检索结果-内蒙古大学图书馆

作者：姜文海陈辰周建军李忠辉董逊南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室南京 210016

本文中采用MOCVD生长的高Al含量n-AlxGa1-x制备了MSM结构紫外日盲探测器。材料为非故意掺杂n型,表面无裂缝。经二轴X射线衍射(TAXRD)对外延材料进行测试,AlxGa1-x半峰宽(FWHM)为155 arcsec,显示了良好的晶体质量。经光谱响应测试,探测... 详细信息

本文中采用MOCVD生长的高Al含量n-AlxGa1-x制备了MSM结构紫外日盲探测器。材料为非故意掺杂n型,表面无裂缝。经二轴X射线衍射(TAXRD)对外延材料进行测试,AlxGa1-x半峰宽(FWHM)为155 arcsec,显示了良好的晶体质量。经光谱响应测试,探测器存在两个峰值响应,波长分别位于255nm和365nm处,说明探测器同时具有日盲探测和双色探测特征。存6V偏压下255nm处响应度为0.1A/W,并以此推算出AlxGa1-xN材料的Al含量为0.66。

关键词： MSM结构紫外日盲探测器光电探测器化学气相沉积法半峰宽

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

Si掺杂对于n型Al0.5Ga0.5N的影响

Si掺杂对于n型Al0.5Ga0.5N的影响

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：李亮李忠辉董逊周建军孔月婵姜文海陈辰南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室南京 210016

AIN缓冲层技术在蓝宝石衬底上通过MOCVD方法成功制备出0.5μm的Si掺杂Al0.5Ga0.5N外延薄膜,并对其电学、光学与结构特性进行了研究。Hall测量表明,在室温下n型Al0.5Ga0.5N中的载流子浓度和迁移率分别为1.2×1019cm-3和12cm2/V&a... 详细信息

AIN缓冲层技术在蓝宝石衬底上通过MOCVD方法成功制备出0.5μm的Si掺杂Al0.5Ga0.5N外延薄膜,并对其电学、光学与结构特性进行了研究。Hall测量表明,在室温下n型Al0.5Ga0.5N中的载流子浓度和迁移率分别为1.2×1019cm-3和12cm2/V·s载流子浓度随Si掺杂量的增加而增大。利用XRD和Raman等测量方法研究了Zi掺杂Al0.5Ga0.5N薄膜晶格常数c和Raman散射谱随SiH4流量的变化。随着SiH4流量的增大,Al0.5Ga0.5N薄膜的晶格常数c变小同时E2声子峰发生红移。这表明掺Si后Al0.5Ga0.5N薄膜中的压应力得到了一定程度的弛豫。

关键词：氮化镓外延薄膜硅掺杂 MOCVD法蓝宝石衬底载流子浓度

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

一种改进的增强型GaNHEMT大信号模型

引用

半导体技术 2015年第12期40卷 904-910页

作者：陈秋芬李文钧刘军陆海燕韩春林杭州电子科技大学教育部射频电路与系统重点实验室杭州310037 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路国家级重点实验室南京210016

提出一种改进的增强型GaN HEMT器件建模大信号模型。模型沟道电流方程和电荷方程均连续且高阶可导,栅电荷模型满足电荷守恒原则。提出的沟道电流模型可精确拟合实际器件正、反向区、截止区以及亚阈值区的直流特性。根据GaN HEMT器件特... 详细信息

提出一种改进的增强型GaN HEMT器件建模大信号模型。模型沟道电流方程和电荷方程均连续且高阶可导,栅电荷模型满足电荷守恒原则。提出的沟道电流模型可精确拟合实际器件正、反向区、截止区以及亚阈值区的直流特性。根据GaN HEMT器件特有的物理结构和电学特性,器件的自热效应、电流崩塌效应以及跨导频率分布效应在模型中进行了考虑。模型采用Verilog-A语言进行描述,并编译、链接入Agilent ADS工具。验证结果表明,模型仿真和测试数据在宽的偏压和频率范围内得到很好地吻合。

关键词：增强型GaN HEMT 大信号模型沟道电流模型栅电荷模型 Verilog-A语言

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

AlGaN/GaN HFET中的陷阱位置和激活能

AlGaN/GaN HFET中的陷阱位置和激活能

引用

第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：薛舫时单片集成电路与模块国家级重点实验室南京电子器件研究所南京210016

自洽求解薛定谔方程和泊松方程得到异质结能带和沟道阱基态、激发态及二维表面态的波函数.研究了表面陷阱位置及其激活能.发现表面高密度缺陷减薄了势垒层厚度,显著增强了热电子隧穿过程.从缺陷态发射电子和热电子隧穿构成的新陷阱模型... 详细信息

自洽求解薛定谔方程和泊松方程得到异质结能带和沟道阱基态、激发态及二维表面态的波函数.研究了表面陷阱位置及其激活能.发现表面高密度缺陷减薄了势垒层厚度,显著增强了热电子隧穿过程.从缺陷态发射电子和热电子隧穿构成的新陷阱模型出发,解释了HFET的瞬态电流和产生-复合噪声.最后讨论了改进材料生长和器件工艺来抑制陷阱效应,改善器件性能的途径.

关键词： AlGaN GaN场效应管陷阱位置激活能表面缺陷热电子隧穿薛定谔方程异质结能带

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

S波段SiC MESFET微波功率MMIC

S波段SiC MESFET微波功率MMIC

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：柏松蒋幼泉陈辰陈刚冯忠钱峰陈征吴鹏任春江李哲洋郑惟彬单片集成电路与模块国家级重点实验室南京电子器件研究所南京 210016

利用本实验室生长的半绝缘衬底上的4H-SiC外延材料开展了SiC MESFET和删TC的工艺技术研究。在实现SiC衬底减薄和通孔技术的基础上,采用微带技术以及全套的无源器件,设计并研制了国内第一片SiC微波功率MMIC。研制的SiC MMIC工作频段为S波... 详细信息

利用本实验室生长的半绝缘衬底上的4H-SiC外延材料开展了SiC MESFET和删TC的工艺技术研究。在实现SiC衬底减薄和通孔技术的基础上,采用微带技术以及全套的无源器件,设计并研制了国内第一片SiC微波功率MMIC。研制的SiC MMIC工作频段为S波段,在1.8-3.4GHz的频带内小信号增益大于12dB,漏电压为32v时带内脉冲输出功率超过5w。SiC MMIC小信号特性达到了设计的预期,但输出功率低于设计值。这是由于受到MIM电容耐压能力的限制,SiC MMIC的工作电压比较低。进一步的优化工作正在进行中。

关键词：碳化硅外延材料微波功率器件无源器件

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

导通和半绝缘衬底上的SiC MESFET

导通和半绝缘衬底上的SiC MESFET

引用

第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：柏松陈刚李哲洋张涛汪浩蒋幼泉单片集成电路与模块国家级重点实验室南京电子器件研究所南京210016

本文分别在导通和半绝缘4H SiC衬底上生长了MESFET结构的外延并制成器件.两种衬底上的SiC MESFET具有类似的直流特性,饱和电流为350mA/mm,最大跨导为25-30 mS/mm,击穿电压大于120V.导通衬底上的SiC MESFET在2GHz 50V工作时饱和输出功率... 详细信息

本文分别在导通和半绝缘4H SiC衬底上生长了MESFET结构的外延并制成器件.两种衬底上的SiC MESFET具有类似的直流特性,饱和电流为350mA/mm,最大跨导为25-30 mS/mm,击穿电压大于120V.导通衬底上的SiC MESFET在2GHz 50V工作时饱和输出功率为1.75W;在相同条件下半绝缘衬底的SiC MESFET饱和输出功率为3.38W,64V工作时最大输出功率超过4W.缓冲层参致的不同是造成微波性能差异的主要原因.

关键词：碳化硅导通衬底半绝缘衬底微波功率 MESFET结构

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

1-mm栅宽SiC MESFET微波功率器件研究

1-mm栅宽SiC MESFET微波功率器件研究

引用

第六届全国毫米波亚毫米波学术会议

作者：陈刚李拂晓邵凯张震柏松张涛汪浩李哲洋蒋幼泉黄念宁陈辰单片集成电路与模块国家级重点实验室南京电子器件研究所江苏210016

本文介绍了采用国产SiC外延片的4H-SiC MESFET 1 mm多栅器件的最新研制进展.制造出单栅宽100 um,总栅宽1 mm,栅长0.8 um的n沟道4H-SiC MESFET,其微波特性测试结果:在2 GHz频率下,漏端电压Vds=64 V时,最大输出功率为4.09 W(36.12 dBm),... 详细信息

本文介绍了采用国产SiC外延片的4H-SiC MESFET 1 mm多栅器件的最新研制进展.制造出单栅宽100 um,总栅宽1 mm,栅长0.8 um的n沟道4H-SiC MESFET,其微波特性测试结果:在2 GHz频率下,漏端电压Vds=64 V时,最大输出功率为4.09 W(36.12 dBm),相应增益为9.30 dB,功率附加效率PAE为31.3％,漏极效率n为35.5％.

关键词：碳化硅金属半导体场效应管微波功率器件单片集成电路

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

耐250℃高温的1200 V-5 A 4H-SiC JBS二极管

引用

固体电子学研究与进展 2010年第2期30卷 F0003-F0003页

作者：倪炜江李宇柱李哲洋李赞陈辰陈效建南京电子器件研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室南京210016

碳化硅(4H-SiC)材料具有宽带隙、高饱和电子漂移速率和高热导率等优良特性,因此SiC电力电子器件在高功率、大电流、高频率、耐高温和抗辐射等方面相对于Si器件性能要优胜得多,被认为在更高功率、更苛刻环境下有取代Si的非常广泛的应用前景.

关键词：耐高温二极管电力电子器件 SiC 优良特性高热导率漂移速率器件性能

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

MEMS层叠器件悬空结构划切方法研究

引用

电子工业专用设备 2019年第4期48卷 9-12页

作者：钱可强吴杰王冬蕊姜理利黄旼南京电子器件研究所南京210016 微波毫米波单片集成电路与模块国家级重点实验室南京210016

针对MEMS层叠器件悬空结构划切的各种缺陷,提出了分段进给式切割方法,通过多次切割同一个划切槽,切割深度依次增加,直到切割深度大于悬梁厚度,有效减小悬空结构底部崩边和裂纹。为解决划片槽覆盖有划切标记和介质钝化层的划片正面崩边问... 详细信息

针对MEMS层叠器件悬空结构划切的各种缺陷,提出了分段进给式切割方法,通过多次切割同一个划切槽,切割深度依次增加,直到切割深度大于悬梁厚度,有效减小悬空结构底部崩边和裂纹。为解决划片槽覆盖有划切标记和介质钝化层的划片正面崩边问题,进一步提出了预开槽分段进给式切割方案,用宽刀开槽,再用窄刀分段进给式切割,解决了悬空结构正面崩边和侧边裂纹等划切缺陷,使得崩边尺寸减小至10μm以内,大大提高成品率。

关键词：微机电系统层叠器件划片圆片级堆叠

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

X波段连续波119W GaN功率HEMT

引用

固体电子学研究与进展 2008年第4期28卷 F0003-F0003页

作者：钟世昌陈堂胜任春江焦刚陈辰邵凯杨乃彬单片集成电路与模块国家级重点实验室南京电子器件研究所南京210016

作为制造下一代微波功率器件的材料,GaN具有先天的性能优势,可以很好地满足高温、高频以及大功率器件的性能要求,在卫星通信、雷达等领域有着广泛的应用前景,是当前半导体技术最重要的发展前沿之一。经过多年努力,南京电子器件研究所最... 详细信息

作为制造下一代微波功率器件的材料,GaN具有先天的性能优势,可以很好地满足高温、高频以及大功率器件的性能要求,在卫星通信、雷达等领域有着广泛的应用前景,是当前半导体技术最重要的发展前沿之一。经过多年努力,南京电子器件研究所最近研制成功了X波段连续波功率输出119W的GaN功率HEMT,这是国内外关于GaN HEMT在X波段连续波输出超过100W的首次报道。

关键词：微波功率器件 HEMT 连续波 X波段南京电子器件研究所功率输出大功率器件半导体技术

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：