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作者

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语言

  • 145 篇 中文
检索条件"机构=单片集成电路和模块国家级重点实验室"
145 条 记 录,以下是71-80 订阅
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GaN HFET的性能退化
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微纳电子技术 2007年 第11期44卷 976-984,1007页
作者: 薛舫时 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室 南京210016
在综述大功率AlGaN/GaN HFET性能退化实验结果的基础上,研究了器件退化与电流崩塌间的关联。分析了现有各类器件失效模型的优点和不足之处。通过沟道中强电场和热电子分布的研究,完善了热电子触发产生缺陷陷阱的器件退化模型。使用这一... 详细信息
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SiC MESFET中Ti/Pt/Au肖特基接触稳定性的研究
收藏 引用
半导体技术 2008年 第10期33卷 859-861,916页
作者: 崔晓英 黄云 恩云飞 陈刚 柏松 信息产业部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室 广州510610 南京电子器件研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室 南京210016
SiC是一种在高功率和高温应用中涌现的非常重要的半导体材料。研究了一种国产SiC MESFET器件在300℃温度应力下,存储1 000 h Ti/Pt/Au栅肖特基势垒接触的稳定性以及器件电学特性的变化。实验结果表明在300℃温度应力下,器件的最大饱和... 详细信息
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利用空气桥技术实现InP基共振遂穿二极管器件
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中国电子科学研究院学报 2009年 第5期4卷 516-518页
作者: 韩春林 邹鹏辉 高建峰 薛舫时 张政 耿涛 陈辰 单片集成电路和模块国家级重点实验室南京电子器件研究所 南京210016
优化设计了InGaAs/AlAs/InP共振遂穿二极管(RTD)材料结构,并用MBE设备在(100)半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料。利用电子束光刻工艺和空气桥互连技术,制作了InP基RTD器件。并在温下测试了器件的电学特性:峰值电流密度78kA/cm2,峰... 详细信息
来源: 评论
高温正向栅电流下Ti/Pt/Au栅SiC MESFET的栅退化机理
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微电子学 2009年 第1期39卷 132-136页
作者: 崔晓英 黄云 恩云飞 陈刚 柏松 工业和信息化部电子第五研究所 电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室 广州510610 南京电子器件研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室 南京210016
SiC MESFET器件的性能强烈依赖于栅肖特基结的特性,而栅肖特基接触的稳定性直接影响其可靠性。针对SiC MESFET器件在微波频率的应用中射频过驱动导致高栅电流密度的现象,设计了两种栅极大电流的条件,观察栅肖特基接触和器件特性的变化,... 详细信息
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单片集成GaAs增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管
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电子与封装 2009年 第6期9卷 29-32页
作者: 章军云 林罡 陈堂胜 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室 南京210016
介绍了单片集成GaAs增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺。借助栅金属的热处理过程,形成了热稳定性良好的Pt/Ti/Pt/Au栅。AFM照片结果表明Pt金属膜表面非常平整,2nm厚度膜的粗糙度RMS仅为0.172nm。通过实验,我们还得出第一层P... 详细信息
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凹槽栅场板结构的AlGaN/GaN HEMT特性分析
凹槽栅场板结构的AlGaN/GaN HEMT特性分析
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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者: 陈辰 陈堂胜 任春江 薛舫时 南京大学 210008 单片集成电路和模块国家级重点实验室 210016
本文对比了研制的(a)无场调制板结构,(b)有场调制板结构但无凹槽栅,(c)结合场调制板结构和凹槽栅工艺三种AlGaN/GaNHEMT的动态I-V特性和微波特性,认为场调制板结构和凹槽栅工艺可以有效改善AlGaN/GaN HEMT器件沟道内电场分布,显著减小... 详细信息
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高介电BST材料对MIS结构AlGaN/GaN HEMT器件性能的影响
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半导体技术 2008年 第S1期33卷 98-101页
作者: 周建军 张继华 陈堂胜 任春江 焦刚 李忠辉 陈辰 杨传仁 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室 南京210016 电子科技大学微电子与固体电子学院 成都610054
采用衬底同步加热磁控溅射的高介电BST材料作为栅绝缘层,研制了BST/Al GaN/GaNMIS结构HEMT器件。通过对器件直流和高频特性的测试以及与同样厚度Si N MIS结构对比,分析了高介电BST材料作为栅绝缘层对Al GaN/GaN MIS HEMT器件性能的影响... 详细信息
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栅长90nm的晶格匹配InAlAs/InGaAs/InP HEMT
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电子与封装 2009年 第7期9卷 34-36页
作者: 高喜庆 高建峰 康耀辉 张政 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室 南京210016
文章报道了90nm栅长的晶格匹配InP基HEMT器件。栅图形是通过80kV的电子束直写的,并采用了优化的三层胶工艺。器件做在匹配的InAlAs/InGaAs/InPHEMT材料上。当Vds=1.0V时,两指75μm栅宽器件的本征峰值跨导达到720ms/mm,最大电流密度为500... 详细信息
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12 Gb/s GaAs PHEMT跨阻抗前置放大器
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电子学报 2006年 第6期34卷 1156-1158页
作者: 焦世龙 冯暐 陈堂胜 范超 李拂晓 叶玉堂 电子科技大学光电信息学院 四川成都610054 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室 江苏南京210016
采用0.5μm GaAs PHEMT工艺研制了一种单电源偏置光接收机跨阻抗前置放大器.放大器-3dB带宽约为9.5GHz;在50MHz^7.5GHz范围内,跨阻增益为43.5±1.5dBΩ,输入输出回波损耗均小于-10dB;带内噪声系数在4dB^6.5dB之间,由此得到的最小等... 详细信息
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GaN高电子迁移率晶体管高频噪声特性的研究
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微波学报 2011年 第6期27卷 84-88页
作者: 陈勇波 周建军 徐跃杭 国云川 徐锐敏 电子科技大学电子工程学院 成都611731 南京电子器件研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室 南京210016
基于FUKUI噪声模型,分析了GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件的高频噪声特性,结果表明,由于GaN HEMT具有更高的临界电场和更大的电子饱和速度,与第2代半导体器件(GaAs HEMT等)相比具有更优越的噪声性能。对近10多年来国内外在GaN HEMT低... 详细信息
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