检索结果-内蒙古大学图书馆

半导体技术 2008年第S1期33卷 266-268页

作者：李赟李哲洋董逊陈辰中国电子科技集团公司第五十五研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室南京210016

使用水平热壁式化学气相沉积系统,固定生长源碳硅比(C/Si),改变生长源流量,在偏向〈1120〉方向8°的4H-SiC(0001)衬底上进行了一系列同质外延实验,研究了生长源流量对外延速率和掺杂浓度的影响。样品表面形貌通过原子力显微镜(AFM)... 详细信息

使用水平热壁式化学气相沉积系统,固定生长源碳硅比(C/Si),改变生长源流量,在偏向〈1120〉方向8°的4H-SiC(0001)衬底上进行了一系列同质外延实验,研究了生长源流量对外延速率和掺杂浓度的影响。样品表面形貌通过原子力显微镜(AFM)进行表征,在不影响薄膜质量的条件下成功将生长速率提高至12μm/h。

关键词： 4H-SiC 水平热壁式化学气相沉积碳硅比生长速率掺杂浓度

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8.5GHz～10GHz GaAs准单片功率放大器

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电子与封装 2007年第10期7卷 29-32页

作者：王义李拂晓唐世军郑维彬单片集成电路及模块电路国家级重点实验室南京电子器件研究所南京210016

文章介绍了一种准单片形式的功率放大器,采用南京电子器件研究所研制的12mm栅宽的GaAs pHEMT功率管芯,设计了准单片电路形式的匹配电路,设计所得的功率放大器在8.5GHz^10GHz频带范围内,输出功率典型值为5W,功率增益大于6dB,相对带宽大于... 详细信息

文章介绍了一种准单片形式的功率放大器,采用南京电子器件研究所研制的12mm栅宽的GaAs pHEMT功率管芯,设计了准单片电路形式的匹配电路,设计所得的功率放大器在8.5GHz^10GHz频带范围内,输出功率典型值为5W,功率增益大于6dB,相对带宽大于16%,典型功率附加效率为25%,输入电压驻波比小于2.5。

关键词： GaAs pHEMT 宽带准单片功率放大器

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4H-SiC MESFET工艺中的金属掩膜研究

4H-SiC MESFET工艺中的金属掩膜研究

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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：陈刚李哲洋陈征冯忠陈雪兰柏松南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室

在4H-SiC MESFE微波功率器件制造技术中干法刻蚀是一个很重要的工艺,而对SiC外延片的RIE、ICP等干法刻蚀来说,有光刻胶、Ni、Al和NiSi化合物等多种掩膜方法,其中用光刻胶做掩膜时刻蚀形成的台阶角度缓,不垂直,而Ni、Al等金属掩膜在干法... 详细信息

在4H-SiC MESFE微波功率器件制造技术中干法刻蚀是一个很重要的工艺,而对SiC外延片的RIE、ICP等干法刻蚀来说,有光刻胶、Ni、Al和NiSi化合物等多种掩膜方法,其中用光刻胶做掩膜时刻蚀形成的台阶角度缓,不垂直,而Ni、Al等金属掩膜在干法刻蚀后易形成接近垂直的台阶。通过对Ni、Al、NiSi化合物等多种金属掩膜的研究,得到了干法刻蚀台阶垂直且表面状况良好的Ni金属掩膜条件,最终成功制备出9 mm SiC MESFE微波功率器件,在2GHz脉冲输出功率超过38 W,功率增益9 dB。

关键词： 4H碳化硅金属掩膜金属-肖特基势垒FET

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InP基共振遂穿二极管研究

InP基共振遂穿二极管研究

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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：韩春林薛舫时高建峰陈辰南京电子器件研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室

在实验中对InGaAs/AlAs/InP共振遂穿二极管（RD）进行了优化设计,并用MBE设备在（100）半绝缘InP单晶片上生长了RD外延材料。采用电子束光刻工艺和空气桥互连技术,制作了InP基RD器件。在室温下测试了器件的电学特性,峰值电流密度24.6 kA... 详细信息

在实验中对InGaAs/AlAs/InP共振遂穿二极管（RD）进行了优化设计,并用MBE设备在（100）半绝缘InP单晶片上生长了RD外延材料。采用电子束光刻工艺和空气桥互连技术,制作了InP基RD器件。在室温下测试了器件的电学特性,峰值电流密度24.6 kA/cm,峰谷电流比为8.6。通过MALAB软件对器件I-V测试曲线进行了数值拟合,结果与实验数据吻合得很好。

关键词：共振遂穿二极管空气桥 MATLAB 电子束光刻分子束外延

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L波段16.5W/cm碳化硅静电感应晶体管研究

L波段16.5W/cm碳化硅静电感应晶体管研究

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2013年全国微波毫米波会议

作者：陈刚李理蒋浩陶然柏松李赟尹志军单片集成电路和模块国家级重点实验室南京电子器件研究所

本文通过采用导通4H-SiC衬底上的同质多层外延材料,成功制作出L波段SiC SIT（静电感应晶体管）。该器件研制中,采用了介质辅助剥离、高能离子注入及高温退火、密集栅凹槽、介质钝化等工艺,有效抑制了漏电并提高了器件击穿电压,器件功率... 详细信息

本文通过采用导通4H-SiC衬底上的同质多层外延材料,成功制作出L波段SiC SIT（静电感应晶体管）。该器件研制中,采用了介质辅助剥离、高能离子注入及高温退火、密集栅凹槽、介质钝化等工艺,有效抑制了漏电并提高了器件击穿电压,器件功率输出能力由此得到提升。正向特性测试:在栅压+3.5V,漏压10V时,0.5mm栅宽的SIT的电流密度达到130mA/mm,G=24mS/mm。反向特性测试:V=-12V时,BV=202V,电压增益BV gain=22;V=-16V:BV=320V,最大达到440V。最终4cm栅宽SiC SIT器件,在L波段的1GHz、80V工作电压下,脉冲宽度100μs,占空比1%时,输出功率达到了66W,功率密度16.5W/cm,此时功率增益为6.2dB。脉冲宽度100μs,占空比10%时,输出功率最大达到56.89W,同时功率增益为5.55dB,效率为35.55%。

关键词：碳化硅静电感应晶体管 SiC SIT

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3英寸Si基AlGaN/GaN/异质结材料生长

3英寸Si基AlGaN/GaN/异质结材料生长

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第十一届全国MOCVD学术会议

作者：李忠辉李亮董逊张岚姜文海单片集成电路与模块国家级重点实验室南京电子器件研究所

利用MOCVD在Si（111）衬底上生长了3英寸无裂纹的GaN外延薄膜和AIGaN/GaN异质结构。通过优化衬底浸润处理时间、AIN层厚度等参数获得了无裂纹的GaN外延薄膜,研究了缓冲层和插入层厚度对AlGaN/GaN异质结电学性质的影响,2DEG的迁移率和浓... 详细信息

利用MOCVD在Si（111）衬底上生长了3英寸无裂纹的GaN外延薄膜和AIGaN/GaN异质结构。通过优化衬底浸润处理时间、AIN层厚度等参数获得了无裂纹的GaN外延薄膜,研究了缓冲层和插入层厚度对AlGaN/GaN异质结电学性质的影响,2DEG的迁移率和浓度分别达到1580cm/Vs和1.0×10cm。

关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管二维电子气

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Si掺杂对MOCVD生长的n型Al0.5Ga0.5N的影响

Si掺杂对MOCVD生长的n型Al0.5Ga0.5N的影响

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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：李亮李忠辉董逊周建军孔月婵姜文海陈辰南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室

采用AlN缓冲层技术在蓝宝石衬底上通过MOCVD方法成功制备出0.5μm的Si掺杂AlGaN外延薄膜,并对其电学、光学与结构特性进行了研究。Hall测量表明,在室温下n型AlGaN中的载流子浓度和迁移率分别为1.2×10cm和12 cm/V·s。载流子浓... 详细信息

采用AlN缓冲层技术在蓝宝石衬底上通过MOCVD方法成功制备出0.5μm的Si掺杂AlGaN外延薄膜,并对其电学、光学与结构特性进行了研究。Hall测量表明,在室温下n型AlGaN中的载流子浓度和迁移率分别为1.2×10cm和12 cm/V·s。载流子浓度随Si掺杂量的增加而增大。利用XRD和Raman等测量方法研究了Si掺杂AlGaN薄膜晶格常数c和Raman散射谱随SiH流量的变化。随着SiH流量的增大,AlGaN薄膜的晶格常数c变小同时E声子峰发生红移,这表明掺Si后AlGaN薄膜中的压应力得到了一定程度的弛豫。

关键词： AlGaN Si掺杂金属有机化学气相淀积蓝宝石衬底外延薄膜

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微波单片集成电路技术快速发展

微波单片集成电路技术快速发展

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全国第十二届微波集成电路与移动通信学术会议

作者：邵凯单片集成电路与模块国家级重点实验室南京电子器件研究所

本文报告了微波单片集成电路(MMIC)在产业和科研两方面的主要进展和发展趋势,分析了大规模应用和高端应用两种不同的技术发展驱动.重点对砷化镓MMIC,硅基MMIC,宽禁带半导体,毫米波高端技术,窄禁带半导体及三维集成等热点作了描述并报告... 详细信息

本文报告了微波单片集成电路(MMIC)在产业和科研两方面的主要进展和发展趋势,分析了大规模应用和高端应用两种不同的技术发展驱动.重点对砷化镓MMIC,硅基MMIC,宽禁带半导体,毫米波高端技术,窄禁带半导体及三维集成等热点作了描述并报告了国内南京电子器件研究所和单片集成电路与模块国家级重点实验室的相应进展情况.

关键词：微波单片集成电路电子器件宽禁带半导体毫米波技术窄禁带半导体

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4H-SiC MESFET结构外延技术研究

4H-SiC MESFET结构外延技术研究

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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：李哲洋董逊柏松陈刚陈堂胜陈辰南京电子器件研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室210016

本文利用热壁式CVD技术生长4H-SiC MESFET结构外延材料,TMA和氮气分别用作P型和N型掺杂源.外延层厚度使用SEM进行表征,SIMS及汞探针C-V用作外延层掺杂浓度测试.通过优化生长参数,成功生长出高质量的MESFET结构外延材料并获得陡峭的过渡... 详细信息

本文利用热壁式CVD技术生长4H-SiC MESFET结构外延材料,TMA和氮气分别用作P型和N型掺杂源.外延层厚度使用SEM进行表征,SIMS及汞探针C-V用作外延层掺杂浓度测试.通过优化生长参数,成功生长出高质量的MESFET结构外延材料并获得陡峭的过渡掺杂曲线,文中给出了部分器件测试结果.

关键词： 4H-SiC SEM SIMS MESFET结构

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BST/AlGaN/GaN铁电/半导体异质结构二维电子气研究

BST/AlGaN/GaN铁电/半导体异质结构二维电子气研究

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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：孔月婵薛舫时周建军李亮陈辰南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室

采用自洽计算方法对BS/AlGaN/GaN铁电/半导体异质结构中二维电子气进行研究,通过计入铁电极化随电场变化的非线性关系,模拟了对该异质结构进行"极化/退极化"(加负/正偏压)后,由铁电极化偶极子翻转导致的二维电子气浓度的变化... 详细信息

采用自洽计算方法对BS/AlGaN/GaN铁电/半导体异质结构中二维电子气进行研究,通过计入铁电极化随电场变化的非线性关系,模拟了对该异质结构进行"极化/退极化"(加负/正偏压)后,由铁电极化偶极子翻转导致的二维电子气浓度的变化情况。当对BS/AlGaN/GaN异质结构进行"极化"后,BS极化偶极子部分反转使得BST/AlGaN界面处感生高浓度负极化电荷,对二维电子气产生耗尽作用,而由于极化钉扎作用,此时BS的平均极化方向仍与AlGaN中极化方向相同。当对异质结构进行"退极化"后,BST极化偶极子排列与AlGaN中极化方向相同,二维电子气浓度增加。随AlGaN势垒层厚度减小,BST极化对二维电子气的调制作用增强。另外,通过C-V测量方法对BST/AlGaN/GaN样品进行小范围电压扫描发现C-V曲线呈逆时针滞回方向,证实了铁电体极化对二维电子气的调制作用。

关键词：铁电/半导体异质结构极化调制二维电子气

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