检索结果-内蒙古大学图书馆

固体电子学研究与进展 2008年第1期28卷 57-62页

作者：黄炳华陈辰韦善革黎彬广西大学电气工程学院南宁530004 单片集成电路和模块国家级重点实验室南京210016

注入网络的基波电流iS1=0。则可由Gi(Um,ωS)=0和Bi(Um,ωS)=0求出基波解的频率和幅值(ωS,Um)。如果有n对合理的正实数(ωSi,Umi,i=1,2,3….n≠∞),同时满足式Gi=0和Bi=0,则原网络会对应地建立n个周期振荡。以上情况被称为基波解严格... 详细信息

注入网络的基波电流iS1=0。则可由Gi(Um,ωS)=0和Bi(Um,ωS)=0求出基波解的频率和幅值(ωS,Um)。如果有n对合理的正实数(ωSi,Umi,i=1,2,3….n≠∞),同时满足式Gi=0和Bi=0,则原网络会对应地建立n个周期振荡。以上情况被称为基波解严格存在。若由式Gi≤0,Bi≤0解出的频率和幅值有无限多组解(ωS,Um),分布在一定连续较广范围内,这表明基波解不但在更加广泛的范围内存在,且有向负载送出实功与虚功的能力。含多个平衡点的非线性网络,能够在相空间建立多个座标体系分析网络的全局稳定性。不同的参考体系,应得出相同的结论。但用多个不同的座标体系能够发现相图性状的变化规律。

关键词：非线性虚功功率极限环多谐振荡器

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硅基MEMS渐变式缝隙天线(英文)

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光学精密工程 2009年第6期17卷 1333-1337页

作者：侯芳朱健郁元卫陈辰南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室江苏南京210016

为了增加天线带宽,提高天线机械稳定性,改善天线性能,提出并设计制作了一种工作在35GHz的硅基MEMS渐变式缝隙天线。针对渐变式缝隙天线在毫米波频段介电常数高、衬底极薄、易碎、不易制作等问题,利用ICP深刻蚀工艺在衬底上形成了周期性... 详细信息

为了增加天线带宽,提高天线机械稳定性,改善天线性能,提出并设计制作了一种工作在35GHz的硅基MEMS渐变式缝隙天线。针对渐变式缝隙天线在毫米波频段介电常数高、衬底极薄、易碎、不易制作等问题,利用ICP深刻蚀工艺在衬底上形成了周期性通孔阵列,从而减小了衬底有效介电常数,增加了衬底厚度,同时利用共面波导-槽线对该天线进行馈电。仿真结果表明,该天线带宽为28.2%,增益为8.7dB。采用微机械工艺对该天线进行加工,测得其带宽为13.2%。与传统天线相比,该天线进一步提高了天线衬底的机械稳定性,增加了天线带宽,且易于集成。

关键词：微机电系统渐变式缝隙天线 CPW馈电

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AlGaN/GaN HEMT的B^+注入隔离

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固体电子学研究与进展 2007年第3期27卷 325-328,342页

作者：李肖陈堂胜李忠辉焦刚任春江单片集成电路与模块国家级重点实验室南京210016

报道了利用B+注入实现AlGaN/GaN HEMT的有源层隔离。通过优化离子注入的能量和剂量,获得了1011Ω/□的隔离电阻,隔离的高阻特性在700°C下保持稳定。分别制作了用B+注入和台面实现隔离的AlGaN/GaN HEMT,测试表明B+注入隔离的器件击... 详细信息

报道了利用B+注入实现AlGaN/GaN HEMT的有源层隔离。通过优化离子注入的能量和剂量,获得了1011Ω/□的隔离电阻,隔离的高阻特性在700°C下保持稳定。分别制作了用B+注入和台面实现隔离的AlGaN/GaN HEMT,测试表明B+注入隔离的器件击穿电压大于70V,相比于台面隔离器件40V的击穿电压有很大提高;B+注入隔离器件电流增益截止频率fT和最大振荡频率fmax分别达到15GHz和38GHz,相比台面隔离器件的12GHz和31GHz有一定程度提高。

关键词：离子注入隔离氮化镓高电子迁移率晶体管

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InP基RTD/HEMT集成的几个关键工艺研究

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固体电子学研究与进展 2010年第4期30卷 606-610,619页

作者：邹鹏辉韩春林高建峰康耀辉高喜庆陈辰单片集成电路与模块国家级重点实验室南京电子器件研究所南京210016

用MBE设备在半绝缘的InP衬底上依次生长高电子迁移率晶体管(HEMT)外延材料和共振遂穿二极管(RTD)外延材料,在此材料结构基础上研究和分析了RTD与HEMT器件单片集成工艺中的隔离工艺、欧姆接触工艺、HEMT栅挖槽工艺和空气桥工艺等几步关... 详细信息

用MBE设备在半绝缘的InP衬底上依次生长高电子迁移率晶体管(HEMT)外延材料和共振遂穿二极管(RTD)外延材料,在此材料结构基础上研究和分析了RTD与HEMT器件单片集成工艺中的隔离工艺、欧姆接触工艺、HEMT栅挖槽工艺和空气桥工艺等几步关键工艺,给出了这些工艺的相关参数。利用上述工艺成功地制作了RTD和HEMT器件,并在室温下分别测试了RTD器件和HEMT器件的电学特性。测试表明:在室温下,RTD器件的峰电流密度与谷电流密度之比(PVCR)为3.66;HEMT器件的最大跨导约为370 mS/mm,在Vds=1.5 V时的饱和电流约为391 mA/mm。这将为RTD与HEMT的单片集成研究奠定工艺基础。

关键词：共振遂穿二极管高电子迁移率晶体管空气桥互连

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AlInN/AlGaN复合势垒增强模GaN HFET

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固体电子学研究与进展 2011年第1期31卷 1-8页

作者：薛舫时单片集成电路与模块国家级重点实验室南京电子器件研究所南京210016

通过自洽求解薛定谔方程和泊松方程计算了势垒层挖槽过程中沟道阱能带和电子气密度的变化。研究了异质界面上极化电荷的大小和位置对沟道阱能带和能带剪裁力度的影响。发现帽层/势垒层界面上的界面阱会导致沟道电子波函数渗透到势垒层,... 详细信息

通过自洽求解薛定谔方程和泊松方程计算了势垒层挖槽过程中沟道阱能带和电子气密度的变化。研究了异质界面上极化电荷的大小和位置对沟道阱能带和能带剪裁力度的影响。发现帽层/势垒层界面上的界面阱会导致沟道电子波函数渗透到势垒层,引起能带畸变,降低电子的二维特性和输运性能。选用复合势垒并优化设计异质界面的能带带阶、极化电荷和AlN插入层,可以抬高界面阱的阱位,防止沟道电子波函数渗透到势垒层。AlInN/AlGaN复合势垒能显著提高挖槽中的能带剪裁力度,构筑出高导电的外沟道和在零栅压下夹断的内沟道,满足增强模工作要求。

关键词：增强模铝铟氮/铝镓氮复合势垒界面阱能带剪裁力度能带畸变

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X波段GaN单片电路低噪声放大器

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固体电子学研究与进展 2011年第1期31卷 16-19页

作者：周建军彭龙新孔岑李忠辉陈堂胜焦刚李建平单片集成电路和模块国家级重点实验室南京电子器件研究所南京210016

采用0.25μm GaN HEMT制备工艺在AlGaN/GaN异质结材料上研制了高性能X波段GaN单片电路低噪声放大器。GaN低噪声单片电路采取两级微带线结构,10 V偏压下芯片在X波段范围内获得了低于2.2 dB的噪声系数,增益达到18 dB以上,耐受功率达到了27... 详细信息

采用0.25μm GaN HEMT制备工艺在AlGaN/GaN异质结材料上研制了高性能X波段GaN单片电路低噪声放大器。GaN低噪声单片电路采取两级微带线结构,10 V偏压下芯片在X波段范围内获得了低于2.2 dB的噪声系数,增益达到18 dB以上,耐受功率达到了27 dBm。在耐受功率测试中发现GaN低噪声HEMT器件存在一定的恢复效应,并进行了相应讨论。

关键词：低噪声放大器微波单片集成电路氮化镓高迁移率晶体管

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GaN HFET的综合设计

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固体电子学研究与进展 2009年第4期29卷 473-479页

作者：薛舫时单片集成电路与模块国家级重点实验室南京电子器件研究所南京210016

从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发,研究了负极化电荷在强化沟道阱量子限制和能带剪裁中的作用。优化设计负极化电荷的位置后给出了新的复合势垒设计。提出了新的动态电流崩塌模型和二维异质结构概念,把原位Si3N4钝化和复合势垒结合... 详细信息

从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发,研究了负极化电荷在强化沟道阱量子限制和能带剪裁中的作用。优化设计负极化电荷的位置后给出了新的复合势垒设计。提出了新的动态电流崩塌模型和二维异质结构概念,把原位Si3N4钝化和复合势垒结合起来实现二维异质结构。用AlGaN/AlInN复合势垒解决了AlInNHFET中的欧姆接触电阻大和沟道不易夹断两大难题。通过能带剪裁和二维异质结构设计完成了包含钝化、场板电极、挖槽、薄势垒欧姆接触、GaN帽层和AlN插入层等方案优点的新综合设计。

关键词：氮化镓异质结场效应管铝镓氮/铝铟氮复合势垒能带剪裁动态电流崩塌模型二维异质结构综合设计

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1200V常开型4H-SiC VJFET

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固体电子学研究与进展 2011年第2期31卷 103-106页

作者：倪炜江李宇柱李哲洋李赟管邦虎陈征柏松陈辰南京电子器件研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室南京210016

用沟槽和离子注入方法在自主外延的4H导通型碳化硅晶圆上研制了垂直沟道结型场效应晶体管(VJFET)。在栅电压VG=-10 V时阻断电压达到1 200 V;在VG=2.5 V,VD=2V时的电流密度为395 A/cm2,相应的比导通电阻为5.06 mΩ·cm2。分析发现欧... 详细信息

用沟槽和离子注入方法在自主外延的4H导通型碳化硅晶圆上研制了垂直沟道结型场效应晶体管(VJFET)。在栅电压VG=-10 V时阻断电压达到1 200 V;在VG=2.5 V,VD=2V时的电流密度为395 A/cm2,相应的比导通电阻为5.06 mΩ·cm2。分析发现欧姆接触电阻是导通电阻的重要组成部分,改善欧姆接触可以进一步降低导通电阻。

关键词： 4H碳化硅常开型垂直沟道结型场效应晶体管比导通电阻

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GaN薄膜表面形貌与AlN成核层生长参数的关系

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固体电子学研究与进展 2011年第1期31卷 9-12页

作者：倪金玉李忠辉李亮董逊章咏梅许晓军孔月婵姜文海单片集成电路与模块国家级重点实验室南京电子器件研究所南京210016

采用金属有机物化学气相淀积技术生长了以AlN为成核层的GaN薄膜,研究了成核层生长时三甲基铝(TMAl)流量对最终GaN薄膜表面形貌的影响。研究结果表明,高质量的GaN薄膜只能在高TMAl流量下获得,采用充足的TMAl源才能形成满足需要的AlN成核... 详细信息

采用金属有机物化学气相淀积技术生长了以AlN为成核层的GaN薄膜,研究了成核层生长时三甲基铝(TMAl)流量对最终GaN薄膜表面形貌的影响。研究结果表明,高质量的GaN薄膜只能在高TMAl流量下获得,采用充足的TMAl源才能形成满足需要的AlN成核点,这是生长高质量GaN薄膜的一个先决条件。

关键词：氮化镓金属有机物化学气相淀积氮化铝成核层

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600 V-30 A 4H-SiC肖特基二极管作为IGBT续流二极管的研究

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固体电子学研究与进展 2010年第2期30卷 292-296页

作者：李宇柱倪炜江李哲洋李赟陈辰陈效建南京电子器件研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室南京210016

采用碳化硅外延和器件工艺制造了碳化硅肖特基(SBD)二极管,耐压超过600 V。正向压降为1.6 V时,器件电流达到30A。作为IGBT续流二极管,600 V碳化硅肖特基二极管和国际整流器公司的600 V超快恢复二极管(Ultra fast diode)进行了对比:125℃... 详细信息

采用碳化硅外延和器件工艺制造了碳化硅肖特基(SBD)二极管,耐压超过600 V。正向压降为1.6 V时,器件电流达到30A。作为IGBT续流二极管,600 V碳化硅肖特基二极管和国际整流器公司的600 V超快恢复二极管(Ultra fast diode)进行了对比:125℃IGBT模块动态开关测试中,碳化硅二极管的反向恢复能耗比硅二极管节省90%,相应的IGBT开通能耗节省30%。另外反向恢复中过电压从40%降为10%,这是由于碳化硅的软度高,提高了模块的可靠性。

关键词： 4H碳化硅肖特基二极管快恢复二极管软度

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