集成电路与模...
  • 15 篇 南京电子器件研究...
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  • 5 篇 单片集成电路及模...
  • 3 篇 南京国博电子股份...
  • 3 篇 单片集成电路与模...
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  • 1 篇 单片集成电路及模...
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  • 1 篇 广西大学
  • 1 篇 四川大学
  • 1 篇 上海索辰信息科技...

作者

  • 25 篇 陈堂胜
  • 25 篇 陈辰
  • 22 篇 任春江
  • 17 篇 焦刚
  • 14 篇 钟世昌
  • 12 篇 李忠辉
  • 11 篇 董逊
  • 10 篇 chen chen
  • 9 篇 李拂晓
  • 9 篇 张斌
  • 9 篇 chen tangsheng
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  • 6 篇 薛舫时
  • 5 篇 彭龙新
  • 4 篇 朱健
  • 4 篇 li fuxiao
  • 4 篇 peng longxin
  • 4 篇 王子良

语言

  • 64 篇 中文
检索条件"机构=单片集成电路及模块电路国家重点实验室"
64 条 记 录,以下是51-60 订阅
排序:
硅膜RFMEMS开关
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电子工业专用设备 2017年 第4期46卷 30-34页
作者: 杜国平 朱健 郁元卫 姜理利 南京电子器件研究所 江苏南京210016 单片集成电路与模块国家重点实验室 江苏南京210016
利用静电驱动原理设计了一种新颖的射频硅膜RF MEMS开关,其开关的优点在于:巧妙的运用CPW传输线的地线作为下电极,加大了开关驱动面积,减小了驱动电压;利用硅膜作为结构层,利用硅本身优良的机械特性可提高开关的可靠性;具有静电接触式... 详细信息
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C波段连续波60W AlGaN/GaN功率管其应用
C波段连续波60W AlGaN/GaN功率管及其应用
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2013年全国微波毫米波会议
作者: 钟世昌 陈堂胜 景少红 任春江 陈辰 高涛 南京电子器件研究所 南京210016 单片集成电路及模块电路国家重点实验室 南京210016 南京电子器件研究所 南京210016
本文通过设计C波段连续波60W GaN内匹配功率管,研究了内匹配电路的设计、合成以内匹配电路的测试,实现了GaN功率HEMT在C波段60W连续波输出功率的内匹配电路,并使整个电路的输入、输出电路阻抗提升至50Ω.最终所研制的AlGaN/GaN C波段... 详细信息
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基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺的4GS/s、14 bit数模转换器
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南京邮电大学学报(自然科学版) 2024年 第3期44卷 42-47页
作者: 张翼 戚骞 张有涛 韩春林 王洋 张长春 郭宇锋 南京邮电大学集成电路科学与工程学院 江苏南京210023 射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室 江苏南京210023 东南大学毫米波国家重点实验室 江苏南京210096 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 江苏南京210016 南京国博电子股份有限公司 江苏南京210016 南京工业职业技术大学电子信息工程学院、集成电路学院 江苏南京210023
基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计了超高速高精度数模转换器(DAC),其时钟采样率为4 GS/s、精度为14 bit。为满足4 GHz处理速度,该DAC中所有电路均采用异质结晶体管(HBTs)搭建。为了降低功耗和节约面积,本设计采用10+4分段译码的方式,... 详细信息
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基于MEMS圆片级封装/通孔互联技术的SIP技术
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固体电子学研究与进展 2011年 第2期31卷 F0003-F0003页
作者: 朱健 吴璟 贾世星 姜国庆 南京电子器件研究所 南京210016 单片集成电路与模块国家重点实验室 南京210016
随着科学技术的发展,3DSIP(System—in—package)技术已成为世界热点。基于MEMS圆片级封装WLP(Wafer—level packaging)的SIP技术是目前3DSIP最重要技术之一,
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E面耦合窄带波导滤波器的快速设计方法
E面耦合窄带波导滤波器的快速设计方法
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2007年全国微波毫米波会议
作者: 张华 王勇 丁振宇 南京电子器件研究所 单片集成电路与模块国家重点实验室 上海索辰信息科技有限公司
本文描述了一种基于全波综合CAD软件WASP-NET的小型化窄带波导滤波器快速设计方法,通过设定指标要求,由CAD软件自动全波地综合得到初始设计,然后对设计结果进行评估,选出性能和尺寸都符合要求的,进一步,可以用WASP-NET优化,或采用其他... 详细信息
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基于LTCC技术的SIW元件集成设计与工艺
基于LTCC技术的SIW元件集成设计与工艺
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全国第十二届微波集成电路与移动通信学术会议
作者: 戴雷 王子良 陈继新 中电科技集团五十五所 南京 210016 单片集成电路与模块国家重点实验室 南京 210016 东南大学 南京 210000
基于LTCC技术设计了一个三腔SIW(介质集成波导)滤波器以集成该滤波器的RF前端MCM模块.并通过LTCC工艺加工了上述滤波器和MCM模块多层基板,对其进行组装、测试和分析.测试曲线与结果与设计值较吻合,验证了LTCC基板集成SIW元件的可行性,... 详细信息
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硅基射频微系统三维异构集成技术
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固体电子学研究与进展 2019年 第3期39卷 F0003-F0003页
作者: 郁元卫 张洪泽 黄旼 朱健 张斌 单片集成电路与模块国家重点实验室 南京210016 南京电子器件研究所 南京210016
南京电子器件研究所根据射频组件芯片化的发展趋势,在国内首先提出了硅基射频微系统架构,在203.2mm(8英寸)硅晶圆上,建立起了TSV射频转接板的设计/工艺能力,通过基于TSV射频转接板的三维异构集成先进工艺技术,制备出硅基首款38GHz异构... 详细信息
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MOCVD生长Si基AlGaN/GaN HEMTs研究
MOCVD生长Si基AlGaN/GaN HEMTs研究
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第11届全国固体薄膜会议
作者: 董逊 李忠辉 李亮 任春江 焦刚 陈辰 陈堂胜 中国电子科技集团公司第五十五研究所 单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016
MOCVD生长了无裂纹Si基GaNAlGaN/GaN HEMTs外延材料.采用在高温AIN缓冲层上直接生长GaN缓冲层HEMTs结构,分别研究了工艺条件对GaN晶体质量和HEMT电学性质的影响.制作并分析了200/μm GaN HEMT器件的直流和微波小信号特性。
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7~13 GHz GaAs单片40W限幅低噪声放大器
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固体电子学研究与进展 2017年 第5期37卷 F0003-F0003页
作者: 彭龙新 王溯源 凌志健 章军云 徐波 单片集成电路与模块国家重点实验室 南京210016 南京电子器件研究所 南京210016
南京电子器件研究所首次研制出7~13GHz连续波40W大功率限幅器+低噪声放大器集成单片。根据大功率和低噪声要求,将PIN二极管和低噪声PHEMT两种材料集成在同~GaAs衬底上,
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基于0.7μm InP HBT工艺的10GS/s宽带Σ-Δ模数转换器设计
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中北大学学报(自然科学版) 2022年 第6期43卷 554-559页
作者: 张翼 刘坤 韩春林 王洋 张有涛 李晓鹏 杨磊 郭宇锋 南京邮电大学集成电路科学与工程学院 江苏南京210023 射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室 江苏南京210023 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 江苏南京210016 东南大学毫米波国家重点实验室 江苏南京210096 南京工业职业技术大学 江苏南京210023 南京国博电子股份有限公司 江苏南京210016
基于0.7μm InP HBT工艺,设计了连续时间超高速宽带Σ-Δ模数转换器,其时钟采样率为10 GS/s.该模数转换器系统包括两级环路滤波器,一个2 bit ADC和一个2 bit DAC.为了方便测试,电路中还增加了2 bit DAC和输出缓冲电路.设计完成后的Σ-Δ... 详细信息
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