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磁性隧道结Ni_(80)Fe_(20)/Al_2O_3/Co的制备和物性

物理 2000年第1期29卷 5-6,18页

作者：陈璟杜军吴小山潘明虎龙建国张维鹿牧翟宏如胡安南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室南京210093 南京大学现代分析中心南京210093

用等离子体氧化形成绝缘层的方法，重复性地制备出了Ｎｉ８０Ｆｅ２０／Ａｌ２Ｏ３／Ｃｏ磁性隧道结．样品的隧道磁电阻（ＴＭＲ）比值在室温下最高可达６－０％，翻转场（ｓｗｉｔｃｈｆｉｅｌｄ）可低于８００Ａ／ｍ，平台宽度... 详细信息

用等离子体氧化形成绝缘层的方法，重复性地制备出了Ｎｉ８０Ｆｅ２０／Ａｌ２Ｏ３／Ｃｏ磁性隧道结．样品的隧道磁电阻（ＴＭＲ）比值在室温下最高可达６－０％，翻转场（ｓｗｉｔｃｈｆｉｅｌｄ）可低于８００Ａ／ｍ，平台宽度约２４００Ａ／ｍ．结电阻的变化范围从几百欧姆到几百千欧．

关键词：磁性隧道结隧道磁电阻等离子体氧化绝缘层

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溅射制备的Co/V多层膜微观结构特征与铁磁共振研究

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物理学报 1999年第1期48卷 171-179页

作者：吴静杜军鹿牧赵晓宁徐惠平翟宏如张庶元张裕恒夏慧南京大学物理系现代分析中心固体微结构物理国家重点实验室中国科学技术大学结构分析中心冶金工业部有色金属研究总院

研究了用射频磁控溅射方法制备的［Ｃｏ（１５ｎｍ）／Ｖ（ｄＶ）］２０（０５ｎｍ≤ｄＶ≤４ｎｍ）多层膜的结构和磁性．用Ｘ射线衍射、透射电子显微镜、高分辨率透射电子显微镜等手段对其结构的分析，表明它们层状周期结构良好，... 详细信息

研究了用射频磁控溅射方法制备的［Ｃｏ（１５ｎｍ）／Ｖ（ｄＶ）］２０（０５ｎｍ≤ｄＶ≤４ｎｍ）多层膜的结构和磁性．用Ｘ射线衍射、透射电子显微镜、高分辨率透射电子显微镜等手段对其结构的分析，表明它们层状周期结构良好，沿膜的生长方向具有ｆｃＣｏ（１１１）和ｂｃｃＶ（１１０）织构，且是由小的柱状晶粒构成的多晶薄膜．界面一定程度的合金化，使其成为成分调制周期结构，也是它们的一个结构特征．由其铁磁共振谱计算得到较小的ｇ因子和４πＭｅｆ值，表明多层膜界面存在一定程度的合金化．对于Ｖ层厚度小于２２ｎｍ的多层膜，观测到自旋波共振谱，并作了分析．计算了层间耦合常数，说明Ｃｏ层之间存在较弱的层间交换耦合作用．

关键词：多层膜微观结构特征钴/钒铁磁共振

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磁性隧道结Ni_(80)Fe_(20)/Al_2O_3/Co的研究

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物理学报 1999年第S1期48卷 236-243页

作者：杜军陈景吴小山潘明虎龙建国张维鹿牧翟宏如胡安南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室南京210093 南京大学现代分析中心南京210093

用等离子体氧化形成中间绝缘层的方法可重复制备出具有隧道磁电阻（ＴＭＲ）效应的Ｎｉ８０Ｆｅ２０／Ａｌ２Ｏ３／Ｃｏ磁性隧道结．光透射谱等实验结果表明等离子体氧化能可控制地制备较致密的Ａｌ２Ｏ３绝缘层．样品的ＴＭＲ比值... 详细信息

用等离子体氧化形成中间绝缘层的方法可重复制备出具有隧道磁电阻（ＴＭＲ）效应的Ｎｉ８０Ｆｅ２０／Ａｌ２Ｏ３／Ｃｏ磁性隧道结．光透射谱等实验结果表明等离子体氧化能可控制地制备较致密的Ａｌ２Ｏ３绝缘层．样品的ＴＭＲ比值在室温下最高可达６－０％，反转场可低于８００Ａ／ｍ，相应的平台宽度约为２４００Ａ／ｍ．结电阻Ｒｊ的变化范围从几百欧到几百千欧，并且ＴＭＲ比值随零磁场结偏压增大单调减小．

关键词：磁性隧道结巨磁电阻等离子体氧化国家重点实验室磁滞回线铁磁层微结构结电阻氧化时间隧道磁电阻

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Te团簇膜及其退火效应

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电子显微学报 1998年第5期17卷 501-502页

作者：陈平平洪建明季亚林缪炳有俞圣雯李天信韩民王广厚南京大学固体微结构国家重点实验室南京大学现代分析中心

新发展起来的低能团簇束流淀积技术（ＬＥＣＢＤ）由于其尺寸可控，以及分布均一而引起人们的关注。利用该技术已制备了高质量的Ｓｂ，Ｂｉ薄膜，并发现了许多新奇的现象［１］。Ｔｅ及其合金膜已在记忆开关元件等光电器件中得到大量的... 详细信息

新发展起来的低能团簇束流淀积技术（ＬＥＣＢＤ）由于其尺寸可控，以及分布均一而引起人们的关注。利用该技术已制备了高质量的Ｓｂ，Ｂｉ薄膜，并发现了许多新奇的现象［１］。Ｔｅ及其合金膜已在记忆开关元件等光电器件中得到大量的应用，并有很强的各向异性特性［２］...

关键词：薄膜退火效应碲团簇束流淀积团簇膜

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Co-Ag/Ag多层膜的巨磁电阻效应

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南京大学学报（自然科学版） 1998年第4期34卷 455-461页

作者：游彪赵宏武夏钶杜军童六牛鹿牧翟宏如周仕明陈良尧南京大学现代分析中心固体微结构国家重点实验室复旦大学物理系

用离子束溅射法制备了６个系列的ＣｏｘＡｇ１００－ｘ／Ａｇ颗粒多层膜，对其巨磁电阻随成分及Ａｇ层和Ｃｏ—Ａｇ层厚度的变化规律进行了研究．当Ａｇ层厚度改变时，ＧＭＲ有一峰值，且随着Ｃｏ含量增加，峰值向层厚增加的方向位移，... 详细信息

用离子束溅射法制备了６个系列的ＣｏｘＡｇ１００－ｘ／Ａｇ颗粒多层膜，对其巨磁电阻随成分及Ａｇ层和Ｃｏ—Ａｇ层厚度的变化规律进行了研究．当Ａｇ层厚度改变时，ＧＭＲ有一峰值，且随着Ｃｏ含量增加，峰值向层厚增加的方向位移，当Ｃｏ—Ａｇ层厚度改变时，Ｃｏ含量较高的样品的磁电阻在ｄｍ＝２．０ｎｍ附近有一个极大值，而Ｃｏ含量较低的样品在ｄｍ６．０ｎｍ范围是单调上升的．用磁层间静磁相互作用的反铁磁耦合模型对上述现象加以解释．还研究了Ｃｏ４５Ａｇ５５／Ａｇ多层膜样品的退火效应．

关键词：钴-银/银静磁相互作用多层膜巨磁电阻效应

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分子束外延及溅射法制备Co/Cu多层膜结构与磁电阻的比较研究

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物理学报 1997年第10期46卷 2047-2053页

作者：赵宏武别青山杜军鹿牧眭云霞翟宏如夏慧南京大学固体微结构物理国家重点实验室现代分析中心北京有色金属研究总院

对用分子束外延（ＭＢＥ）和溅射方法制备的Ｃｏ／Ｃｕ多层膜样品分别进行了结构及磁性研究．Ｘ射线分析表明两者均有良好的调制周期性，并且前者形成外延单晶结构，铁磁共振研究表明了面内六次各向异性对称的存在，说明此超晶格具有完... 详细信息

对用分子束外延（ＭＢＥ）和溅射方法制备的Ｃｏ／Ｃｕ多层膜样品分别进行了结构及磁性研究．Ｘ射线分析表明两者均有良好的调制周期性，并且前者形成外延单晶结构，铁磁共振研究表明了面内六次各向异性对称的存在，说明此超晶格具有完整的面内二维结构．磁电阻测量发现，溅射制备的多层膜具有较高的磁电阻值并明显地随Ｃｕ层厚度而振荡，相应的室温磁电阻峰值分别为２７％，２４％，１４％；而ＭＢＥ制备的超晶格的磁电阻较小，其第二峰的数值只有７％．ＭＢＥ超晶格界面处可能具有超顺磁性，对磁电阻和磁化强度的不同的外场依赖关系有一定的影响．

关键词：分子束外延溅射钴/铜膜薄膜磁电阻

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掺杂铁电钛酸钡的拉曼散射研究

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光散射学报 1995年第2期7卷 128-129页

作者：张明生陈强尹真南京大学现代分析中心和固体微结构物理国家重点实验室

掺杂铁电钛酸钡的拉曼散射研究张明生，陈强，尹真（南京大学现代分析中心和固体微结构物理国家重点实验室南京２１００９３）ＲａｍａｎＳｃａｔｔｅｒｉｎｇＳｔｕｄｙｏｆｔｈｅＤｏｐｅｄＢａｒｉｕｍｔｉｔａｎａｔｅ￥Ｚｈａｎｇ... 详细信息

掺杂铁电钛酸钡的拉曼散射研究张明生，陈强，尹真（南京大学现代分析中心和固体微结构物理国家重点实验室南京２１００９３）ＲａｍａｎＳｃａｔｔｅｒｉｎｇＳｔｕｄｙｏｆｔｈｅＤｏｐｅｄＢａｒｉｕｍｔｉｔａｎａｔｅ￥ＺｈａｎｇＭｉｎｇ；ＳｈｅｎｇＣｈｅｎ；Ｑｉ...

关键词：掺杂钛酸钡拉曼散射铁电材料

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铁电钛酸钡的共振干涉研究

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光散射学报 1995年第2期7卷 130-130,129页

作者：尹真张明生南京大学物理系现代分析中心和固体微结构物理国家重点实验室

铁电钛酸钡的共振干涉研究尹真，张明生（南京大学物理系，现代分析中心和固体微结构物理国家重点实验室南京２１００９３）ＳｔｕｄｉｅｓｏｎＲｅｓｏｎａｎｔＩｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅｉｎＦｒｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃＢａｒｉｕｍ... 详细信息

铁电钛酸钡的共振干涉研究尹真，张明生（南京大学物理系，现代分析中心和固体微结构物理国家重点实验室南京２１００９３）ＳｔｕｄｉｅｓｏｎＲｅｓｏｎａｎｔＩｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅｉｎＦｒｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃＢａｒｉｕｍＴｉｔａｎａｔｅ￥ＹｉｎＺｈｅｎａ...

关键词：钛酸钡共振干涉铁电材料双声子共振

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铁电钛酸钡的共振干涉研究

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光散射学报 1995年第Z1期 130+129-130+129页

作者：尹真张明生南京大学物理系现代分析中心和固体微结构物理国家重点实验室

关键词：共振干涉张明生南京大学物理系钛酸钡钡化合物双声子耦合系数耦合因数铁电

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金属多层膜中的磁光效应

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物理学进展 1993年第1期13卷 215-228页

作者：翟宏如苗永智鹿牧顾本喜张胜良南京大学固体微结构物理国家重点实验室现代分析中心南京210008

本文报导了我们近几年来对薄膜磁光效应方面的主要研究结果。在双层及多层膜中,只要适当地选择层的构成材料及层的厚度,就可能有效地控制薄膜系统的等效光学常数,从而实现从近紫外到近红外光波范围内的极磁光克尔旋转角的增强。发现了... 详细信息

本文报导了我们近几年来对薄膜磁光效应方面的主要研究结果。在双层及多层膜中,只要适当地选择层的构成材料及层的厚度,就可能有效地控制薄膜系统的等效光学常数,从而实现从近紫外到近红外光波范围内的极磁光克尔旋转角的增强。发现了几种有较大磁光增强效应的新薄膜材料。在多层膜中,发现了由于层间交换作用和非铁磁层被磁极化所提供的附加磁光效应,使磁光谱发生变化而导至某些波长下磁光效应的增强。

关键词：金属薄膜多层膜磁光效应薄膜

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