检索结果-内蒙古大学图书馆

固体电子学研究与进展 2002年第2期22卷 131-136页

作者：杨铮施毅顾书林沈波张荣郑有炓南京大学物理系和固体微结构国家重点实验室 210093

碳纳米管有着众多独特的性质 ,尤其是它的电学性质。近几年来 ,碳纳米管的研究已展示出了在纳米电子器件上的应用前景 ,即通过构建尺寸只有几十纳米甚至更小的基于碳纳米管的电子器件和连线 ,实现速度远快于而功耗远小于目前集成电路的... 详细信息

碳纳米管有着众多独特的性质 ,尤其是它的电学性质。近几年来 ,碳纳米管的研究已展示出了在纳米电子器件上的应用前景 ,即通过构建尺寸只有几十纳米甚至更小的基于碳纳米管的电子器件和连线 ,实现速度远快于而功耗远小于目前集成电路的碳纳米管集成电路。文中在讨论碳纳米管电学性质的基础上 ,主要介绍基于碳纳米管的结。

关键词：碳纳米管电子器件场效应晶体管单电子晶体管分子节 PN结交叉结

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分子束外延及溅射法制备Co/Cu多层膜结构与磁电阻的比较研究

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物理学报 1997年第10期46卷 2047-2053页

作者：赵宏武别青山杜军鹿牧眭云霞翟宏如夏慧南京大学固体微结构物理国家重点实验室现代分析中心北京有色金属研究总院

对用分子束外延（ＭＢＥ）和溅射方法制备的Ｃｏ／Ｃｕ多层膜样品分别进行了结构及磁性研究．Ｘ射线分析表明两者均有良好的调制周期性，并且前者形成外延单晶结构，铁磁共振研究表明了面内六次各向异性对称的存在，说明此超晶格具有完... 详细信息

对用分子束外延（ＭＢＥ）和溅射方法制备的Ｃｏ／Ｃｕ多层膜样品分别进行了结构及磁性研究．Ｘ射线分析表明两者均有良好的调制周期性，并且前者形成外延单晶结构，铁磁共振研究表明了面内六次各向异性对称的存在，说明此超晶格具有完整的面内二维结构．磁电阻测量发现，溅射制备的多层膜具有较高的磁电阻值并明显地随Ｃｕ层厚度而振荡，相应的室温磁电阻峰值分别为２７％，２４％，１４％；而ＭＢＥ制备的超晶格的磁电阻较小，其第二峰的数值只有７％．ＭＢＥ超晶格界面处可能具有超顺磁性，对磁电阻和磁化强度的不同的外场依赖关系有一定的影响．

关键词：分子束外延溅射钴/铜膜薄膜磁电阻

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实际晶体的生长机制

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人工晶体学报 2019年第9期48卷 1574-1583页

作者：闵乃本南京大学固体微结构物理国家重点实验室

实际晶体中的缺陷在生长过程中将减小乃至完全消除表面二维成核的势垒,成为永不消失的台阶源,对晶体生长动力学有重要影响。本文将总结本实验室在该领域中所完成的系统研究,从晶体缺陷所引起的结构变化和缺陷在表面露头处的原子组态出发... 详细信息

实际晶体中的缺陷在生长过程中将减小乃至完全消除表面二维成核的势垒,成为永不消失的台阶源,对晶体生长动力学有重要影响。本文将总结本实验室在该领域中所完成的系统研究,从晶体缺陷所引起的结构变化和缺陷在表面露头处的原子组态出发,系统地讨论晶体生长的位错机制、层错机制、孪晶机制以及重入角生长和粗糙面生长的协同机制。

关键词：位错层错孪晶二维成核亚台阶粗糙面平滑面重入射角

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多功能超构表面的相位调控机制及研究进展

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光学学报 2022年第21期42卷 19-31页

作者：刘梦蛟李添悦戈钦王漱明王振林祝世宁南京大学物理学院固体微结构物理国家重点实验室江苏南京210093

从分析超构单元的相位调控原理入手,讨论如何利用多个光学自由度实现多功能的光学响应。作为验证,以非晶硅矩形纳米柱组成的超构表面为例,展示了不同相位机制对光场的多维度调控能力。该研究为超构表面的灵活设计提供理论支持,同时对多... 详细信息

从分析超构单元的相位调控原理入手,讨论如何利用多个光学自由度实现多功能的光学响应。作为验证,以非晶硅矩形纳米柱组成的超构表面为例,展示了不同相位机制对光场的多维度调控能力。该研究为超构表面的灵活设计提供理论支持,同时对多功能超构器件的研究进展进行介绍和展望。

关键词：物理光学超构材料相位调控复用技术偏振光学

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铁磁-d波超导结中的粗糙界面散射和自旋反转效应对隧道谱的影响

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物理学报 2001年第9期50卷 1779-1782页

作者：董正超淮阴师范学院物理系南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室南京210093

考虑到铁磁层中的自旋极化效应、以及界面的粗糙散射和自旋反转效应 ,利用推广了的Blonder Tinkham Klap wijk理论模型 ,计算铁磁 d波超导结中的自旋极化隧道谱 .研究表明 1)自旋反转效应能使零偏压电导峰变得尖锐 ;2 )粗糙的界面散射... 详细信息

考虑到铁磁层中的自旋极化效应、以及界面的粗糙散射和自旋反转效应 ,利用推广了的Blonder Tinkham Klap wijk理论模型 ,计算铁磁 d波超导结中的自旋极化隧道谱 .研究表明 1)自旋反转效应能使零偏压电导峰变得尖锐 ;2 )粗糙的界面散射除了能压低零偏压电导峰的高度 ,还能使零偏压凹陷处感应出一中心峰 .结果能定性地解释最近的两篇关于La2 3 Ba1 3 MnO3 DyBa2 Cu3O7与La2 3 Ba1 3 MnO3 YBa2 Cu3O7-δ结中的实验报道 .

关键词：自旋极化效应自旋反转效应粗糙界面散射效应铁磁-d波超导结自旋极化隧道谱

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复合量子点MOSFET结构存储器的电路模拟

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电子学报 2004年第11期32卷 1793-1795页

作者：闾锦施毅濮林杨红官杨铮郑有炓南京大学物理系和固体微结构物理国家重点实验室江苏南京210093

本文采用准经典近似的MonteCarlo方法对复合量子点MOSFET结构存储器的等效单电子电路进行了模拟 .研究结果表明 ,由于台阶状的复合隧穿势垒的作用 ,存储器的存储时间特性可得到极大提高 .我们进一步研究了N沟道锗 /硅复合量子点MOSFET... 详细信息

本文采用准经典近似的MonteCarlo方法对复合量子点MOSFET结构存储器的等效单电子电路进行了模拟 .研究结果表明 ,由于台阶状的复合隧穿势垒的作用 ,存储器的存储时间特性可得到极大提高 .我们进一步研究了N沟道锗 /硅复合量子点MOSFET结构存储器的时间特性 ,得到其存储时间可长达数年 ,同时写擦时间可分别为 μs和ns量级。

关键词：复合量子点单电子存储器电路模拟

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磁场对机体免疫、组织修复和纤维化形成的影响

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科学通报 2020年第13期65卷 1165-1172页

作者：厉怡孙志恒都有为侯亚义南京大学医学院医药生物技术国家重点实验室南京210093 南京大学物理学系固体微结构物理国家重点实验室南京210093

组织的修复与再生是生物体至关重要的生物学过程,包括炎症期、增生期及重塑期3个阶段.机体免疫系统在每个阶段均发挥了重要的作用,其主要通过免疫细胞及其分泌的细胞因子协同工作,以便调节组织修复及再生.近年,随着电子设备及磁性材料... 详细信息

组织的修复与再生是生物体至关重要的生物学过程,包括炎症期、增生期及重塑期3个阶段.机体免疫系统在每个阶段均发挥了重要的作用,其主要通过免疫细胞及其分泌的细胞因子协同工作,以便调节组织修复及再生.近年,随着电子设备及磁性材料的普及应用,磁场的生物学效应受到了广泛关注,且关于磁场对生物体组织修复影响的研究取得了一系列的进展.研究表明,不同类型不同强度的磁场,在多种疾病模型中能够激活机体免疫系统,通过改变巨噬细胞、间充质干细胞、髓系抑制性细胞及中性粒细胞等免疫细胞的数量、功能与表型影响组织修复的进程.相比之下,磁场对纤维化和瘢痕形成的研究较少.本文以机体免疫系统为中心,对磁场影响组织修复和纤维化的最新研究结果进行综述,以便探讨磁场在组织修复和纤维化形成中的作用,寻找利用磁场治疗疾病的新思路.

关键词：磁场免疫系统组织修复纤维化

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Fe/Al_2O_3/Fe隧道结特性分析

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物理学报 2000年第9期49卷 1897-1900页

作者：刘存业徐庆宇倪刚桑海都有为南京大学固体微结构国家重点实验室

用离子束溅射方法制备磁性隧道结 (MTJ) .研究MTJ样品的隧道结磁电阻 (TMR)效应 .用X射线光电子能谱分析了MTJ的软、硬磁层和非磁层及其界面的化学组成与微结构 .研究了MTJ的微结构对氧化铝势垒高度与有效宽度和TMR效应的影响 .

关键词：磁性隧道结 X射线光电子能能谱半导体 TMR

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额外HCl对HVPE生长GaN性质的影响

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固体电子学研究与进展 2002年第4期22卷 395-398页

作者：修向前张荣卢佃清顾书林沈波施毅郑有炓南京大学物理系固体微结构国家重点实验室 210093

利用氢化物气相外延 (HVPE)生长系统 ,提出并采用在生长区添加额外 HCl的方法改变 Ga N的极化生长方向获得 Ga面极化具有平滑表面的 Ga N生长技术。该法将一定量的 HCl添加到传统 HVPE生长方法中的总氮气流中 ,引入 Ga Cl和 NH3混合生长... 详细信息

利用氢化物气相外延 (HVPE)生长系统 ,提出并采用在生长区添加额外 HCl的方法改变 Ga N的极化生长方向获得 Ga面极化具有平滑表面的 Ga N生长技术。该法将一定量的 HCl添加到传统 HVPE生长方法中的总氮气流中 ,引入 Ga Cl和 NH3混合生长区 ,通过改变蓝宝石衬底表现的化学反应平衡 ,抑制 N面极化 Ga N的成核 ,获得了粗糙度只有一个纳米左右的具有平滑表面的高质量 Ga极化 Ga N薄膜。由于该方法是在 HVPE装置中“原位”获得了表面光滑的 Ga N,与其他方法相比。

关键词：氢化物气相外延湿化学法腐蚀氮化镓极性

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金属薄膜的量子输运理论

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物理学报 1997年第3期46卷 568-578页

作者：董正超盛利邢定钰董锦明南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室

运用格林函数方法和久保公式研究金属薄膜中的电子输运．考虑了量子尺寸效应及来自杂质和两个粗糙表面的散射，计算单粒子格林函数和平行电导率．计算结果表明：（１）在薄膜系统中，电子数密度、平均自由程以及来自杂质和表面散射的电... 详细信息

运用格林函数方法和久保公式研究金属薄膜中的电子输运．考虑了量子尺寸效应及来自杂质和两个粗糙表面的散射，计算单粒子格林函数和平行电导率．计算结果表明：（１）在薄膜系统中，电子数密度、平均自由程以及来自杂质和表面散射的电导率都以π／ｋＦ（ｋＦ为费密波矢的数值）为周期随厚度ｄ振荡；（２）在薄膜和厚膜的两种极限。

关键词：金属薄膜量子输运

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