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语言

  • 145 篇 中文
检索条件"机构=单片集成电路和模块国家级重点实验室"
145 条 记 录,以下是51-60 订阅
排序:
可调增益均衡性宽带MMIC低噪声放大器设计
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电子与封装 2006年 第6期6卷 31-36页
作者: 汪珍胜 陈效建 郑惟彬 李辉 单片集成电路与模块国家级重点实验室 南京210016
文章提出了一种新颖的具有可调增益均衡特性的宽带全单片低噪声放大器电路设计方法,它将用于微波功率模块(MPM)的固态功率放大器(SSPA)链前端中的两项功能独立的电路(多单片宽带低噪声放大器LNA和单片宽带频率均衡放大器FEA)组合设计... 详细信息
来源: 评论
OEIC台面腐蚀工艺研究
收藏 引用
固体电子学研究与进展 2009年 第2期29卷 241-244页
作者: 范超 栗锐 陈堂胜 杨立杰 冯欧 冯忠 陈辰 焦世龙 叶玉堂 电子科技大学光电信息学院 成都610054 单片集成电路与模块国家级重点实验室 南京210016 南京电子器件研究所 南京210016
深入研究了牺牲层腐蚀机制,摸索出完整的台面自停止工艺并实际应用于OEIC器件制作。实验中发现了侧蚀、台面变形以及表面清洁等问题。从实验现象着手分析,并由此对工艺进行了改进,采用了新的腐蚀剂和工艺步骤。改进后的工艺解决了上述问... 详细信息
来源: 评论
2.5Gb/s GaAsPIN/PHEMT单片集成光接收机前端
收藏 引用
光电子.激光 2008年 第2期19卷 191-195页
作者: 焦世龙 叶玉堂 陈堂胜 杨先明 李拂晓 邵凯 吴云峰 电子科技大学光电信息学院 四川成都610054 单片集成电路与模块国家级重点实验室 江苏南京210016 南京电子器件研究所 江苏南京210016
采用0.5μm GaAs PHEMT工艺,研制了一种PIN光探测器和分布放大器单片集成850nm光接收机前端。探测器光敏面直径为30μm,电容为0.25pF,10V反向偏压下的暗电流小于20nA。分布放大器-3dB带宽接近20GHz,跨阻增益约46dBΩ;在50MHz^16GHz范围... 详细信息
来源: 评论
20GHz宽带GaAs PHEMT分布式前置放大器
收藏 引用
电子学报 2007年 第5期35卷 955-958页
作者: 焦世龙 陈堂胜 蒋幼泉 钱峰 李拂晓 邵凯 叶玉堂 电子科技大学光电信息学院 四川成都610054 单片集成电路与模块国家级重点实验室 江苏南京210016 南京电子器件研究所 江苏南京210016
采用0.5μm GaAs PHEMT工艺研制了一种光接收机分布式前置放大器.该放大器-3dB带宽接近20GHz,跨阻增益约46dBΩ;在50MHz^16GHz范围内,输入、输出电压驻波比(VSWR)均小于2;带内噪声系数在3.03~6.5dB之间,平均等效输入噪声电流密度约为14.... 详细信息
来源: 评论
664GHz接收前端技术研究
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微波学报 2015年 第S1期31卷 14-17页
作者: 姚常飞 周明 罗运生 魏翔 张君直 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室 南京210016 南京电子器件研究所微波毫米波模块电路事业部 南京210016
基于X波段源,通过9×2×2次倍频链实现了输出约1-2m W的320-356GHz全固态倍频源。该信号源作为本振信号驱动664GHz接收前端的二次谐波混频器,该混频器采用了有源偏置技术以降低混频器的本振驱动功率和接收机的噪声温度。仿真结... 详细信息
来源: 评论
短波长OEIC光接收机前端设计及制作
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微电子学 2008年 第5期38卷 713-717页
作者: 范超 陈堂胜 陈辰 焦世龙 陈镇龙 刘霖 王昱琳 叶玉堂 电子科技大学光电信息学院 成都610054 单片集成电路与模块国家级重点实验室 南京210016
基于国内的材料和工艺技术,研制出850nm单片集成光接收机前端,集成形式包括PIN/TIA、PIN/DA、MSM/TIA和MSM/DA等。对光探测器和电路分别进行了研究和优化。通过Silvaco软件,建立了探测器器件模型,并通过实验数据验证。分布放大器-3dB带... 详细信息
来源: 评论
水平热壁式CVD SiC外延均匀性研究
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半导体技术 2008年 第S1期33卷 269-272页
作者: 李哲洋 李赟 董逊 柏松 陈刚 陈辰 中国电子科技集团公司第五十五研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室 南京210016
研究了水平热壁式CVD(hot-wall CVD)4H-SiC同质外延生长,通过优化载气H2的流量获得低于1%(最好值为0.09%)的外延厚度均匀性(σ/mean),碳硅比(C/Si)的改变对外延材料载流子浓度均匀性的分布有重要影响,通过优化C/Si比,获得低于7%(最好值... 详细信息
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10Gb/s GaAs PHEMT Current Mode Transimpedance Preamplifier for Optical Receiver
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Journal of Semiconductors 2007年 第1期28卷 24-30页
作者: 焦世龙 叶玉堂 陈堂胜 冯欧 蒋幼泉 范超 李拂晓 电子科技大学光电信息学院 成都610054 单片集成电路与模块国家级重点实验室 南京210016 南京电子器件研究所 南京210016
A single power supply common-gate (CG) current mode transimpedance preamplifier (TIA) is developed with a 0.5μm GaAs PHEMT process. The amplifier has a measured - 3dB bandwidth of 7. 5GHz and a transimpedance gai... 详细信息
来源: 评论
基于表面势的HEMT模型分析
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半导体技术 2010年 第4期35卷 320-324页
作者: 吕彬义 孙玲玲 孔月婵 陈辰 刘军 陈磊 单片集成电路与模块国家级重点实验室 南京210016 杭州电子科技大学教育部射频电路与系统重点实验室 杭州310018
将表面势的概念引入GaAs高电子迁移率晶体管器件结构,以建立可精确描述HEMT器件输入/出特性的新模型。通过分析最基本的HEMT结构,参考Si基MOSFET中Pao-sah模型的分析方法,对沟道电荷利用泊松方程表述,并结合能带电压关系,建立HEMT器件... 详细信息
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生长源流量对SiC外延生长的影响
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半导体技术 2008年 第S1期33卷 266-268页
作者: 李赟 李哲洋 董逊 陈辰 中国电子科技集团公司第五十五研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室 南京210016
使用水平热壁式化学气相沉积系统,固定生长源碳硅比(C/Si),改变生长源流量,在偏向〈1120〉方向8°的4H-SiC(0001)衬底上进行了一系列同质外延实验,研究了生长源流量对外延速率和掺杂浓度的影响。样品表面形貌通过原子力显微镜(AFM)... 详细信息
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