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基于T形阳极GaAs肖特基二极管薄膜集成电路工艺的664 GHz次谐波混频器

红外与毫米波学报 2021年第5期40卷 634-637页

作者：牛斌钱骏范道雨王元庆梅亮戴俊杰林罡周明陈堂胜南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室江苏南京210016 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司江苏南京210016 南京安太芯电子有限公司江苏南京210016

报道了用于冰云探测的基于0.5μm T形阳极砷化镓肖特基二极管薄膜集成电路工艺664 GHz次谐波混频器。为降低器件寄生参数,提升太赫兹频段电路性能,设计并分析了了T形阳极GaAsSBD器件结构,开发了厚度仅5μm的薄膜电路工艺。混频器芯片组... 详细信息

报道了用于冰云探测的基于0.5μm T形阳极砷化镓肖特基二极管薄膜集成电路工艺664 GHz次谐波混频器。为降低器件寄生参数,提升太赫兹频段电路性能,设计并分析了了T形阳极GaAsSBD器件结构,开发了厚度仅5μm的薄膜电路工艺。混频器芯片组装成664 GHz接收模块,经测试室温下664 GHz最小双边带变频损耗达到9.9 dB。

关键词：砷化镓肖特基二极管薄膜电路次谐波混频器

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基于3ω电学法的微纳级半导体材料传热能力测试方法及系统

基于3ω电学法的微纳级半导体材料传热能力测试方法及系统

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作者：郭怀新王瑞泽李义壮戴家赟陈堂胜 210000 江苏省南京市秦淮区永智路6号南京白下高新技术产业园区四号楼1006室

本发明公开了一种基于3ω电学法的微纳级半导体材料传热能力测试方法及系统，测试方法包括半导体薄膜测试隔离层设计与制备、热电信号电极设计与制备、3ω电学法参数控制与测试、微纳级半导体材料传热能力高精度计算分析。基于3ω电学... 详细信息

标准号: CN117191865A

本发明公开了一种基于3ω电学法的微纳级半导体材料传热能力测试方法及系统，测试方法包括半导体薄膜测试隔离层设计与制备、热电信号电极设计与制备、3ω电学法参数控制与测试、微纳级半导体材料传热能力高精度计算分析。基于3ω电学法，通过对半导体薄膜测试隔离层设计与制备、热电信号电极设计与制备、3ω电学法参数控制与测试、实现对微纳级厚度微纳级半导体材料传热能力的高精度测试，为微纳级微纳级半导体材料传热能力测试表征提供了新的测试技术，更具有经济性，满足半导体器件热管理技术开发中对微纳级薄膜或其界面的传热能力表征需求。

关键词：传热能力半导体材料电学法制备测试半导体薄膜参数控制电极设计热电信号隔离层测试方法及系统半导体器件高精度测试测试表征测试技术技术开发精度计算热管理薄膜分析

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一种半导体激光器芯片与LNOI光芯片的异构集成结构

一种半导体激光器芯片与LNOI光芯片的异构集成结构

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作者：钱广孔月婵陈堂胜 210000 江苏省南京市秦淮区永智路6号南京白下高新技术产业园区四号楼1006室

本发明公开了一种半导体激光器芯片与LNOI光芯片的异构集成结构，包括镶嵌槽、激光器芯片、SiN锥形结构、LNOI锥形结构、过渡凹槽和LNOI集成光路；镶嵌槽位于SiN锥形结构和LNOI锥形结构中间，激光器芯片通过贴片材料键合在镶嵌槽中，激... 详细信息

标准号: CN111585166B

本发明公开了一种半导体激光器芯片与LNOI光芯片的异构集成结构，包括镶嵌槽、激光器芯片、SiN锥形结构、LNOI锥形结构、过渡凹槽和LNOI集成光路；镶嵌槽位于SiN锥形结构和LNOI锥形结构中间，激光器芯片通过贴片材料键合在镶嵌槽中，激光器发光端面嵌入双层锥形结构并与其对准，同时实现激光器芯片光模场向LNOI光路中的尺寸转变和低损耗耦合，且在对准端面加入折射率匹配胶、增透膜以进一步降低耦合损耗，满足半导体激光器芯片与LNOI光芯片的低插损集成需求。本发明将双层的SiN锥形结构和LNOI锥形结构两侧挖空，降低锥形结构侧面辐射和散射，有效降低LNOI锥形结构与LNOI集成光路的光耦合损耗。

关键词：锥形结构激光器芯片镶嵌槽半导体激光器芯片集成光路光芯片对准双层锥形结构折射率匹配胶光耦合损耗发光端面过渡凹槽集成结构集成需求贴片材料耦合损耗激光器耦合低损耗光模场增透膜散射插损光路键合挖空异构嵌入侧面辐射

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一种适用于3ω电学法的大尺寸晶圆级衬底热测试变温环境控制装置

一种适用于3ω电学法的大尺寸晶圆级衬底热测试变温环境控制装置

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作者：郭怀新姜文海陈堂胜 210000 江苏省南京市秦淮区永智路6号南京白下高新技术产业园区四号楼1006室

本发明涉及一种适用于3ω电学法的大尺寸晶圆级衬底热测试变温环境控制装置，包括装置控制腔体、晶圆级衬底承载台、电路探针互联模块、测试温控模块、温度显示模块及真空控制模块；装置控制腔体用于实现其他模块的集成固定；晶圆级衬... 详细信息

标准号: CN115394673A

本发明涉及一种适用于3ω电学法的大尺寸晶圆级衬底热测试变温环境控制装置，包括装置控制腔体、晶圆级衬底承载台、电路探针互联模块、测试温控模块、温度显示模块及真空控制模块；装置控制腔体用于实现其他模块的集成固定；晶圆级衬底承载台用于大尺寸晶圆级衬底材料的固定和温度控制；电路探针互联模块用于解决热导率测试过程中测试样品的电信号输入和监测；测试温控模块用于控制装置内环境温度调控；真空控制模块用于控制装置内环境的真空度调控。本发明解决了现有3ω电学法热测试装置无法对大尺寸晶圆衬底直接进行任意环境条件下热导率测试的问题，提升基于3ω电学法的热测试能力和环境适用性。

关键词：晶圆级衬底电学法热测试真空控制模块热导率测试互联模块控制装置温控模块装置控制承载台内环境腔体探针电路环境控制装置温度显示模块电信号输入环境适用性测试测试样品衬底材料温度调控变温晶圆调控监测

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一种离子注入氧化实现自对准石墨烯晶体管的制造方法

一种离子注入氧化实现自对准石墨烯晶体管的制造方法

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作者：吴云曹正义 210000 江苏省南京市秦淮区永智路6号南京白下高新技术产业园区四号楼1006室

本发明公开了一种离子注入氧化实现自对准石墨烯晶体管的制造方法，将复合金属膜同离子注入技术结合实现晶体管的自对准。本发明利用不同金属、石墨烯之间氧化性能的不同，以区域选择离子注入的方式实现栅介质的氧化，实现晶体管栅极和... 详细信息

标准号: CN110137075A

本发明公开了一种离子注入氧化实现自对准石墨烯晶体管的制造方法，将复合金属膜同离子注入技术结合实现晶体管的自对准。本发明利用不同金属、石墨烯之间氧化性能的不同，以区域选择离子注入的方式实现栅介质的氧化，实现晶体管栅极和源/漏极的对准，可有效降低寄生、避免石墨烯裸露，制备高质量栅介质，提升石墨烯晶体管的频率特性。

关键词：石墨烯晶体管栅介质自对准离子离子注入技术复合金属膜晶体管栅极频率特性区域选择氧化性能源/漏极寄生制备对准裸露金属制造

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一种自对准低欧姆接触电阻GaN HEMT器件及其制造方法

一种自对准低欧姆接触电阻GaN HEMT器件及其制造方法

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作者：朱广润张凯周建军陈堂胜 210000 江苏省南京市秦淮区永智路6号南京白下高新技术产业园区四号楼1006室

本发明涉及一种自对准超低欧姆接触电阻GaN HEMT器件及其制造方法，主要解决了超高频器件尺寸极限微缩条件下对栅源、栅漏间距的有效调制问题，并且具备较高的工艺稳定性，可以实现实验室外的生产制造；所述器件包括衬底、缓冲层、高掺... 详细信息

标准号: CN112885899A

本发明涉及一种自对准超低欧姆接触电阻GaN HEMT器件及其制造方法，主要解决了超高频器件尺寸极限微缩条件下对栅源、栅漏间距的有效调制问题，并且具备较高的工艺稳定性，可以实现实验室外的生产制造；所述器件包括衬底、缓冲层、高掺杂n⁺‑GaN层、源极、势垒层、栅极、势垒金属层和漏极。所述器件基本制造流程为先制造出肖特基T型栅结构，利用所述T型栅结构的金属栅帽作为浮空掩膜，结合高各向异性刻蚀技术，实现对源漏区域的定义，进而实现可靠的短欧姆接触间距，有效降低GaN基器件沟道中载流子渡越时间带来的寄生延时，提升器件截止频率性能。

关键词：制造载流子各向异性刻蚀欧姆接触电阻超高频器件工艺稳定性势垒金属层尺寸极限截止频率欧姆接触器件沟道提升器件源漏区域高掺杂缓冲层金属栅势垒层肖特基自对准寄生衬底对栅浮空漏极微缩延时掩膜源极栅漏调制室外生产

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一种片上光电集成接收前端芯片的制备方法

一种片上光电集成接收前端芯片的制备方法

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作者：王宇轩李冠宇孔月婵陈堂胜 210000 江苏省南京市秦淮区永智路6号南京白下高新技术产业园区四号楼1006室

本发明公开了一种片上光电集成接收前端芯片的制备方法，该方法通过将光电探测器从原衬底上剥离转移至跨阻放大器芯片所在衬底表面，并通过片上布线的方式实现探测器与跨阻放大器之间信号的互联；本发明充分发挥磷化铟(InP)PIN+HBT光电... 详细信息

标准号: CN113871378B

本发明公开了一种片上光电集成接收前端芯片的制备方法，该方法通过将光电探测器从原衬底上剥离转移至跨阻放大器芯片所在衬底表面，并通过片上布线的方式实现探测器与跨阻放大器之间信号的互联；本发明充分发挥磷化铟(InP)PIN+HBT光电集成接收前端芯片的器件组合优势，又可以解决传统单片集成PIN+HBT共享生长法所面临的性能折中的瓶颈，提升芯片的整体性能：本方法采用剥离转移方法将非同衬底上生长并完成工艺的探测器集成在已完成工艺的跨阻放大器衬底上，实现最优性能下二者器件之间的近距离集成，提升最终光电集成接收前端芯片的性能。本发明有望推广至其他光电集成芯片的制造领域，具有较好的通用性。

关键词：光电集成接收前端芯片跨阻放大器衬底芯片剥离光电探测器探测器集成衬底表面传统单片组合优势最优性能生长近距离磷化铟探测器布线制备互联瓶颈共享制造

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一种大功率限幅器及其制备方法

一种大功率限幅器及其制备方法

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作者：戴家赟孔月婵王飞王铭郭怀新陈堂胜 210000 江苏省南京市秦淮区永智路6号南京白下高新技术产业园区四号楼1006室

本发明涉及一种大功率限幅器及其制备方法，该方法包括：在PIN限幅二极管材料表面制备台面结构；正面旋涂粘附剂；与临时载片正面相对临时键合；衬底减薄；在完成减薄后的PIN二极管材料背面制备键合金属；在高导热导电衬底正面制备键合... 详细信息

标准号: CN114023825A

本发明涉及一种大功率限幅器及其制备方法，该方法包括：在PIN限幅二极管材料表面制备台面结构；正面旋涂粘附剂；与临时载片正面相对临时键合；衬底减薄；在完成减薄后的PIN二极管材料背面制备键合金属；在高导热导电衬底正面制备键合金属；将减薄后的PIN二极管背面和导电衬底正面进行键合；将导电衬底背面进行减薄；制备下电极金属；将临时载片与导电衬底进行分离，并清洗划片；得到由高导热导电衬底及键合到其正面的PIN二极管构成的大功率限幅器。本发明将Si PIN或GaAs PIN二极管从原始热导率较低的Si衬底或GaAs衬底上剥离下来，集成到热导率更高的衬底上，有效提升PIN限幅管的耐受功率。

关键词：导电衬底制备键合减薄大功率限幅器衬底正面高导热热导率金属背面限幅二极管衬底背面衬底减薄临时键合台面结构载片正面下电极粘附剂划片耐受限幅旋涂载片清洗剥离

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一种单晶压电薄膜体声波谐振器的制备方法

一种单晶压电薄膜体声波谐振器的制备方法

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作者：戴家赟王飞王元孔月婵 210000 江苏省南京市秦淮区永智路6号南京白下高新技术产业园区四号楼1006室

本发明公开了一种单晶压电薄膜体声波谐振器的制备方法，其步骤有：在衬底上生长单晶压电薄膜，压电薄膜上方制备上电极；图形化，构成分立的谐振器器件区域；在器件上方光刻通孔，并分别刻蚀上电极和压电薄膜；通过通孔在器件区域下方... 详细信息

标准号: CN115580253A

本发明公开了一种单晶压电薄膜体声波谐振器的制备方法，其步骤有：在衬底上生长单晶压电薄膜，压电薄膜上方制备上电极；图形化，构成分立的谐振器器件区域；在器件上方光刻通孔，并分别刻蚀上电极和压电薄膜；通过通孔在器件区域下方形成一个空腔；通过ALD在上电极上方、通孔内部、压电薄膜背面和空腔内部沉积金属；对上电极上方进行图形化，得到由上电极、单晶压电薄膜、下电极组成的单晶压电薄膜体声波谐振器。本发明不用通过晶圆键合工艺即可实现带有空腔的谐振器结构，有效避免了复杂的晶圆键合工艺过程，对异质衬底上晶格失配和热失配的外延单晶AlN薄膜的潜在破坏，以及因此导致的谐振器失效问题。并且工艺简单，易于批量加工。

关键词：电极单晶压电薄膜压电薄膜通孔体声波谐振器晶圆键合图形化衬底制备谐振器结构谐振器器件沉积金属工艺过程晶格失配空腔内部批量加工器件区域失效问题外延单晶热失配下电极谐振器分立光刻刻蚀空腔异质背面生长

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一种三维集成芯片的空气桥结构保护方法

一种三维集成芯片的空气桥结构保护方法

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作者：王飞戴家赟孔月婵吴立枢陈堂胜 210000 江苏省南京市秦淮区永智路6号南京白下高新技术产业园区四号楼1006室

本发明公开了一种三维集成芯片的空气桥结构保护方法，其主要步骤有：清洗待键合芯片；在待键合芯片正面制作电镀种子层；在待键合芯片种子层上光刻出保护阵列图形；利用光刻好的图形电镀出空气桥结构保护阵列；去除光刻胶，清洗待键合... 详细信息

标准号: CN111092048B

本发明公开了一种三维集成芯片的空气桥结构保护方法，其主要步骤有：清洗待键合芯片；在待键合芯片正面制作电镀种子层；在待键合芯片种子层上光刻出保护阵列图形；利用光刻好的图形电镀出空气桥结构保护阵列；去除光刻胶，清洗待键合芯片；去除电镀种子层；再次清洗待键合芯片；进行键合集成工艺。本发明在不影响芯片性能的前提下，通过二次电镀工艺在微波芯片正面制备一层微凸点阵列，形成空气桥的保护结构，使得键合过程中对芯片正面施加的压力不会作用在空气桥结构上，避免其被压断，有效提高三维集成芯片的成品率和可靠性。

关键词：键合芯片空气桥结构清洗电镀种子层三维集成去除芯片保护结构二次电镀集成工艺键合过程图形电镀微波芯片芯片正面影响芯片阵列图形成品率光刻胶空气桥微凸点种子层上光光刻键合制备施加制作

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