检索结果-内蒙古大学图书馆

耐250℃高温的1200 V-5 A 4H-SiC JBS二极管

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固体电子学研究与进展 2010年第2期30卷 F0003-F0003页

作者：倪炜江李宇柱李哲洋李赞陈辰陈效建南京电子器件研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室南京210016

碳化硅(4H-SiC)材料具有宽带隙、高饱和电子漂移速率和高热导率等优良特性,因此SiC电力电子器件在高功率、大电流、高频率、耐高温和抗辐射等方面相对于Si器件性能要优胜得多,被认为在更高功率、更苛刻环境下有取代Si的非常广泛的应用前景.

关键词：耐高温二极管电力电子器件 SiC 优良特性高热导率漂移速率器件性能

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导通和半绝缘衬底上的SiC MESFET

导通和半绝缘衬底上的SiC MESFET

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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：柏松陈刚李哲洋张涛汪浩蒋幼泉单片集成电路与模块国家级重点实验室南京电子器件研究所南京210016

本文分别在导通和半绝缘4H SiC衬底上生长了MESFET结构的外延并制成器件.两种衬底上的SiC MESFET具有类似的直流特性,饱和电流为350mA/mm,最大跨导为25-30 mS/mm,击穿电压大于120V.导通衬底上的SiC MESFET在2GHz 50V工作时饱和输出功率... 详细信息

本文分别在导通和半绝缘4H SiC衬底上生长了MESFET结构的外延并制成器件.两种衬底上的SiC MESFET具有类似的直流特性,饱和电流为350mA/mm,最大跨导为25-30 mS/mm,击穿电压大于120V.导通衬底上的SiC MESFET在2GHz 50V工作时饱和输出功率为1.75W;在相同条件下半绝缘衬底的SiC MESFET饱和输出功率为3.38W,64V工作时最大输出功率超过4W.缓冲层参致的不同是造成微波性能差异的主要原因.

关键词：碳化硅导通衬底半绝缘衬底微波功率 MESFET结构

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一种改进的增强型GaNHEMT大信号模型

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半导体技术 2015年第12期40卷 904-910页

作者：陈秋芬李文钧刘军陆海燕韩春林杭州电子科技大学教育部射频电路与系统重点实验室杭州310037 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路国家级重点实验室南京210016

提出一种改进的增强型GaN HEMT器件建模大信号模型。模型沟道电流方程和电荷方程均连续且高阶可导,栅电荷模型满足电荷守恒原则。提出的沟道电流模型可精确拟合实际器件正、反向区、截止区以及亚阈值区的直流特性。根据GaN HEMT器件特... 详细信息

提出一种改进的增强型GaN HEMT器件建模大信号模型。模型沟道电流方程和电荷方程均连续且高阶可导,栅电荷模型满足电荷守恒原则。提出的沟道电流模型可精确拟合实际器件正、反向区、截止区以及亚阈值区的直流特性。根据GaN HEMT器件特有的物理结构和电学特性,器件的自热效应、电流崩塌效应以及跨导频率分布效应在模型中进行了考虑。模型采用Verilog-A语言进行描述,并编译、链接入Agilent ADS工具。验证结果表明,模型仿真和测试数据在宽的偏压和频率范围内得到很好地吻合。

关键词：增强型GaN HEMT 大信号模型沟道电流模型栅电荷模型 Verilog-A语言

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基于基片集成波导的硅微机械滤波器

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固体电子学研究与进展 2010年第3期30卷 F0003-F0003页

作者：郁元卫贾世星朱健单片集成电路和模块国家级重点实验室南京电子器件研究所南京210016

基片集成波导(SIW)结构是在低损耗的基片上利用金属孔构成的波导结构,具有高品质因数、大功率特性和易于集成的优点,是最近微波电路研究的热点技术.滤波器是微波毫米波电路中最常用的器件,使用SIW可以实现高性能滤波器且保持体积小的优点.

关键词：基片集成波导微机械滤波器波导结构微波电路高品质因数毫米波电路功率特性热点技术

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X波段连续波119W GaN功率HEMT

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固体电子学研究与进展 2008年第4期28卷 F0003-F0003页

作者：钟世昌陈堂胜任春江焦刚陈辰邵凯杨乃彬单片集成电路与模块国家级重点实验室南京电子器件研究所南京210016

作为制造下一代微波功率器件的材料,GaN具有先天的性能优势,可以很好地满足高温、高频以及大功率器件的性能要求,在卫星通信、雷达等领域有着广泛的应用前景,是当前半导体技术最重要的发展前沿之一。经过多年努力,南京电子器件研究所最... 详细信息

作为制造下一代微波功率器件的材料,GaN具有先天的性能优势,可以很好地满足高温、高频以及大功率器件的性能要求,在卫星通信、雷达等领域有着广泛的应用前景,是当前半导体技术最重要的发展前沿之一。经过多年努力,南京电子器件研究所最近研制成功了X波段连续波功率输出119W的GaN功率HEMT,这是国内外关于GaN HEMT在X波段连续波输出超过100W的首次报道。

关键词：微波功率器件 HEMT 连续波 X波段南京电子器件研究所功率输出大功率器件半导体技术

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2～11GHz GaN HEMT功率MMIC

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固体电子学研究与进展 2009年第1期29卷 F0003-F0003页

作者：陈辰张斌陈堂胜焦刚任春江单片集成电路与模块国家级重点实验室南京电子器件研究所南京210016

GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)以其输出功率密度大、工作电压高和输出阻抗高等特点,在微波通信、雷达等领域有着广泛的应用前景,将成为下一代高频固态微波功率器件.

关键词：功率密度 MMIC HEMT GaN 高电子迁移率晶体管南京电子器件研究所微波单片集成电路输出阻抗

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MEMS层叠器件悬空结构划切方法研究

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电子工业专用设备 2019年第4期48卷 9-12页

作者：钱可强吴杰王冬蕊姜理利黄旼南京电子器件研究所南京210016 微波毫米波单片集成电路与模块国家级重点实验室南京210016

针对MEMS层叠器件悬空结构划切的各种缺陷,提出了分段进给式切割方法,通过多次切割同一个划切槽,切割深度依次增加,直到切割深度大于悬梁厚度,有效减小悬空结构底部崩边和裂纹。为解决划片槽覆盖有划切标记和介质钝化层的划片正面崩边问... 详细信息

针对MEMS层叠器件悬空结构划切的各种缺陷,提出了分段进给式切割方法,通过多次切割同一个划切槽,切割深度依次增加,直到切割深度大于悬梁厚度,有效减小悬空结构底部崩边和裂纹。为解决划片槽覆盖有划切标记和介质钝化层的划片正面崩边问题,进一步提出了预开槽分段进给式切割方案,用宽刀开槽,再用窄刀分段进给式切割,解决了悬空结构正面崩边和侧边裂纹等划切缺陷,使得崩边尺寸减小至10μm以内,大大提高成品率。

关键词：微机电系统层叠器件划片圆片级堆叠

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6 bit 1．8 GS／s模数转换器

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固体电子学研究与进展 2009年第2期29卷 F0003-F0003页

作者：张有涛李晓鹏刘奡张敏陈新宇钱峰单片集成电路与模块国家级重点实验室南京电子器件研究所南京210016

超高速模数转换器(ADC)是软件无线电、高速数据采集和宽带数字化雷达的关健组成部分.快闪(SLASH)ADC具有最高的转换速度,是设计超高速ADC的最佳选择,但是其功耗、面积都随分辨率指数增长,且对工艺离散敏感,因此需要综合考虑各项指标来... 详细信息

超高速模数转换器(ADC)是软件无线电、高速数据采集和宽带数字化雷达的关健组成部分.快闪(SLASH)ADC具有最高的转换速度,是设计超高速ADC的最佳选择,但是其功耗、面积都随分辨率指数增长,且对工艺离散敏感,因此需要综合考虑各项指标来进行芯片架构优化.

关键词：高速模数转换器 bit GS 高速数据采集软件无线电数字化雷达高速ADC 组成部分

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基于3英寸0.25μm工艺的GaN HEMT宽带功率MMIC

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固体电子学研究与进展 2011年第1期31卷 F0003-F0003页

作者：张斌陈堂胜任春江余旭明单片集成电路与模块国家级重点实验室南京电子器件研究所南京210016

GaN HEMT具有工作电压高、功率密度大、输出阻抗高、散热性能好等特点，大大扩展了功率MMIC的设计空间。具体表现在：GaN HEMT可工作于高电压下，同样的输出功率工作电流较小，大大简化了系统电源和电磁兼容设计；高密度的输出功率使得... 详细信息

GaN HEMT具有工作电压高、功率密度大、输出阻抗高、散热性能好等特点，大大扩展了功率MMIC的设计空间。具体表现在：GaN HEMT可工作于高电压下，同样的输出功率工作电流较小，大大简化了系统电源和电磁兼容设计；高密度的输出功率使得芯片面积和器件的封装得以减小；GaN HEMT更高的输出阻抗，扩展了器件工作带宽；

关键词： HEMT 0.25μm工艺功率密度 MMIC GaN 宽带电磁兼容设计输出阻抗

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S波段280W SiC内匹配脉冲功率管

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固体电子学研究与进展 2008年第2期28卷 -页

作者：柏松吴鹏陈刚冯忠李哲洋林川蒋幼泉陈辰邵凯单片集成电路与模块国家级重点实验室南京电子器件研究所南京210016

现代雷达和通讯系统要求不断地提高微波功率器件的功率、效率以及带宽.SiCMESFET具有高功率密度、高工作电压等优势,成为目前国际上重点研究的微波功率器件之一.

关键词：内匹配脉冲功率 SiC 波段

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