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  • 121 篇 电子文献
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  • 4 篇 单片集成电路和模...
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  • 1 篇 工业和信息化部电...
  • 1 篇 南京电子器件研究...

作者

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  • 32 篇 李哲洋
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  • 12 篇 chen gang
  • 12 篇 xue fangshi
  • 12 篇 冯忠
  • 11 篇 李拂晓
  • 11 篇 邵凯

语言

  • 121 篇 中文
检索条件"机构=单片集成电路和模块国家级重点实验室南京电子器件研究所"
121 条 记 录,以下是41-50 订阅
排序:
MSM型氮化镓紫外探测器研究
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电子技术 2009年 第1期29卷 11-13页
作者: 姜文海 陈辰 周建军 李忠辉 郑惟彬 董逊 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室 南京210016
以宽禁带半导体氮化镓材料制备了金属-半导体-金属型的紫外光电探测器。材料生长是以MOCVD设备完成的,为非故意掺杂的n型材料。器件在362nm处具有陡峭的截止边,表现出可见盲特性,在1.5 V偏压下响应度为0.71 A/W,紫外/可见抑制比接近103... 详细信息
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0.1~325 GHz频段InP DHBT器件在片测试结构建模
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红外与毫米波学报 2019年 第3期38卷 345-350,380页
作者: 徐忠超 刘军 钱峰 陆海燕 程伟 周文勇 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路国家级重点实验室 江苏南京210016 杭州电子科技大学教育部射频电路与系统重点实验室 浙江杭州310017
给出了 InP DHBT 器件在片测试用到的开路和短路结构的等效电路模型.模型拓扑结构基于物理结构建立并对其在亚毫米波段的高频寄生进行相对完整的考虑.模型的容性和阻性寄生采用解析提取技术从开路结构低频测试数据中获取.模型的高频趋... 详细信息
来源: 评论
664GHz接收前端技术研究
收藏 引用
微波学报 2015年 第S1期31卷 14-17页
作者: 姚常飞 周明 罗运生 魏翔 张君直 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室 南京210016 南京电子器件研究所微波毫米波模块电路事业部 南京210016
基于X波段源,通过9×2×2次倍频链实现了输出约1-2m W的320-356GHz全固态倍频源。该信号源作为本振信号驱动664GHz接收前端的二次谐波混频器,该混频器采用了有源偏置技术以降低混频器的本振驱动功率和接收机的噪声温度。仿真结... 详细信息
来源: 评论
OEIC台面腐蚀工艺研究
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固体电子研究与进展 2009年 第2期29卷 241-244页
作者: 范超 栗锐 陈堂胜 杨立杰 冯欧 冯忠 陈辰 焦世龙 叶玉堂 电子科技大学光电信息学院 成都610054 单片集成电路与模块国家级重点实验室 南京210016 南京电子器件研究所 南京210016
深入研究了牺牲层腐蚀机制,摸索出完整的台面自停止工艺并实际应用于OEIC器件制作。实验中发现了侧蚀、台面变形以及表面清洁等问题。从实验现象着手分析,并由此对工艺进行了改进,采用了新的腐蚀剂和工艺步骤。改进后的工艺解决了上述问... 详细信息
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2.5Gb/s GaAsPIN/PHEMT单片集成光接收机前端
收藏 引用
电子.激光 2008年 第2期19卷 191-195页
作者: 焦世龙 叶玉堂 陈堂胜 杨先明 李拂晓 邵凯 吴云峰 电子科技大学光电信息学院 四川成都610054 单片集成电路与模块国家级重点实验室 江苏南京210016 南京电子器件研究所 江苏南京210016
采用0.5μm GaAs PHEMT工艺,研制了一种PIN光探测器和分布放大器单片集成850nm光接收机前端。探测器光敏面直径为30μm,电容为0.25pF,10V反向偏压下的暗电流小于20nA。分布放大器-3dB带宽接近20GHz,跨阻增益约46dBΩ;在50MHz^16GHz范围... 详细信息
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20GHz宽带GaAs PHEMT分布式前置放大器
收藏 引用
电子学报 2007年 第5期35卷 955-958页
作者: 焦世龙 陈堂胜 蒋幼泉 钱峰 李拂晓 邵凯 叶玉堂 电子科技大学光电信息学院 四川成都610054 单片集成电路与模块国家级重点实验室 江苏南京210016 南京电子器件研究所 江苏南京210016
采用0.5μm GaAs PHEMT工艺研制了一种光接收机分布式前置放大器.该放大器-3dB带宽接近20GHz,跨阻增益约46dBΩ;在50MHz^16GHz范围内,输入、输出电压驻波比(VSWR)均小于2;带内噪声系数在3.03~6.5dB之间,平均等效输入噪声电流密度约为14.... 详细信息
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离子注入工艺在4H-SiC器件中的应用
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半导体技术 2008年 第S1期33卷 252-255页
作者: 李春 陈刚 南京电子器件研究所五中心 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室 南京210016
介绍了离子注入工艺可在SiC器件中形成欧姆接触,其电阻值经退火后可达到10-6Ω.cm2;同时也可利用离子注入在平面工艺中形成良好的电学隔离,避免工艺复杂化,提高了成品率。最后通过B+注入形成边缘终端制作4H-SiC肖特基势垒二极管的例子... 详细信息
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基于4H-SiC肖特基二极管的中子探测器
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原子能科学技术 2013年 第4期47卷 664-668页
作者: 蒋勇 吴健 韦建军 范晓强 陈雨 荣茹 邹德慧 李勐 柏松 陈刚 李理 四川大学原子与分子物理研究所 四川成都610065 中国工程物理研究院核物理与化学研究所 四川绵阳621900 南京电子器件研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室 江苏南京210016
针对当前极端环境下耐辐照半导体中子探测器的需求,采用耐高温、耐辐照的碳化硅宽禁带半导体材料,利用6 Li(n,α)3 H核反应原理,研制了基于4H-SiC肖特基二极管的中子探测器。利用磁控溅射完成中子转化层的制作,并用SEM表征6 LiF膜厚。... 详细信息
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10Gb/s GaAs PHEMT Current Mode Transimpedance Preamplifier for Optical Receiver
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Journal of Semiconductors 2007年 第1期28卷 24-30页
作者: 焦世龙 叶玉堂 陈堂胜 冯欧 蒋幼泉 范超 李拂晓 电子科技大学光电信息学院 成都610054 单片集成电路与模块国家级重点实验室 南京210016 南京电子器件研究所 南京210016
A single power supply common-gate (CG) current mode transimpedance preamplifier (TIA) is developed with a 0.5μm GaAs PHEMT process. The amplifier has a measured - 3dB bandwidth of 7. 5GHz and a transimpedance gai... 详细信息
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A 10Gb/s GaAs PHEMT High Gain Preamplifier for Optical Receivers
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Journal of Semiconductors 2007年 第12期28卷 1902-1911页
作者: 焦世龙 杨先明 赵亮 李辉 陈镇龙 陈堂胜 邵凯 叶玉堂 电子科技大学光电信息学院 成都610054 南京电子器件研究所 南京210016 单片集成电路与模块国家级重点实验室 南京210016
A high gain cascade connected preamplifier for optical receivers is developed with 0.5μm GaAs PHEMT technology from the Nanjing Electronic Devices Institute. To begin with, the transimpedance amplifier has a -3dB ban... 详细信息
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