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  • 43 篇 期刊文献
  • 21 篇 会议

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  • 64 篇 电子文献
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机构

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作者

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语言

  • 64 篇 中文
检索条件"机构=单片集成电路及模块电路国家重点实验室"
64 条 记 录,以下是61-70 订阅
排序:
毫米波15 W GaAs单片大功率PIN限幅器
收藏 引用
固体电子学研究与进展 2018年 第4期38卷 F0003-F0003页
作者: 彭龙新 李真 翟明 单片集成电路与模块国家重点实验室 南京210016 南京电子器件研究所 南京210016
南京电子器件研究所研制出第一款Ka波段15 WGaAs单片大功率PIN限幅器。根据高频、大功率要求,优化了GaAs PIN二极管的Ⅰ层厚度和表面结构,优化了大、小信号模型。通过调整优化结构,在Φ50mm外延片上,研制出了10 W以上Ka波段大功率PIN限... 详细信息
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基于LTCC技术的SIW元件集成设计与工艺
收藏 引用
环球市场信息导报(理论) 2012年 第6期 45-46页
作者: 戴雷 王子良 陈继新 中电科技集团五十五所 江苏南京210016 单片集成电路与模块国家重点实验室 江苏南京210016 东南大学 江苏南京210000
基于LTCC技术设计了一个三腔SIW(介质集成波导)滤波器以集成该滤波器的RF前端MCM模块。并通过LTCC工艺加工了上述滤波器和MCM模块多层基板,对其进行组装、测试和分析。测试曲线与结果与设计值较吻合,验证了LTCC基板集成SIW元件的... 详细信息
来源: 评论
Si基AlGaN/GaN HEMT外延材料
Si基AlGaN/GaN HEMT外延材料
收藏 引用
第十届全国MOCVD学术会议
作者: 李忠辉 董逊 陈辰 张岚 单片集成电路与模块国家重点实验室 南京 210016 中国电子科技集团公司第五十五研究所 南京 210016
利用MOCVD研究了无裂纹Si基AlGaN/GaN HEMT结构的外延生长工艺。在Si(111)衬底上生长高温AlN缓冲层,然后直接生长GaN沟道层,AlN插入层和AlGaN层。探讨了AlGaN和AlN插入层的生长工艺、厚度对HEMT表面形貌和电学性质的影响。
来源: 评论
高功率AlGaN/GaN微波功率HEMT
高功率AlGaN/GaN微波功率HEMT
收藏 引用
第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者: 陈堂胜 王晓亮 焦刚 钟世昌 任春江 陈辰 李拂晓 南京电子器件研究所 单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016 中国科学院半导体研究所 北京100083
报告了研制的SiC衬底上的AlGaN/GaN微波功率HEMTs.器件研制中采用凹槽栅和场调制板结构,有效抑制了电流崩塌并提高了器件的击穿电压,提高了器件的微波功率特性.研制的1 mm栅宽器件在8GHz、34V工作电压下,饱和输出功率达到了9.05W,功率... 详细信息
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