检索结果-内蒙古大学图书馆

作者：韩春林薛舫时高建峰陈辰单片集成电路和模块国家级重点实验室南京电子器件研究所南京 210016

我们在实验中对InGaAs/AlAs/InP共振遂穿二极管(RTD)材料结构进行了优化设计,并用MBE设备在(100)半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料。我们采用电子束光刻工艺和空气桥互连技术,制作了InP基RTD器件。并在室温下测试了器件的电学特性：... 详细信息

我们在实验中对InGaAs/AlAs/InP共振遂穿二极管(RTD)材料结构进行了优化设计,并用MBE设备在(100)半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料。我们采用电子束光刻工艺和空气桥互连技术,制作了InP基RTD器件。并在室温下测试了器件的电学特性：峰值电流密度24.6kA/cm2,峰谷电流比(PVCR)为8.6。并通过MATLAB软件对器件Ⅰ-Ⅴ测试曲线进行了数值拟合,拟合结果与实验数据吻合的很好。

关键词：共振遂穿二极管优化设计外延材料电子束光刻光刻工艺空气桥互连电学特性

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AlN成核层对MOCVD系统中AlN生长的影响

AlN成核层对MOCVD系统中AlN生长的影响

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第十一届全国MOCVD学术会议

作者：李亮李忠辉董逊周建军孔月婵姜文海陈辰南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室

本文研究了MOCVD系统中AIN成核层对MOCVD系统中AIN外延薄膜生长的影响。通过改变了AIN成核层的生长条件,得到了不同生长温度、反应室压力、NH流量下AIN成核层与AIN薄膜外延生长的关系。

关键词： AIN MOCVD

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4H-SiC肖特基二极管α探测器研究

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核电子学与探测技术 2013年第1期33卷 57-61页

作者：陈雨范晓强蒋勇吴健白立新柏松陈刚李理四川大学物理科学与技术学院成都610064 中国工程物理研究院核物理与化学研究所绵阳621900 中国工程物理研究院中子物理重点实验室绵阳621900 南京电子器件研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室南京210016

碳化硅(SiC)是一种具有优良物理性能的宽禁带半导体材料,可作为探测器的优良探测介质。用241Am源5.486 MeV的α粒子研究4H-SiC肖特基二极管α探测器的能量分辨率和信号相对上升时间等特性。在真空室中,使SiC探测器暴露在α粒子下,SiC探... 详细信息

碳化硅(SiC)是一种具有优良物理性能的宽禁带半导体材料,可作为探测器的优良探测介质。用241Am源5.486 MeV的α粒子研究4H-SiC肖特基二极管α探测器的能量分辨率和信号相对上升时间等特性。在真空室中,使SiC探测器暴露在α粒子下,SiC探测器输出良好的响应信号。SiC二极管对5.486 MeVα粒子的能量分辨率最佳可达3.4%;经前置放大器FH1047输出和示波器观测,脉冲幅度随偏压增加而稳定在(35.39±0.21)mV;脉冲上升时间随偏压增加而稳定在(137.87±9.44)ns。4H-SiC肖特基二极管对α粒子响应良好,可用于α粒子强度测量。结合SiC耐辐照、耐高温等特性,进一步改进后有望制成分辨率更高、上升时间更快、耐辐照的新型α探测器和中子探测器。

关键词： α探测器肖特基二极管 4H—SiC

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Al0.66Ga0.34N日盲紫外光电探测器研究

Al0.66Ga0.34N日盲紫外光电探测器研究

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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：姜文海陈辰周建军李忠辉董逊南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室

采用MOCVD生长的高Al含量n-AlGaN制备了金属半导体金属（MSM）结构紫外日盲探测器。材料为非故意掺杂n型,表面无裂缝。经三轴X射线衍射（AXRD）对外延材料进行测试,AlGaN半峰宽（FWHM）为155 arcs,显示了良好的晶体质量。经光谱响应测试... 详细信息

采用MOCVD生长的高Al含量n-AlGaN制备了金属半导体金属（MSM）结构紫外日盲探测器。材料为非故意掺杂n型,表面无裂缝。经三轴X射线衍射（AXRD）对外延材料进行测试,AlGaN半峰宽（FWHM）为155 arcs,显示了良好的晶体质量。经光谱响应测试,探测器存在两个峰值响应,波长分别位于255、365 nm处,说明探测器同时具有日盲探测和双色探测特征。在6 V偏压下255 nm处响应度为0.1 A/W,并以此推算出AlGaN材料的Al含量为0.66。

关键词：金属-半导体-金属日盲探测器半峰宽双色响应度

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S波段SiC MESFET微波功率MMIC

S波段SiC MESFET微波功率MMIC

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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：柏松陈刚冯忠钱峰陈征吴鹏任春江李哲洋郑惟彬蒋幼泉陈辰南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室

利用本实验室生长的半绝缘衬底上的4H-SiC外延材料开展了SiC MESFE和MMIC的工艺技术研究。在实现SiC衬底减薄和通孔技术的基础上,采用微带技术以及全套的无源器件,设计并研制了国内第一片SiC微波功率MMIC。研制的SiC MMIC工作频段为S波... 详细信息

利用本实验室生长的半绝缘衬底上的4H-SiC外延材料开展了SiC MESFE和MMIC的工艺技术研究。在实现SiC衬底减薄和通孔技术的基础上,采用微带技术以及全套的无源器件,设计并研制了国内第一片SiC微波功率MMIC。研制的SiC MMIC工作频段为S波段,在1.8～3.4 GHz的频带内小信号增益大于12 dB,漏电压为32 V时带内脉冲输出功率超过5 W。SiCMMIC小信号特性达到了设计预期,但输出功率低于设计值。这是由于受到MIM电容耐压能力的限制,SiC MMIC的工作电压比较低。

关键词：碳化硅金属半导体场效应晶体管微波功率单片微波集成电路

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4H-SiC MESFET工艺中的金属掩膜研究

4H-SiC MESFET工艺中的金属掩膜研究

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：陈刚李哲洋陈征冯忠陈雪兰柏松南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室 210016

在4H-SiC MESFET微波功率器件制造技术中干法刻蚀是一个很重要的工艺,而对SiC外延片的RIE、ICP等干法刻蚀来说,有光刻胶、Ni、Al和镍硅化物等多种掩膜方法。其中用光刻胶做掩膜时刻蚀形成的台阶角度缓不垂直,而Ni、Al等金属掩膜在干法... 详细信息

在4H-SiC MESFET微波功率器件制造技术中干法刻蚀是一个很重要的工艺,而对SiC外延片的RIE、ICP等干法刻蚀来说,有光刻胶、Ni、Al和镍硅化物等多种掩膜方法。其中用光刻胶做掩膜时刻蚀形成的台阶角度缓不垂直,而Ni、Al等金属掩膜在干法刻蚀后易形成接近垂直的台阶。本论文通过对Ni、Al、镍硅化物等多种金属掩膜的研究,得到了干法刻蚀台阶垂直且表面状况良好的Ni金属掩膜条件,最终成功制备出9mm的SiCMESFET微波功率器件,在2GHz脉冲输出功率超过38W,功率增益9dB。

关键词：碳化硅金属掩膜微波功率器件干法刻蚀功率增益

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3.6mm SiC MESFET器件的射频功率特性

3.6mm SiC MESFET器件的射频功率特性

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第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

作者：陈刚柏松张涛李哲洋蒋幼泉南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室南京 210016

介绍了S波段3.6mm栅宽4H-SiC MESFET功率管的材料设计，制作工艺和微波性能研究。采用半绝缘衬底的自主外延的SiC三层外延片，成功制作出单胞3.6mm栅宽的芯片，经过装架、压丝，未作内匹配，单管器件在S波段2 GHz频率连续波下，输出功率... 详细信息

介绍了S波段3.6mm栅宽4H-SiC MESFET功率管的材料设计，制作工艺和微波性能研究。采用半绝缘衬底的自主外延的SiC三层外延片，成功制作出单胞3.6mm栅宽的芯片，经过装架、压丝，未作内匹配，单管器件在S波段2 GHz频率连续波下，输出功率为15.1W，小信号增益大于10dB，功率附加效率(PAE)为39％;在2GHz频率脉冲测试条件下，测试功率输出为18.3W，此时增益大于8dB。

关键词：金属-半导体场效应晶体管制造工艺材料性能优化设计

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SiC MESFET器件工艺研究

SiC MESFET器件工艺研究

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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：陈刚柏松张涛汪浩李哲洋蒋幼泉南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室210016

本文介绍制作4H-SiC MESFET器件中的总栅宽1mm,2GHz连续波下输出功率大于4W,小信号增益大于10dB的SiC MESFET管.

关键词： 4H碳化硅金属半导体场效应管微波宽禁带半导体

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S波段4W SiC MESFET器件研制

S波段4W SiC MESFET器件研制

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2006全国第十一届微波集成电路与移动通信学术年会

作者：陈刚柏松张涛汪浩李哲洋陈雪兰蒋幼泉南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室210016

本论文介绍了S波段4H-SiC MESFET功率管的材料设计、制作工艺和微波性能.采用半绝缘衬底的自主研制的SiC三层外延片,成功制作出单胞1mm栅宽的芯片.经过装架、压丝,未作内匹配,单管器件在S波段2GHz频率连续波下,输出功率为4.1W,小信号增... 详细信息

本论文介绍了S波段4H-SiC MESFET功率管的材料设计、制作工艺和微波性能.采用半绝缘衬底的自主研制的SiC三层外延片,成功制作出单胞1mm栅宽的芯片.经过装架、压丝,未作内匹配,单管器件在S波段2GHz频率连续波下,输出功率为4.1W,小信号增益大于10dB,漏极效率η为35.5％.

关键词：碳化硅金属半导体场效应管宽禁带半导体微波性能

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大栅宽SiC MESFET器件的制造与研究

大栅宽SiC MESFET器件的制造与研究

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全国第十二届微波集成电路与移动通信学术会议

作者：陈刚蒋幼泉李哲洋张涛吴鹏冯忠汪浩陈征陈雪兰柏松南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室210016

本论文针对S波段1mm、3.6mm、9mm、20mm多种大栅宽4H-SiC MESFET功率管的版图设计、制作工艺和微波性能进行研究及比较.采用半绝缘衬底的自主外延的SiC三层外延片,制作出单胞总栅宽1mm、3.6mm、9mm、20mm的芯片,经过装架、压丝,通过自... 详细信息

本论文针对S波段1mm、3.6mm、9mm、20mm多种大栅宽4H-SiC MESFET功率管的版图设计、制作工艺和微波性能进行研究及比较.采用半绝缘衬底的自主外延的SiC三层外延片,制作出单胞总栅宽1mm、3.6mm、9mm、20mm的芯片,经过装架、压丝,通过自主搭建的脉冲微波测试系统,在S波段2GHz频率脉冲测试条件下得到各个测试结果.

关键词： 4H碳化硅金属半导体场效应管微波技术宽禁带半导体

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