检索结果-内蒙古大学图书馆

第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：陈刚柏松张涛汪浩李哲洋蒋幼泉南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室210016

本文介绍制作4H-SiC MESFET器件中的总栅宽1mm,2GHz连续波下输出功率大于4W,小信号增益大于10dB的SiC MESFET管.

关键词： 4H碳化硅金属半导体场效应管微波宽禁带半导体

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

大栅宽SiC MESFET器件的制造与研究

大栅宽SiC MESFET器件的制造与研究

引用

全国第十二届微波集成电路与移动通信学术会议

作者：陈刚蒋幼泉李哲洋张涛吴鹏冯忠汪浩陈征陈雪兰柏松南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室210016

本论文针对S波段1mm、3.6mm、9mm、20mm多种大栅宽4H-SiC MESFET功率管的版图设计、制作工艺和微波性能进行研究及比较.采用半绝缘衬底的自主外延的SiC三层外延片,制作出单胞总栅宽1mm、3.6mm、9mm、20mm的芯片,经过装架、压丝,通过自... 详细信息

本论文针对S波段1mm、3.6mm、9mm、20mm多种大栅宽4H-SiC MESFET功率管的版图设计、制作工艺和微波性能进行研究及比较.采用半绝缘衬底的自主外延的SiC三层外延片,制作出单胞总栅宽1mm、3.6mm、9mm、20mm的芯片,经过装架、压丝,通过自主搭建的脉冲微波测试系统,在S波段2GHz频率脉冲测试条件下得到各个测试结果.

关键词： 4H碳化硅金属半导体场效应管微波技术宽禁带半导体

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

S波段4W SiC MESFET器件研制

S波段4W SiC MESFET器件研制

引用

2006全国第十一届微波集成电路与移动通信学术年会

作者：陈刚柏松张涛汪浩李哲洋陈雪兰蒋幼泉南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室210016

本论文介绍了S波段4H-SiC MESFET功率管的材料设计、制作工艺和微波性能.采用半绝缘衬底的自主研制的SiC三层外延片,成功制作出单胞1mm栅宽的芯片.经过装架、压丝,未作内匹配,单管器件在S波段2GHz频率连续波下,输出功率为4.1W,小信号增... 详细信息

本论文介绍了S波段4H-SiC MESFET功率管的材料设计、制作工艺和微波性能.采用半绝缘衬底的自主研制的SiC三层外延片,成功制作出单胞1mm栅宽的芯片.经过装架、压丝,未作内匹配,单管器件在S波段2GHz频率连续波下,输出功率为4.1W,小信号增益大于10dB,漏极效率η为35.5％.

关键词：碳化硅金属半导体场效应管宽禁带半导体微波性能

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

3.6mm SiC MESFET器件的射频功率特性

3.6mm SiC MESFET器件的射频功率特性

引用

第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

作者：陈刚柏松张涛李哲洋蒋幼泉南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室南京 210016

介绍了S波段3.6mm栅宽4H-SiC MESFET功率管的材料设计，制作工艺和微波性能研究。采用半绝缘衬底的自主外延的SiC三层外延片，成功制作出单胞3.6mm栅宽的芯片，经过装架、压丝，未作内匹配，单管器件在S波段2 GHz频率连续波下，输出功率... 详细信息

介绍了S波段3.6mm栅宽4H-SiC MESFET功率管的材料设计，制作工艺和微波性能研究。采用半绝缘衬底的自主外延的SiC三层外延片，成功制作出单胞3.6mm栅宽的芯片，经过装架、压丝，未作内匹配，单管器件在S波段2 GHz频率连续波下，输出功率为15.1W，小信号增益大于10dB，功率附加效率(PAE)为39％;在2GHz频率脉冲测试条件下，测试功率输出为18.3W，此时增益大于8dB。

关键词：金属-半导体场效应晶体管制造工艺材料性能优化设计

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

Al0.66Ga0.34N日盲紫外光电探测器研究

Al0.66Ga0.34N日盲紫外光电探测器研究

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：姜文海陈辰周建军李忠辉董逊南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室南京 210016

本文中采用MOCVD生长的高Al含量n-AlxGa1-x制备了MSM结构紫外日盲探测器。材料为非故意掺杂n型,表面无裂缝。经二轴X射线衍射(TAXRD)对外延材料进行测试,AlxGa1-x半峰宽(FWHM)为155 arcsec,显示了良好的晶体质量。经光谱响应测试,探测... 详细信息

本文中采用MOCVD生长的高Al含量n-AlxGa1-x制备了MSM结构紫外日盲探测器。材料为非故意掺杂n型,表面无裂缝。经二轴X射线衍射(TAXRD)对外延材料进行测试,AlxGa1-x半峰宽(FWHM)为155 arcsec,显示了良好的晶体质量。经光谱响应测试,探测器存在两个峰值响应,波长分别位于255nm和365nm处,说明探测器同时具有日盲探测和双色探测特征。存6V偏压下255nm处响应度为0.1A/W,并以此推算出AlxGa1-xN材料的Al含量为0.66。

关键词： MSM结构紫外日盲探测器光电探测器化学气相沉积法半峰宽

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

AlGaN/GaN HFET中的陷阱位置和激活能

AlGaN/GaN HFET中的陷阱位置和激活能

引用

第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：薛舫时单片集成电路与模块国家级重点实验室南京电子器件研究所南京210016

自洽求解薛定谔方程和泊松方程得到异质结能带和沟道阱基态、激发态及二维表面态的波函数.研究了表面陷阱位置及其激活能.发现表面高密度缺陷减薄了势垒层厚度,显著增强了热电子隧穿过程.从缺陷态发射电子和热电子隧穿构成的新陷阱模型... 详细信息

自洽求解薛定谔方程和泊松方程得到异质结能带和沟道阱基态、激发态及二维表面态的波函数.研究了表面陷阱位置及其激活能.发现表面高密度缺陷减薄了势垒层厚度,显著增强了热电子隧穿过程.从缺陷态发射电子和热电子隧穿构成的新陷阱模型出发,解释了HFET的瞬态电流和产生-复合噪声.最后讨论了改进材料生长和器件工艺来抑制陷阱效应,改善器件性能的途径.

关键词： AlGaN GaN场效应管陷阱位置激活能表面缺陷热电子隧穿薛定谔方程异质结能带

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

4H-SiC肖特基二极管α探测器研究

引用

核电子学与探测技术 2013年第1期33卷 57-61页

作者：陈雨范晓强蒋勇吴健白立新柏松陈刚李理四川大学物理科学与技术学院成都610064 中国工程物理研究院核物理与化学研究所绵阳621900 中国工程物理研究院中子物理重点实验室绵阳621900 南京电子器件研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室南京210016

碳化硅(SiC)是一种具有优良物理性能的宽禁带半导体材料,可作为探测器的优良探测介质。用241Am源5.486 MeV的α粒子研究4H-SiC肖特基二极管α探测器的能量分辨率和信号相对上升时间等特性。在真空室中,使SiC探测器暴露在α粒子下,SiC探... 详细信息

碳化硅(SiC)是一种具有优良物理性能的宽禁带半导体材料,可作为探测器的优良探测介质。用241Am源5.486 MeV的α粒子研究4H-SiC肖特基二极管α探测器的能量分辨率和信号相对上升时间等特性。在真空室中,使SiC探测器暴露在α粒子下,SiC探测器输出良好的响应信号。SiC二极管对5.486 MeVα粒子的能量分辨率最佳可达3.4%;经前置放大器FH1047输出和示波器观测,脉冲幅度随偏压增加而稳定在(35.39±0.21)mV;脉冲上升时间随偏压增加而稳定在(137.87±9.44)ns。4H-SiC肖特基二极管对α粒子响应良好,可用于α粒子强度测量。结合SiC耐辐照、耐高温等特性,进一步改进后有望制成分辨率更高、上升时间更快、耐辐照的新型α探测器和中子探测器。

关键词： α探测器肖特基二极管 4H—SiC

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

1-mm栅宽SiC MESFET微波功率器件研究

1-mm栅宽SiC MESFET微波功率器件研究

引用

第六届全国毫米波亚毫米波学术会议

作者：陈刚李拂晓邵凯张震柏松张涛汪浩李哲洋蒋幼泉黄念宁陈辰单片集成电路与模块国家级重点实验室南京电子器件研究所江苏210016

本文介绍了采用国产SiC外延片的4H-SiC MESFET 1 mm多栅器件的最新研制进展.制造出单栅宽100 um,总栅宽1 mm,栅长0.8 um的n沟道4H-SiC MESFET,其微波特性测试结果:在2 GHz频率下,漏端电压Vds=64 V时,最大输出功率为4.09 W(36.12 dBm),... 详细信息

本文介绍了采用国产SiC外延片的4H-SiC MESFET 1 mm多栅器件的最新研制进展.制造出单栅宽100 um,总栅宽1 mm,栅长0.8 um的n沟道4H-SiC MESFET,其微波特性测试结果:在2 GHz频率下,漏端电压Vds=64 V时,最大输出功率为4.09 W(36.12 dBm),相应增益为9.30 dB,功率附加效率PAE为31.3％,漏极效率n为35.5％.

关键词：碳化硅金属半导体场效应管微波功率器件单片集成电路

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

Si掺杂对于n型Al0.5Ga0.5N的影响

Si掺杂对于n型Al0.5Ga0.5N的影响

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：李亮李忠辉董逊周建军孔月婵姜文海陈辰南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室南京 210016

AIN缓冲层技术在蓝宝石衬底上通过MOCVD方法成功制备出0.5μm的Si掺杂Al0.5Ga0.5N外延薄膜,并对其电学、光学与结构特性进行了研究。Hall测量表明,在室温下n型Al0.5Ga0.5N中的载流子浓度和迁移率分别为1.2×1019cm-3和12cm2/V&a... 详细信息

AIN缓冲层技术在蓝宝石衬底上通过MOCVD方法成功制备出0.5μm的Si掺杂Al0.5Ga0.5N外延薄膜,并对其电学、光学与结构特性进行了研究。Hall测量表明,在室温下n型Al0.5Ga0.5N中的载流子浓度和迁移率分别为1.2×1019cm-3和12cm2/V·s载流子浓度随Si掺杂量的增加而增大。利用XRD和Raman等测量方法研究了Zi掺杂Al0.5Ga0.5N薄膜晶格常数c和Raman散射谱随SiH4流量的变化。随着SiH4流量的增大,Al0.5Ga0.5N薄膜的晶格常数c变小同时E2声子峰发生红移。这表明掺Si后Al0.5Ga0.5N薄膜中的压应力得到了一定程度的弛豫。

关键词：氮化镓外延薄膜硅掺杂 MOCVD法蓝宝石衬底载流子浓度

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

S波段SiC MESFET微波功率MMIC

S波段SiC MESFET微波功率MMIC

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：柏松蒋幼泉陈辰陈刚冯忠钱峰陈征吴鹏任春江李哲洋郑惟彬单片集成电路与模块国家级重点实验室南京电子器件研究所南京 210016

利用本实验室生长的半绝缘衬底上的4H-SiC外延材料开展了SiC MESFET和删TC的工艺技术研究。在实现SiC衬底减薄和通孔技术的基础上,采用微带技术以及全套的无源器件,设计并研制了国内第一片SiC微波功率MMIC。研制的SiC MMIC工作频段为S波... 详细信息

利用本实验室生长的半绝缘衬底上的4H-SiC外延材料开展了SiC MESFET和删TC的工艺技术研究。在实现SiC衬底减薄和通孔技术的基础上,采用微带技术以及全套的无源器件,设计并研制了国内第一片SiC微波功率MMIC。研制的SiC MMIC工作频段为S波段,在1.8-3.4GHz的频带内小信号增益大于12dB,漏电压为32v时带内脉冲输出功率超过5w。SiC MMIC小信号特性达到了设计的预期,但输出功率低于设计值。这是由于受到MIM电容耐压能力的限制,SiC MMIC的工作电压比较低。进一步的优化工作正在进行中。

关键词：碳化硅外延材料微波功率器件无源器件

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：