检索结果-内蒙古大学图书馆

物理学报 2005年第8期54卷 3646-3650页

作者：邹和成乔峰吴良才黄信凡李鑫韩培高马忠元李伟陈坤基南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室南京210093

利用结合移相光栅掩模(PSGM)的激光结晶技术在超薄a-SiNx/a-Si:H/a-SiNx三明治结构样品中制备出二维有序分布的纳米硅阵列.原始样品是用等离子体增强化学气相淀积法生长.a-Si:H层厚为10nm,a-SiNx为50nm,衬底材料为SiO2/Si或熔凝石英.原... 详细信息

利用结合移相光栅掩模(PSGM)的激光结晶技术在超薄a-SiNx/a-Si:H/a-SiNx三明治结构样品中制备出二维有序分布的纳米硅阵列.原始样品是用等离子体增强化学气相淀积法生长.a-Si:H层厚为10nm,a-SiNx为50nm,衬底材料为SiO2/Si或熔凝石英.原子力显微镜、剖面透射电子显微镜、高分辨透射电子显微镜对样品表面形貌和微结构的观测结果表明,采用该方法可以在原始淀积的a-Si:H层中得到位置可控的晶化区域:每个晶化区域直径约250nm,具有同PSGM一致的2μm周期;晶化区域内形成的纳米硅颗粒尺寸接近原始淀积的a-Si:H层厚,且晶粒的择优取向为<111>.

关键词：结晶技术纳米硅激光干涉阵列分布有序二维制备高分辨透射电子显微镜化学气相淀积法等离子体增强 SiNx 原子力显微镜三明治结构晶化区 Si02 衬底材料观测结果表面形貌颗粒尺寸择优取向样品原始微结构

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嵌埋在SiO_2基质中的nc-Ge的制备及其发光现象

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物理学报 1997年第6期46卷 1153-1160页

作者：贺振宏陈坤基冯端南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室

采用等离子体化学汽相淀积技术生长ａＧｅｘＳｉ１－ｘ∶Ｈ薄膜，然后在８００℃，１０５Ｐａ下于传统开口管式炉中氧化热处理，制备嵌埋在ＳｉＯ２中的ｎｃＧｅ微晶粒．利用傅里叶变换红外光谱、喇曼光谱和Ｘ射线衍射谱分析样品的... 详细信息

采用等离子体化学汽相淀积技术生长ａＧｅｘＳｉ１－ｘ∶Ｈ薄膜，然后在８００℃，１０５Ｐａ下于传统开口管式炉中氧化热处理，制备嵌埋在ＳｉＯ２中的ｎｃＧｅ微晶粒．利用傅里叶变换红外光谱、喇曼光谱和Ｘ射线衍射谱分析样品的微结构，研究ａＧｅｘＳｉ１－ｘ∶Ｈ薄膜的氧化过程中发生的化学和物理变化，并用平衡态化学反应热理论加以解释．在某些样品中观察到室温下的光致发光现象，采用Ｂｒｕｓ电子空穴三维限制模型，结合ｎｃＧｅ的微结构。

关键词： nc-Ge 半导体纳米材料薄膜光致发光

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铁磁绝缘体间的极薄Bi_2Se_3薄膜的相变研究

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物理学报 2013年第3期62卷 329-334页

作者：王怀强杨运友鞠艳盛利邢定钰南京大学固体微结构物理国家重点实验室和物理学院南京210093

研究一个极薄三维拓扑绝缘体Bi2Se3薄膜处于两个铁磁绝缘体层之间,其铁磁层的磁化方向都处于竖直平面,系统拓扑性质随磁化方向夹角的变化.从表面态电子低能有效哈密顿量出发计算系统的Chern数,和运用一个具有Armchair边界的单层六角晶... 详细信息

研究一个极薄三维拓扑绝缘体Bi2Se3薄膜处于两个铁磁绝缘体层之间,其铁磁层的磁化方向都处于竖直平面,系统拓扑性质随磁化方向夹角的变化.从表面态电子低能有效哈密顿量出发计算系统的Chern数,和运用一个具有Armchair边界的单层六角晶格带的紧束缚模型模拟系统的体能带和边缘态,来确定系统所处的拓扑相.发现两个铁磁层的磁化方式从平行转到反平行的某一临界角度,系统经历从反常量子霍尔相到普通绝缘相的转变.

关键词：拓扑绝缘体交换场反常量子霍尔效应边缘态

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一维金属光栅嵌入磁性介质纳米结构下的横向磁光克尔效应的增强

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物理学报 2016年第14期65卷 253-260页

作者：陈聿刘垄黄忠屠林林詹鹏南京大学物理学院固体微结构物理国家重点实验室南京210093

本文在一维金属光栅嵌入磁性介质的体系中实现了横向磁光克尔效应的增强.通过最优化金属光栅的嵌入深度来有效激发磁性介质中的波导模式与金属条带上的局域等离激元模式,从而使横向磁光克尔效应的响应得到巨大增强.本文提出了一种用于... 详细信息

本文在一维金属光栅嵌入磁性介质的体系中实现了横向磁光克尔效应的增强.通过最优化金属光栅的嵌入深度来有效激发磁性介质中的波导模式与金属条带上的局域等离激元模式,从而使横向磁光克尔效应的响应得到巨大增强.本文提出了一种用于增强横向磁光克尔效应的新型等离激元微纳结构,这种结构可以应用于高性能磁光器件的设计.

关键词：表面等离激元横向磁光克尔效应磁性介质波导模式

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PECVD纳米晶粒硅薄膜的可见电致发光

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物理学报 1997年第6期46卷 1217-1222页

作者：佟嵩刘湘娜王路春阎峰鲍希茂南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室

在用等离子体增强化学汽相淀积的嵌有纳米晶粒硅薄膜中观测到电致发光．发光谱处在５００—８００ｎｍ之间，它有两个分别位于６３０—６８０ｎｍ和７３０ｎｍ附近的峰，两个峰的强度与薄膜的电导率有密切关系．根据这种材料的结构特性... 详细信息

在用等离子体增强化学汽相淀积的嵌有纳米晶粒硅薄膜中观测到电致发光．发光谱处在５００—８００ｎｍ之间，它有两个分别位于６３０—６８０ｎｍ和７３０ｎｍ附近的峰，两个峰的强度与薄膜的电导率有密切关系．根据这种材料的结构特性对载流子的传导通道进行了讨论。

关键词： PECVD 纳米晶硅薄膜电致发光器件

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钙钛矿锰氧化物低维纳米结构研究进展

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无机材料学报 2015年第4期30卷 337-344页

作者：李磊梁笠智吴恒梁爽朱瑛莺朱信华南京大学物理学院固体微结构物理国家重点实验室南京210093

钙钛矿结构锰氧化物由于同时存在电荷、自旋、轨道、晶格等多种自由度,它们之间很强的相互作用和相互竞争导致了一系列新颖的物理现象,如庞磁电阻效应、巨磁熵效应、绝缘体-金属转变、电子相分离、电荷/轨道有序等现象,使其成为凝聚态... 详细信息

钙钛矿结构锰氧化物由于同时存在电荷、自旋、轨道、晶格等多种自由度,它们之间很强的相互作用和相互竞争导致了一系列新颖的物理现象,如庞磁电阻效应、巨磁熵效应、绝缘体-金属转变、电子相分离、电荷/轨道有序等现象,使其成为凝聚态物理学研究的热点。随着微电子器件日趋集成化和微型化,其特征尺寸越来越小,目前基于钙钛矿结构锰氧化物微电子器件的特征尺寸已经进入纳米尺度。在纳米尺度钙钛矿结构锰氧化物具有显著的尺寸效应,表现出与薄膜及块材不同的电、磁输运特性,在新一代微电子器件领域具有重要的应用价值。近年来人们在钙钛矿锰氧化物低维纳米结构制备、电磁输运特性测量、微结构表征及理论模拟方面,都取得了较大的研究进展,本文对此进行了评述。首先,概述了钙钛矿锰氧化物低维纳米结构的微结构研究进展;介绍了钙钛矿锰氧化物低维纳米结构的电子相分离及电荷有序现象;评述了其电磁输运特性的纳米尺度表征;讨论了钙钛矿锰氧化物低维纳米结构在自旋电子学、磁随机存储器和传感器方面的应用进展。最后指出了未来钙钛矿锰氧化物低维纳米结构研究需要重点解决的一些问题。

关键词：钙钛矿结构锰氧化物低维纳米结构物性与微结构表征

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基于柔性超构材料宽带调控太赫兹波的偏振态

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物理学报 2022年第18期71卷 337-347页

作者：陈乐迪范仁浩刘雨唐贡惠马中丽彭茹雯王牧南京大学物理学院固体微结构物理国家重点实验室南京210093

基于柔性超构材料从理论和实验两方面研究其对太赫兹波偏振态的宽带调控.首先以空间对称性破缺的L型金属-介质-金属结构为基本单元,构造出太赫兹手性超构材料.当太赫兹波与其相互作用时会产生一系列电偶极子,其时间响应可通过改变复合... 详细信息

基于柔性超构材料从理论和实验两方面研究其对太赫兹波偏振态的宽带调控.首先以空间对称性破缺的L型金属-介质-金属结构为基本单元,构造出太赫兹手性超构材料.当太赫兹波与其相互作用时会产生一系列电偶极子,其时间响应可通过改变复合结构的几何参量来有效地调控,进而实现太赫兹波从线偏振态到圆偏振态的宽带高效转换.理论分析表明该手性超构材料中电偶极子的辐射随着入射角变化基本保持不变,从而利用该太赫兹手性超构材料可以构造能产生圆偏振态的柔性太赫兹波片,基于等效电路模型给出了该柔性太赫兹波片在弯曲情况下的工作原理.实验上,以柔性聚合物为介质层,利用光刻等微加工技术制备出基于该超构材料的柔性太赫兹波片,结果表明当线偏振太赫兹波入射到样品时,该样品能够在0.46—0.62 THz宽带范围内实现由线偏振态到圆偏振态的高效转换,同时在弯曲程度不同的情况下出射波均能保持稳定的圆偏振态.这种基于柔性超构材料来宽带调控太赫兹波偏振态的方案将有望应用于6G通信、分子探测等领域.

关键词：超构材料宽带圆偏振态太赫兹波柔性

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蛋白质序列复杂性简化与非比对序列分析

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生物化学与生物物理进展 2006年第12期33卷 1215-1222页

作者：李菁李逢博王炜南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室南京210093

非比对序列分析是最新发展的一种序列分析方法,具有计算效率高并适用于分析低相似性的序列,已成功用于DNA的序列分析中.但是由于蛋白质序列的复杂性,非比对序列分析对于蛋白质序列分析的准确度却不高.用将20种天然氨基酸残基归类的方法... 详细信息

非比对序列分析是最新发展的一种序列分析方法,具有计算效率高并适用于分析低相似性的序列,已成功用于DNA的序列分析中.但是由于蛋白质序列的复杂性,非比对序列分析对于蛋白质序列分析的准确度却不高.用将20种天然氨基酸残基归类的方法,简化了蛋白质序列的复杂性,并运用到对蛋白质的非比对序列分析中,有效地提高了序列分析的准确性.

关键词：非比对序列分析氨基酸残基归类序列复杂性简化

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Pb(Zr_(0-52)Ti_(0-48))O_3陶瓷畴界粘滞运动的介电损耗模拟

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物理学报 1999年第8期48卷 1529-1534页

作者：陈小兵严峰李春华朱劲松沈惠敏王业宁南京大学固体微结构物理国家重点实验室南京210093

对不同频率下（１ —１０ｋＨｚ）Ｐｂ（Ｚｒ０５２Ｔｉ０４８）Ｏ３多晶陶瓷的介电性能的测量表明：在接近铁电相变温度Ｔｃ以下存在一介电损耗峰，该峰具有弛豫特征但不满足Ａｒｒｈｅｎｉｕｓ关系．这一损耗峰被... 详细信息

对不同频率下（１ —１０ｋＨｚ）Ｐｂ（Ｚｒ０５２Ｔｉ０４８）Ｏ３多晶陶瓷的介电性能的测量表明：在接近铁电相变温度Ｔｃ以下存在一介电损耗峰，该峰具有弛豫特征但不满足Ａｒｒｈｅｎｉｕｓ关系．这一损耗峰被认为是由于畴界与晶格、缺陷钉扎的互作用引起的．用畴界粘滞运动的动力学方程，考虑陶瓷样品中Ｔｃ离散分布的情况，模拟了该介电损耗峰在不同频率下的行为，得到了与实验数据一致的结果．并由拟合参数计算了畴界运动的粘滞系数和缺陷钉扎引起的回复力常量．

关键词： PZT 陶瓷铁电陶瓷介电性能畴界粘滞运动

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不同退火温度下晶化硅薄膜的电学输运性质

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物理学报 2009年第11期58卷 7878-7883页

作者：宋超陈谷然徐骏王涛孙红程刘宇李伟陈坤基南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室南京210093

采用等离子体化学气相沉积技术制备氢化非晶硅薄膜,经过不同温度下的热退火处理,使薄膜由非晶结构向晶化结构转变,得到含有纳米晶粒的晶化硅薄膜.在晶化过程中,采用Raman技术对样品的结构进行表征.通过变温电导率的测试,对薄膜的电学输... 详细信息

采用等离子体化学气相沉积技术制备氢化非晶硅薄膜,经过不同温度下的热退火处理,使薄膜由非晶结构向晶化结构转变,得到含有纳米晶粒的晶化硅薄膜.在晶化过程中,采用Raman技术对样品的结构进行表征.通过变温电导率的测试,对薄膜的电学输运性质进行了分析.研究结果表明:退火温度为700℃时,样品中开始有纳米晶形成,随着退火温度的增加,样品的晶化比增大,在1000℃时,薄膜的晶化比达到90%以上.在700℃退火时,薄膜中晶化成分较低,载流子的传输特性主要受到与硅悬挂键有关的缺陷态影响,表现为带尾定域态的跳跃电导.随着晶化度的提高,在1000℃时薄膜的电输运过程主要为晶化硅的扩展态电导,同时量子隧穿输运对薄膜的电输运过程也有一定的影响.

关键词：氢化非晶硅退火纳米硅电输运

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