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  • 121 篇 电子文献
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  • 1 篇 工业和信息化部电...
  • 1 篇 南京电子器件研究...

作者

  • 42 篇 陈辰
  • 35 篇 陈刚
  • 34 篇 柏松
  • 32 篇 李哲洋
  • 25 篇 陈堂胜
  • 24 篇 薛舫时
  • 19 篇 蒋幼泉
  • 17 篇 chen chen
  • 16 篇 董逊
  • 16 篇 周建军
  • 16 篇 李忠辉
  • 15 篇 chen tangsheng
  • 14 篇 bai song
  • 13 篇 li zheyang
  • 12 篇 任春江
  • 12 篇 chen gang
  • 12 篇 xue fangshi
  • 12 篇 冯忠
  • 11 篇 李拂晓
  • 11 篇 邵凯

语言

  • 121 篇 中文
检索条件"机构=单片集成电路和模块国家级重点实验室南京电子器件研究所"
121 条 记 录,以下是71-80 订阅
排序:
生长源流量对SiC外延生长的影响
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半导体技术 2008年 第S1期33卷 266-268页
作者: 李赟 李哲洋 董逊 陈辰 中国电子科技集团公司第五十五研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室 南京210016
使用水平热壁式化学气相沉积系统,固定生长源碳硅比(C/Si),改变生长源流量,在偏向〈1120〉方向8°的4H-SiC(0001)衬底上进行了一系列同质外延实验,研究了生长源流量对外延速率和掺杂浓度的影响。样品表面形貌通过原子力显微镜(AFM)... 详细信息
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8.5GHz~10GHz GaAs准单片功率放大器
收藏 引用
电子与封装 2007年 第10期7卷 29-32页
作者: 王义 李拂晓 唐世军 郑维彬 单片集成电路及模块电路国家级重点实验室 南京电子器件研究所南京210016
文章介绍了一种准单片形式的功率放大器,采用南京电子器件研究所研制的12mm栅宽的GaAs pHEMT功率管芯,设计了准单片电路形式的匹配电路,设计得的功率放大器在8.5GHz^10GHz频带范围内,输出功率典型值为5W,功率增益大于6dB,相对带宽大于... 详细信息
来源: 评论
4H-SiC MESFET工艺中的金属掩膜研究
4H-SiC MESFET工艺中的金属掩膜研究
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第十五届全国化合物半导体材料,微波器件和光电器件学术会议
作者: 陈刚 李哲洋 陈征 冯忠 陈雪兰 柏松 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室
在4H-SiC MESFE微波功率器件制造技术中干法刻蚀是一个很重要的工艺,而对SiC外延片的RIE、ICP等干法刻蚀来说,有光刻胶、Ni、Al和NiSi化合物等多种掩膜方法,其中用光刻胶做掩膜时刻蚀形成的台阶角度缓,不垂直,而Ni、Al等金属掩膜在干法... 详细信息
来源: 评论
InP基共振遂穿二极管研究
InP基共振遂穿二极管研究
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第十五届全国化合物半导体材料,微波器件和光电器件学术会议
作者: 韩春林 薛舫时 高建峰 陈辰 南京电子器件研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室
实验中对InGaAs/AlAs/InP共振遂穿二极管(RD)进行了优化设计,并用MBE设备在(100)半绝缘InP单晶片上生长了RD外延材料。采用电子束光刻工艺和空气桥互连技术,制作了InP基RD器件。在温下测试了器件的电学特性,峰值电流密度24.6 kA... 详细信息
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L波段16.5W/cm碳化硅静电感应晶体管研究
L波段16.5W/cm碳化硅静电感应晶体管研究
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2013年全国微波毫米波会议
作者: 陈刚 李理 蒋浩 陶然 柏松 李赟 尹志军 单片集成电路和模块国家级重点实验室 南京电子器件研究所
本文通过采用导通4H-SiC衬底上的同质多层外延材料,成功制作出L波段SiC SIT(静电感应晶体管)。该器件研制中,采用了介质辅助剥离、高能离子注入及高温退火、密集栅凹槽、介质钝化等工艺,有效抑制了漏电并提高了器件击穿电压,器件功率... 详细信息
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3英寸Si基AlGaN/GaN/异质结材料生长
3英寸Si基AlGaN/GaN/异质结材料生长
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第十一届全国MOCVD学术会议
作者: 李忠辉 李亮 董逊 张岚 姜文海 单片集成电路与模块国家级重点实验室 南京电子器件研究所
利用MOCVD在Si(111)衬底上生长了3英寸无裂纹的GaN外延薄膜和AIGaN/GaN异质结构。通过优化衬底浸润处理时间、AIN层厚度等参数获得了无裂纹的GaN外延薄膜,研究了缓冲层和插入层厚度对AlGaN/GaN异质结电学性质的影响,2DEG的迁移率和浓... 详细信息
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Si掺杂对MOCVD生长的n型Al0.5Ga0.5N的影响
Si掺杂对MOCVD生长的n型Al0.5Ga0.5N的影响
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第十五届全国化合物半导体材料,微波器件和光电器件学术会议
作者: 李亮 李忠辉 董逊 周建军 孔月婵 姜文海 陈辰 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室
采用AlN缓冲层技术在蓝宝石衬底上通过MOCVD方法成功制备出0.5μm的Si掺杂AlGaN外延薄膜,并对其电学、光学与结构特性进行了研究。Hall测量表明,在温下n型AlGaN中的载流子浓度和迁移率分别为1.2×10cm和12 cm/V·s。载流子浓... 详细信息
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微波单片集成电路技术快速发展
微波单片集成电路技术快速发展
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全国第十二届微波集成电路与移动通信学术会议
作者: 邵凯 单片集成电路与模块国家级重点实验室 南京电子器件研究所
本文报告了微波单片集成电路(MMIC)在产业和科研两方面的主要进展和发展趋势,分析了大规模应用和高端应用两种不同的技术发展驱动.重点对砷化镓MMIC,硅基MMIC,宽禁带半导体,毫米波高端技术,窄禁带半导体及三维集成等热点作了描述并报告... 详细信息
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4H-SiC MESFET结构外延技术研究
4H-SiC MESFET结构外延技术研究
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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者: 李哲洋 董逊 柏松 陈刚 陈堂胜 陈辰 南京电子器件研究所 单片集成电路和模块国家级重点实验室210016
本文利用热壁式CVD技术生长4H-SiC MESFET结构外延材料,TMA和氮气分别用作P型和N型掺杂源.外延层厚度使用SEM进行表征,SIMS及汞探针C-V用作外延层掺杂浓度测试.通过优化生长参数,成功生长出高质量的MESFET结构外延材料并获得陡峭的过渡... 详细信息
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BST/AlGaN/GaN铁电/半导体异质结构二维电子研究
BST/AlGaN/GaN铁电/半导体异质结构二维电子气研究
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第十五届全国化合物半导体材料,微波器件和光电器件学术会议
作者: 孔月婵 薛舫时 周建军 李亮 陈辰 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室
采用自洽计算方法对BS/AlGaN/GaN铁电/半导体异质结构中二维电子气进行研究,通过计入铁电极化随电场变化的非线性关系,模拟了对该异质结构进行"极化/退极化"(加负/正偏压)后,由铁电极化偶极子翻转导致的二维电子气浓度的变化... 详细信息
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