咨询与建议

限定检索结果

文献类型

  • 101 篇 期刊文献
  • 44 篇 会议

馆藏范围

  • 145 篇 电子文献
  • 0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

  • 144 篇 工学
    • 122 篇 电子科学与技术(可...
    • 95 篇 材料科学与工程(可...
    • 10 篇 光学工程
    • 6 篇 信息与通信工程
    • 4 篇 仪器科学与技术
    • 3 篇 核科学与技术
    • 2 篇 电气工程
    • 2 篇 化学工程与技术
    • 1 篇 机械工程
    • 1 篇 控制科学与工程
    • 1 篇 计算机科学与技术...
  • 5 篇 理学
    • 3 篇 物理学
    • 3 篇 化学

主题

  • 12 篇 碳化硅
  • 11 篇 高电子迁移率晶体...
  • 11 篇 4h-sic
  • 10 篇 4h碳化硅
  • 9 篇 氮化镓
  • 8 篇 能带剪裁
  • 7 篇 微波单片集成电路
  • 6 篇 碳硅比
  • 6 篇 欧姆接触
  • 6 篇 hemt
  • 6 篇 共振遂穿二极管
  • 5 篇 电子束光刻
  • 5 篇 离子注入
  • 5 篇 二维电子气
  • 5 篇 肖特基二极管
  • 5 篇 sic
  • 5 篇 微波功率
  • 5 篇 宽禁带半导体
  • 5 篇 眼图
  • 4 篇 mesfet

机构

  • 40 篇 单片集成电路与模...
  • 37 篇 南京电子器件研究...
  • 34 篇 南京电子器件研究...
  • 17 篇 电子科技大学
  • 10 篇 单片集成电路和模...
  • 10 篇 南京电子器件研究...
  • 9 篇 南京大学
  • 9 篇 单片集成电路与模...
  • 4 篇 中国电子科技集团...
  • 4 篇 单片集成电路和模...
  • 3 篇 中国工程物理研究...
  • 3 篇 四川大学
  • 3 篇 杭州电子科技大学
  • 2 篇 南京电子器件研究...
  • 2 篇 东南大学
  • 2 篇 国网智能电网研究...
  • 2 篇 广西大学
  • 2 篇 南京电子器件研究...
  • 2 篇 微波毫米波单片集...
  • 1 篇 中国科学院半导体...

作者

  • 53 篇 陈辰
  • 37 篇 陈刚
  • 36 篇 柏松
  • 36 篇 李哲洋
  • 33 篇 陈堂胜
  • 26 篇 薛舫时
  • 22 篇 chen chen
  • 21 篇 董逊
  • 19 篇 蒋幼泉
  • 19 篇 chen tangsheng
  • 18 篇 李忠辉
  • 17 篇 周建军
  • 16 篇 任春江
  • 14 篇 bai song
  • 13 篇 李拂晓
  • 13 篇 li zheyang
  • 13 篇 xue fangshi
  • 13 篇 李赟
  • 12 篇 chen gang
  • 12 篇 冯忠

语言

  • 145 篇 中文
检索条件"机构=单片集成电路和模块国家级重点实验室"
145 条 记 录,以下是61-70 订阅
排序:
A 10Gb/s GaAs PHEMT High Gain Preamplifier for Optical Receivers
收藏 引用
Journal of Semiconductors 2007年 第12期28卷 1902-1911页
作者: 焦世龙 杨先明 赵亮 李辉 陈镇龙 陈堂胜 邵凯 叶玉堂 电子科技大学光电信息学院 成都610054 南京电子器件研究所 南京210016 单片集成电路与模块国家级重点实验室 南京210016
A high gain cascade connected preamplifier for optical receivers is developed with 0.5μm GaAs PHEMT technology from the Nanjing Electronic Devices Institute. To begin with, the transimpedance amplifier has a -3dB ban... 详细信息
来源: 评论
微波等离子体化学气相沉积法合成高导热金刚石材料及器件应用进展
收藏 引用
硅酸盐学报 2022年 第7期50卷 1852-1864页
作者: 赵继文 郝晓斌 赵柯臣 李一村 张森 刘康 代兵 郭怀新 韩杰才 朱嘉琦 哈尔滨工业大学 特种环境复合材料技术国家级重点实验室哈尔滨150080 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210006 哈尔滨工业大学 微系统与微结构制造教育部重点实验室哈尔滨150080
随着第3代半导体的应用,电子器件向高功率、小型化发展,由此带来的“热”问题逐渐凸显,金刚石由于其超高的热导率及稳定的性质,被认为是最优的散热材料之一。简要介绍了微波等离子体化学气相沉积装备的原理及发展历程,对比分析了不同种... 详细信息
来源: 评论
6~18GHz单片联型单分布功率放大器设计
收藏 引用
电子与封装 2006年 第5期6卷 29-32,4页
作者: 曹海勇 陈效建 钱峰 单片集成电路与模块国家级重点实验室 江苏南京210016
联型单分布放大器CSSDA是一种新的宽带放大器电路结构,不但具有带宽大、驻波特性好的特点,更具有增益高、易联的优点。文章在对CSSDA特点分析及其与传统分布式放大器CDA 比较的基础上,讨论了此种电路用于功率放大器设计时的难点... 详细信息
来源: 评论
基于4H-SiC肖特基二极管的中子探测器
收藏 引用
原子能科学技术 2013年 第4期47卷 664-668页
作者: 蒋勇 吴健 韦建军 范晓强 陈雨 荣茹 邹德慧 李勐 柏松 陈刚 李理 四川大学原子与分子物理研究所 四川成都610065 中国工程物理研究院核物理与化学研究所 四川绵阳621900 南京电子器件研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室 江苏南京210016
针对当前极端环境下耐辐照半导体中子探测器的需求,采用耐高温、耐辐照的碳化硅宽禁带半导体材料,利用6 Li(n,α)3 H核反应原理,研制了基于4H-SiC肖特基二极管的中子探测器。利用磁控溅射完成中子转化层的制作,并用SEM表征6 LiF膜厚。... 详细信息
来源: 评论
离子注入工艺在4H-SiC器件中的应用
收藏 引用
半导体技术 2008年 第S1期33卷 252-255页
作者: 李春 陈刚 南京电子器件研究所五中心 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室 南京210016
介绍了离子注入工艺可在SiC器件中形成欧姆接触,其电阻值经退火后可达到10-6Ω.cm2;同时也可利用离子注入在平面工艺中形成良好的电学隔离,避免工艺复杂化,提高了成品率。最后通过B+注入形成边缘终端制作4H-SiC肖特基势垒二极管的例子... 详细信息
来源: 评论
5Gb/s单片集成GaAs MSM/PHEMT 850nm光接收机前端
收藏 引用
Journal of Semiconductors 2007年 第4期28卷 587-591页
作者: 焦世龙 陈堂胜 钱峰 冯欧 蒋幼泉 李拂晓 邵凯 叶玉堂 电子科技大学光电信息学院 成都610054 单片集成电路与模块国家级重点实验室 南京210016 南京电子器件研究所 南京210016
采用0.5μm GaAs PHEMT工艺研制出了一种单片集成850nm光接收机前端,它包括金属-半导体-金属(MSM)光探测器和分布放大器.探测器光敏面积为50μm×50μm,电容为0.17pF,4V偏压下的暗电流小于17nA.分布放大器-3dB带宽接近20GHz,跨阻增... 详细信息
来源: 评论
GaN HFET中的噪声
收藏 引用
中国电子科学研究院学报 2009年 第2期4卷 125-131页
作者: 薛舫时 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室 南京210016
从GaN异质结沟道阱中电子状态出发研究了HFET中的噪声产生机理。用沟道阱中子带间散射解释了迁移率起伏引起的1/f噪声。从电子状态转移及不同状态间的跃迁出发解释了各类噪声实验结果。建立了沟道阱能带与HFET噪声性能间的关联。运用正... 详细信息
来源: 评论
Ku波段6W GaAs内匹配功率管
Ku波段6W GaAs内匹配功率管
收藏 引用
第六届全国毫米波亚毫米波学术会议
作者: 钟世昌 陈堂胜 林罡 李拂晓 单片集成电路与模块电路国家级重点实验室 江苏210016
本文介绍了采用介质辅助T型栅工艺研制的12 mm GaAs功率PHEMT.用一枚这种芯片采用内匹配技术制成Ku波段6 W内匹配管.在13.5~14.0 GHz频带内,饱和输出功率6.45 W,功率增益7.1 dB,功率附加效率34%.
来源: 评论
GaN HFET的沟道夹断特性和强电场下的电流崩塌
收藏 引用
微纳电子技术 2006年 第10期43卷 453-460,469页
作者: 薛舫时 陈堂胜 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室 南京210016
从自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程出发,研究了纵、横向电场作用下GaNHFET沟道中的电子态和夹断特性。建立了不同异质结构和电场梯度下的电荷控制模型;运用热电子隧穿电流崩塌模型解释了强场电流崩塌的实验结果;强调了沟道夹断特性对... 详细信息
来源: 评论
微波功率AlGaN/GaN HFET的二维能带和异质结构设计
收藏 引用
中国电子科学研究院学报 2007年 第5期2卷 456-463页
作者: 薛舫时 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室 南京210016
在综述微波功率AlGaN/GaN HFET技术发展趋势基础上,提出了二维异质结能带优化设计的新课题。从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发研究了利用异质界面上的极化电荷来剪裁异质结能带。用极化电荷设计近矩形前势垒能增大高能热电子的隧穿... 详细信息
来源: 评论