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高介BST材料对MIS结构AlGaN/GaN HEMT器件性能的影响
高介BST材料对MIS结构AlGaN/GaN HEMT器件性能的影响
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 周建军 张继华 陈堂胜 任春江 焦刚 李忠辉 陈辰 杨传仁 单片集成电路与模块国家级重点实验室 南京电子器件研究所南京 210016 电子科技大学微电了与同体电子学院 成都 610054 电子科技大学微电了与固体电子学院 成都 610054
采用衬底同步加热磁控溅射的高介电BST材料作为栅绝缘层,研制了BST/AlGaN/GaN MIS结构HEMT器件。通过对器件直流和高频特性的测试,以及与同样厚度SiN MIS结构对比分析了高介电BST材料作为栅绝缘层对AlGaN/GaN MISHEMT器件性能的影响。... 详细信息
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