检索结果-内蒙古大学图书馆

电子显微学报 2006年第2期25卷 97-103页

作者：张琨林罡刘刚田扬超王晓平中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家实验室安徽合肥230026 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室江苏南京210016 中国科学技术大学合肥同步辐射国家实验室安徽合肥230026

电子束光刻是微电子技术领域重要的光刻技术之一,它可以制备特征尺寸10nm甚至更小的图形。随着电子束曝光机越来越多地进入科研领域,它在微纳加工、纳米结构的特性研究和纳米器件的制备等方面都呈现出重要的应用价值。本文以几种常见的... 详细信息

电子束光刻是微电子技术领域重要的光刻技术之一,它可以制备特征尺寸10nm甚至更小的图形。随着电子束曝光机越来越多地进入科研领域,它在微纳加工、纳米结构的特性研究和纳米器件的制备等方面都呈现出重要的应用价值。本文以几种常见的电子束曝光机为例,说明电子束光刻的工作原理和关键技术,并给出一些它在纳米器件和微纳加工方面的应用实例。

关键词：电子束光刻微纳加工纳米器件

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S波段20W单片功率PIN限幅器

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固体电子学研究与进展 2009年第3期29卷 F0003-F0003页

作者：彭龙新蒋幼泉黄子乾杨立杰李建平单片集成电路与模块国家级重点实验室南京210016 南京电子器件研究所南京210016

功率GaAs PIN限幅器已广泛地应用于微波系统中,以保护接收支路中的低噪声放大器.

关键词： PIN限幅器耐功率 S波段 PIN二极管单片低噪声放大器 GaAs 非线性模型

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水平热壁式CVD系统中生长源流量对外延速率及掺杂浓度的影响

水平热壁式CVD系统中生长源流量对外延速率及掺杂浓度的影响

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：李赞李哲洋董逊陈辰单片集成电路和模块国家级重点实验室中国科技集团公司第五十五研究所南京 210016

本文使用水平热壁式化学气相沉积(hot-wall CVD)系统,固定C/Si,改变生长源流量,在偏向方向8°的4H-SiC(0001)衬底上进行了一系列同质外延实验,研究了生长源流量对外延速率、掺杂浓度的影响以及不同生长速率下外延薄膜表面形貌。

本文使用水平热壁式化学气相沉积(hot-wall CVD)系统,固定C/Si,改变生长源流量,在偏向<11-20>方向8°的4H-SiC(0001)衬底上进行了一系列同质外延实验,研究了生长源流量对外延速率、掺杂浓度的影响以及不同生长速率下外延薄膜表面形貌。

关键词： 4H-SiC衬底化学气相沉积法碳硅比外延生长速率掺杂浓度

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水平热壁式CVD SiC外延均匀性研究

水平热壁式CVD SiC外延均匀性研究

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：李哲洋李赟董逊柏松陈刚陈辰单片集成电路和模块国家级重点实验室中国科技集团公司第五十五研究所南京 210016

研究了水平热壁式CVD(Hot-wall CVD)4H-SiC同质外延生长,通过优化载气氢气的流量获得低于1％(最好值为0.09％)的外延厚度均匀性(σ/m),碳硅比(C/Si)的改变对外延材料载流子浓度均匀性的分布有重要影响,通过优化S/Si比。获得低于7％(最... 详细信息

研究了水平热壁式CVD(Hot-wall CVD)4H-SiC同质外延生长,通过优化载气氢气的流量获得低于1％(最好值为0.09％)的外延厚度均匀性(σ/m),碳硅比(C/Si)的改变对外延材料载流子浓度均匀性的分布有重要影响,通过优化S/Si比。获得低于7％(最好值为4.37％)的载流子浓度均匀性。但当C/Si比大于1.9时,外延片表面形貌会出现退化。

关键词： 4H-SiC衬底化学气相沉积法碳硅比同质外延生长均匀性

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常见SiC CVD系统及其尾气处理装置

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智能电网 2015年第3期3卷 214-217页

作者：李赟钮应喜杨霏赵志飞朱志明单片集成电路和模块国家级重点实验室江苏省南京市210016 国网智能电网研究院北京市昌平区102209

采用化学气相沉积技术研制碳化硅外延薄膜有一个不能忽视的问题,就是如何处理外延过程中产生的尾气。介绍常用的两种不同类型的碳化硅化学气相沉积设备以及其对应的尾气处理装置;分析不同类型的碳化硅外延设备产生尾气的组分,重点描述... 详细信息

采用化学气相沉积技术研制碳化硅外延薄膜有一个不能忽视的问题,就是如何处理外延过程中产生的尾气。介绍常用的两种不同类型的碳化硅化学气相沉积设备以及其对应的尾气处理装置;分析不同类型的碳化硅外延设备产生尾气的组分,重点描述燃烧式及水洗式尾气处理装置的工作原理。

关键词：尾气碳化硅外延化学气相沉积

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生长源流量对SiC外延生长的影响

生长源流量对SiC外延生长的影响

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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：李赟李哲洋董逊陈辰中国电子科技集团公司第五十五研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室

使用水平热壁式化学气相沉积系统,固定生长源碳硅比(C/Si),改变生长源流量,在偏向〈1120〉方向8°的4H-SiC(0001)衬底上进行了一系列同质外延实验,研究了生长源流量对外延速率和掺杂浓度的影响。样品表面形貌通过原子力显微镜(AFM)... 详细信息

使用水平热壁式化学气相沉积系统,固定生长源碳硅比(C/Si),改变生长源流量,在偏向〈1120〉方向8°的4H-SiC(0001)衬底上进行了一系列同质外延实验,研究了生长源流量对外延速率和掺杂浓度的影响。样品表面形貌通过原子力显微镜(AFM)进行表征,在不影响薄膜质量的条件下成功将生长速率提高至12μm/h。

关键词： 4H-SiC 水平热壁式化学气相沉积碳硅比生长速率掺杂浓度

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水平热壁式CVD SiC外延均匀性研究

水平热壁式CVD SiC外延均匀性研究

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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：李哲洋李赟董逊柏松陈刚陈辰中国电子科技集团公司第五十五研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室

研究了水平热壁式CVD（hot-wall CVD）4H-SiC同质外延生长,通过优化载气H的流量获得低于1%（最好值为0.09%）的外延厚度均匀性（σ/mean）,碳硅比（C/Si）的改变对外延材料载流子浓度均匀性的分布有重要影响,通过优化C/Si比,获得低于7%... 详细信息

研究了水平热壁式CVD（hot-wall CVD）4H-SiC同质外延生长,通过优化载气H的流量获得低于1%（最好值为0.09%）的外延厚度均匀性（σ/mean）,碳硅比（C/Si）的改变对外延材料载流子浓度均匀性的分布有重要影响,通过优化C/Si比,获得低于7%（最好值为4.37%）的载流子浓度均匀性。但当C/Si比大于1.9时,外延片表面形貌会出现退化。

关键词： 4H-SiC 水平热壁式CVD 碳硅比均匀性

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InP基共振遂穿二极管隔离层厚度对器件I-V特性影响的研究

InP基共振遂穿二极管隔离层厚度对器件I-V特性影响的研究

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2007年全国微波毫米波会议

作者：韩春林张杨曾一平高建峰薛舫时陈辰单片集成电路和模块国家级重点实验室南京电子器件研究所中国科学院半导体研究所

本文对AlAs/InGaAs/InAs共振遂穿二极管(RTD)不同厚度隔离层对器件Ⅰ-Ⅴ特性的影响进行了研究,研究发现器件的峰谷电流密度在负微分电阻区会随着隔离层材料厚度的增加而降低,同时,在一定隔离层厚度范围内峰谷电流比随着隔离层材料厚度... 详细信息

本文对AlAs/InGaAs/InAs共振遂穿二极管(RTD)不同厚度隔离层对器件Ⅰ-Ⅴ特性的影响进行了研究,研究发现器件的峰谷电流密度在负微分电阻区会随着隔离层材料厚度的增加而降低,同时,在一定隔离层厚度范围内峰谷电流比随着隔离层材料厚度的增加而增加。通过优化材料结构,研制出峰谷电流比PVR=20的InP基RTD器件。

关键词：共振遂穿二极管分子束外延隔离层

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砷化镓仍然是微波半导体的主流技术

砷化镓仍然是微波半导体的主流技术

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：邵凯单片集成电路与模块国家级重点实验室中国电子科技集团公司南京电子器件研究所

氮化镓技术的逐步实用化引起了微波半导体业界的高度关注。但是传统的砷化镓除了在手机等大规模市场继续领先之外,在高可靠微波毫米波器件电路、高效毫米波功率放大器等高端应用场合仍然占有优势。因此在未来几年内砷化镓将仍然足微波... 详细信息

氮化镓技术的逐步实用化引起了微波半导体业界的高度关注。但是传统的砷化镓除了在手机等大规模市场继续领先之外,在高可靠微波毫米波器件电路、高效毫米波功率放大器等高端应用场合仍然占有优势。因此在未来几年内砷化镓将仍然足微波半导体的主流技术。文章对南京电子器件研究所的相关研究工作作了介绍。

关键词：砷化镓氮化镓微波半导体毫米波功率放大器

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应用于微波/毫米波领域的集成无源器件硅基转接板技术

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电子工业专用设备 2017年第4期46卷 20-23页

作者：黄旼朱健石归雄微波毫米波单片集成电路与模块国家级重点实验室南京210016 中国电子科技集团公司第五十五研究所南京210016

展示了一种应用于射频微系统领域的可以集成射频无源器件的硅基转接板结构。该结构将电感、电容、电阻、传输线和TSV等集成在适用于微波应用的高阻硅衬底上,可实现芯片级的CMOS、MMIC及MEMS多种不同材料器件集成。采用这种方法制备的传... 详细信息

展示了一种应用于射频微系统领域的可以集成射频无源器件的硅基转接板结构。该结构将电感、电容、电阻、传输线和TSV等集成在适用于微波应用的高阻硅衬底上,可实现芯片级的CMOS、MMIC及MEMS多种不同材料器件集成。采用这种方法制备的传输线损耗在40 GHz为0.34 dB/mm,电容密度达到1.05 fF/μm^2,2.5圈8 n H电感最大Q值在1.5 GHz达到16。这项制造技术与CMOS制造工艺兼容,可为超高集成度的三维集成型化射频微系统提供有力支撑。

关键词：集成无源器件硅通孔互补金属氧化物半导体转接板射频

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