检索结果-内蒙古大学图书馆

半导体技术 2008年第S1期33卷 247-249页

作者：陈刚陈雪兰柏松李哲洋韩平南京大学物理系江苏省光电信息功能材料重点实验室南京210008 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室南京210016

研究了4H-SiC外延片中的缺陷对制作出的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管的电学性能的影响。SiC的外延生长是通过LPCVD外延设备在偏8°的(0001)Si面4H-SiC单晶片上进行的,衬底材料来自外购,同质生长的SiC外延层掺杂为n型,掺杂浓度5×1... 详细信息

研究了4H-SiC外延片中的缺陷对制作出的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管的电学性能的影响。SiC的外延生长是通过LPCVD外延设备在偏8°的(0001)Si面4H-SiC单晶片上进行的,衬底材料来自外购,同质生长的SiC外延层掺杂为n型,掺杂浓度5×1015cm-3,厚度为10μm。通过对外延好的4H-SiC片进行2cm×2cm划片,使用扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)及喇曼光谱多种测试手段对边长为2cm的方形SiC外延材料的表面形貌、缺陷和晶型进行了分析研究,制作了简单的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管,制造的二极管为直径110μm的圆形。简述了制作肖特基势垒二极管的相关工艺流程;通过电学测试得到了性能较好的特性参数为理想因子n=1.24,势垒高度=0.87eV,击穿电压在650V。

关键词： 4H-SiC 缺陷肖特基二极管理想因子势垒高度测试

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一种850nm单片集成光接收机前端

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固体电子学研究与进展 2007年第3期27卷 350-355页

作者：冯欧冯忠杨立杰焦世龙蒋幼泉陈堂胜李拂晓叶玉堂南京电子器件研究所GaAs工程中心南京210016 单片集成电路与模块国家级重点实验室南京210016 电子科技大学光电信息学院成都610054

采用0.5μm GaAs PHEMT工艺和台面光刻互连工艺研制了一种850nm光接收机前端单片电路,包括金属-半导体-金属光探测器和跨阻前置放大器。探测器光敏面积约2000μm2,电容小于0.15pF,4V偏压下的暗电流小于14nA。跨阻前置放大器-3dB带宽接近... 详细信息

采用0.5μm GaAs PHEMT工艺和台面光刻互连工艺研制了一种850nm光接收机前端单片电路,包括金属-半导体-金属光探测器和跨阻前置放大器。探测器光敏面积约2000μm2,电容小于0.15pF,4V偏压下的暗电流小于14nA。跨阻前置放大器-3dB带宽接近10GHz,跨阻增益约43dBΩ。光接收机前端在输入2.5Gb/s非归零伪随机二进制序列调制的850nm光信号下得到较为清晰的输出眼图。

关键词：金属-半导体-金属光探测器跨阻前置放大器光电集成电路台面眼图

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微波大功率SiC MESFET及MMIC

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中国电子科学研究院学报 2009年第2期4卷 137-139页

作者：柏松陈刚吴鹏李哲洋郑惟彬钱峰南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室南京210016

利用本实验室生长的4H-SiC外延材料开展了SiC MESFET和MMIC的工艺技术研究。研制的SiC MESFET采用栅场板结构,显示出优异的脉冲功率特性,20mm栅宽器件在2GHz脉冲输出功率达100W。将四个20mm栅宽的SiC MESFET芯片通过内匹配技术进行功率... 详细信息

利用本实验室生长的4H-SiC外延材料开展了SiC MESFET和MMIC的工艺技术研究。研制的SiC MESFET采用栅场板结构,显示出优异的脉冲功率特性,20mm栅宽器件在2GHz脉冲输出功率达100W。将四个20mm栅宽的SiC MESFET芯片通过内匹配技术进行功率合成,合成器件的脉冲功率超过320W,增益8.6dB。在实现SiC衬底减薄和通孔技术的基础上,设计并研制了国内第一片SiC微波功率MMIC,在2～4GHz频带内小信号增益大于10dB,脉冲输出功率最大超过10W。

关键词： SiC MESFET 微波功率宽带 MMIC

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8.5GHz～10GHz GaAs准单片功率放大器

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电子与封装 2007年第10期7卷 29-32页

作者：王义李拂晓唐世军郑维彬单片集成电路及模块电路国家级重点实验室南京电子器件研究所南京210016

文章介绍了一种准单片形式的功率放大器,采用南京电子器件研究所研制的12mm栅宽的GaAs pHEMT功率管芯,设计了准单片电路形式的匹配电路,设计所得的功率放大器在8.5GHz^10GHz频带范围内,输出功率典型值为5W,功率增益大于6dB,相对带宽大于... 详细信息

文章介绍了一种准单片形式的功率放大器,采用南京电子器件研究所研制的12mm栅宽的GaAs pHEMT功率管芯,设计了准单片电路形式的匹配电路,设计所得的功率放大器在8.5GHz^10GHz频带范围内,输出功率典型值为5W,功率增益大于6dB,相对带宽大于16%,典型功率附加效率为25%,输入电压驻波比小于2.5。

关键词： GaAs pHEMT 宽带准单片功率放大器

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InP基共振遂穿二极管研究

InP基共振遂穿二极管研究

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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：韩春林薛舫时高建峰陈辰南京电子器件研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室

在实验中对InGaAs/AlAs/InP共振遂穿二极管（RD）进行了优化设计,并用MBE设备在（100）半绝缘InP单晶片上生长了RD外延材料。采用电子束光刻工艺和空气桥互连技术,制作了InP基RD器件。在室温下测试了器件的电学特性,峰值电流密度24.6 kA... 详细信息

在实验中对InGaAs/AlAs/InP共振遂穿二极管（RD）进行了优化设计,并用MBE设备在（100）半绝缘InP单晶片上生长了RD外延材料。采用电子束光刻工艺和空气桥互连技术,制作了InP基RD器件。在室温下测试了器件的电学特性,峰值电流密度24.6 kA/cm,峰谷电流比为8.6。通过MALAB软件对器件I-V测试曲线进行了数值拟合,结果与实验数据吻合得很好。

关键词：共振遂穿二极管空气桥 MATLAB 电子束光刻分子束外延

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L波段16.5W/cm碳化硅静电感应晶体管研究

L波段16.5W/cm碳化硅静电感应晶体管研究

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2013年全国微波毫米波会议

作者：陈刚李理蒋浩陶然柏松李赟尹志军单片集成电路和模块国家级重点实验室南京电子器件研究所

本文通过采用导通4H-SiC衬底上的同质多层外延材料,成功制作出L波段SiC SIT（静电感应晶体管）。该器件研制中,采用了介质辅助剥离、高能离子注入及高温退火、密集栅凹槽、介质钝化等工艺,有效抑制了漏电并提高了器件击穿电压,器件功率... 详细信息

本文通过采用导通4H-SiC衬底上的同质多层外延材料,成功制作出L波段SiC SIT（静电感应晶体管）。该器件研制中,采用了介质辅助剥离、高能离子注入及高温退火、密集栅凹槽、介质钝化等工艺,有效抑制了漏电并提高了器件击穿电压,器件功率输出能力由此得到提升。正向特性测试:在栅压+3.5V,漏压10V时,0.5mm栅宽的SIT的电流密度达到130mA/mm,G=24mS/mm。反向特性测试:V=-12V时,BV=202V,电压增益BV gain=22;V=-16V:BV=320V,最大达到440V。最终4cm栅宽SiC SIT器件,在L波段的1GHz、80V工作电压下,脉冲宽度100μs,占空比1%时,输出功率达到了66W,功率密度16.5W/cm,此时功率增益为6.2dB。脉冲宽度100μs,占空比10%时,输出功率最大达到56.89W,同时功率增益为5.55dB,效率为35.55%。

关键词：碳化硅静电感应晶体管 SiC SIT

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4H-SiC MESFET工艺中的金属掩膜研究

4H-SiC MESFET工艺中的金属掩膜研究

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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：陈刚李哲洋陈征冯忠陈雪兰柏松南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室

在4H-SiC MESFE微波功率器件制造技术中干法刻蚀是一个很重要的工艺,而对SiC外延片的RIE、ICP等干法刻蚀来说,有光刻胶、Ni、Al和NiSi化合物等多种掩膜方法,其中用光刻胶做掩膜时刻蚀形成的台阶角度缓,不垂直,而Ni、Al等金属掩膜在干法... 详细信息

在4H-SiC MESFE微波功率器件制造技术中干法刻蚀是一个很重要的工艺,而对SiC外延片的RIE、ICP等干法刻蚀来说,有光刻胶、Ni、Al和NiSi化合物等多种掩膜方法,其中用光刻胶做掩膜时刻蚀形成的台阶角度缓,不垂直,而Ni、Al等金属掩膜在干法刻蚀后易形成接近垂直的台阶。通过对Ni、Al、NiSi化合物等多种金属掩膜的研究,得到了干法刻蚀台阶垂直且表面状况良好的Ni金属掩膜条件,最终成功制备出9 mm SiC MESFE微波功率器件,在2GHz脉冲输出功率超过38 W,功率增益9 dB。

关键词： 4H碳化硅金属掩膜金属-肖特基势垒FET

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采用场板和边缘终端技术的大电流Ni／4H-SiCSBDs

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固体电子学研究与进展 2009年第4期29卷 611-614页

作者：陈刚秦宇飞柏松李哲洋韩平南京大学物理系江苏省光电信息功能材料重点实验室南京210008 南京电子器件研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室南京210016 空军第一航空学院飞机战伤抢修技术研究所河南信阳464000

研究了4H-SiC低缺陷密度外延层的制造和Ni/SiC肖特基势垒二极管的正、反向电学特性。采用了偏8°4H-SiC衬底上台阶控制外延方法进行同质外延,外延温度1580℃,最后得到了低缺陷密度的3英寸外延片。采用了原子力显微镜和扫描电子显微... 详细信息

研究了4H-SiC低缺陷密度外延层的制造和Ni/SiC肖特基势垒二极管的正、反向电学特性。采用了偏8°4H-SiC衬底上台阶控制外延方法进行同质外延,外延温度1580℃,最后得到了低缺陷密度的3英寸外延片。采用了原子力显微镜和扫描电子显微镜进行了测试。在外延片上进行的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管的制造,采用了B+离子注入形成的一个非晶区域作为边缘终端,然后使用经过1000℃下退火10min的PECVD生长的SiO2作为场板介质。最终得到的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管的理想因子为1.03,势垒高度为1.6eV,在反向偏压1102V时,漏电流密度只有1.15×10-3A/cm2。在正向压降3.5V时得到了7.47A的大电流输出,特征导通电阻为6.22Ω.cm2。

关键词：碳化硅退火肖特基势垒理想因子势垒高度离子注入

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SiC半导体探测器性能测量研究

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核电子学与探测技术 2012年第12期32卷 1372-1375,1427页

作者：蒋勇范晓强荣茹吴建柏松李理中国工程物理研究院核物理与化学研究所四川绵阳621900 四川大学原子与分子物理研究所四川成都610065 南京电子器件研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室江苏南京210016

采用241Am-α粒子源测量了研制的SiC半导体探测器的上升时间、脉冲幅度以及能量分辨率等性能,计算了空气和肖特基Ni/Au层厚度对α粒子的能量损失,测量了抽真空和加不同偏压等条件对SiC探测器性能的影响。计算表明:0.8 cm的空气层对α粒... 详细信息

采用241Am-α粒子源测量了研制的SiC半导体探测器的上升时间、脉冲幅度以及能量分辨率等性能,计算了空气和肖特基Ni/Au层厚度对α粒子的能量损失,测量了抽真空和加不同偏压等条件对SiC探测器性能的影响。计算表明:0.8 cm的空气层对α粒子有20%的能量损失,3.5μm的肖特基Au层对α粒子有39%的能量损失。在1 700 Pa的低真空环境中、350 V偏压下SiC探测器达到最佳工作条件,此时探测器的上升时间为76.9 ns,输出幅度为22.8 mV,能量分辨率为13.7%。采用更薄肖特基金属镀层(≤0.1μm)可制备出更高能量分辨率的SiC探测器。

关键词： SiC探测器宽禁带 α粒子能量分辨率

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3英寸Si基AlGaN/GaN/异质结材料生长

3英寸Si基AlGaN/GaN/异质结材料生长

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第十一届全国MOCVD学术会议

作者：李忠辉李亮董逊张岚姜文海单片集成电路与模块国家级重点实验室南京电子器件研究所

利用MOCVD在Si（111）衬底上生长了3英寸无裂纹的GaN外延薄膜和AIGaN/GaN异质结构。通过优化衬底浸润处理时间、AIN层厚度等参数获得了无裂纹的GaN外延薄膜,研究了缓冲层和插入层厚度对AlGaN/GaN异质结电学性质的影响,2DEG的迁移率和浓... 详细信息

利用MOCVD在Si（111）衬底上生长了3英寸无裂纹的GaN外延薄膜和AIGaN/GaN异质结构。通过优化衬底浸润处理时间、AIN层厚度等参数获得了无裂纹的GaN外延薄膜,研究了缓冲层和插入层厚度对AlGaN/GaN异质结电学性质的影响,2DEG的迁移率和浓度分别达到1580cm/Vs和1.0×10cm。

关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管二维电子气

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