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(SrTiO_3)_(1-x)(SrTaO_2N)_x固溶体的制备及光催化性能研究(英文)

无机化学学报 2010年第1期26卷 149-152页

作者：李瑞璞罗文俊李朝升于涛邹志刚南京大学物理系环境材料与再生能源研究中心南京210093 南京大学材料系南京210093 南京大学固体微结构国家重点实验室南京210093

通过高温固相反应合成了N掺杂的SrTiO3和(SrTiO3)1-x(SrTaO2N)x固溶体,对其进行了X射线衍射,紫外可见吸收光谱,X射线光电子能谱分析和比表面积的表征。随x由0增大至0.4,固溶体带隙变窄,由3.2eV降至2.3eV,吸收光谱由紫外光区扩展到可见... 详细信息

通过高温固相反应合成了N掺杂的SrTiO3和(SrTiO3)1-x(SrTaO2N)x固溶体,对其进行了X射线衍射,紫外可见吸收光谱,X射线光电子能谱分析和比表面积的表征。随x由0增大至0.4,固溶体带隙变窄,由3.2eV降至2.3eV,吸收光谱由紫外光区扩展到可见光区。在甲醇溶液(50mLCH3OH+220mLH2O)中进行了光催化分解水产生氢气的反应,在硝酸银溶液(270mL,0.01mol·L-1)中进行了光催化分解水产生氧气的反应,在可见光(λ>420nm)照射下,实现了可见光响应的光催化分解水。

关键词：固相法固溶体可见光分解水

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哈斯勒合金Ni_(46)Cu_4Mn_(38)Sn_(12)的相变应变与磁感生应变

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中国有色金属学报 2010年第11期20卷 2187-2191页

作者：李哲敬超乔燕飞张浩雷曹世勋张金仓孙亮上海大学理学院上海200444 南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室南京210093

通过结构、磁性以及应变测量,研究哈斯勒合金Ni46Cu4Mn38Sn12在马氏体相变过程中的相变应变与磁感生应变。结果表明:样品在马氏体相变过程中表现出一个接近0.12%的相变应变,几乎是目前研究所报道的三元哈斯勒合金Ni-Mn-Sn相变应变的3倍... 详细信息

通过结构、磁性以及应变测量,研究哈斯勒合金Ni46Cu4Mn38Sn12在马氏体相变过程中的相变应变与磁感生应变。结果表明:样品在马氏体相变过程中表现出一个接近0.12%的相变应变,几乎是目前研究所报道的三元哈斯勒合金Ni-Mn-Sn相变应变的3倍;此外,在等温条件下,通过外加磁场的诱导,获得了该样品在反马氏体相变起始温度点(284 K)的一个大的磁感生应变,这种行为可归结为马氏体与奥氏体相之间界面的磁弹耦合。

关键词：哈斯勒合金马氏体相变相变应变磁感生应变

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基于Si-rich SiN_x/N-rich SiN_y多层膜结构的量子点构筑及发光特性

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物理学报 2010年第8期59卷 5823-5827页

作者：黄锐王旦清宋捷丁宏林王祥郭艳青陈坤基徐骏李伟马忠元南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室南京210093 韩山师范学院物理与电子工程系潮州521041

利用等离子体增强化学气相沉积法制备Si-rich SiNx/N-rich SiNy多层膜,分别使用热退火和激光辐照技术对多层膜进行退火,以构筑三维限制、尺寸可控、有序的硅纳米晶.实验结果表明,经退火后,纳米硅晶粒在Si-rich SiNx子层内形成,其尺寸可... 详细信息

利用等离子体增强化学气相沉积法制备Si-rich SiNx/N-rich SiNy多层膜,分别使用热退火和激光辐照技术对多层膜进行退火,以构筑三维限制、尺寸可控、有序的硅纳米晶.实验结果表明,经退火后,纳米硅晶粒在Si-rich SiNx子层内形成,其尺寸可由Si-rich SiNx子层厚度调控.实验还发现,激光辐照技术相比于热退火能更有效地改善多层膜的微结构,提高多层膜的晶化率,以激光技术诱导晶化的Si-rich SiNx/N-rich SiNy多层膜作为有源层构建电致发光器件,在室温下观察到了增强的电致可见发光,并且发光效率较退火前提高了40%以上.

关键词：氮化硅多层膜限制结晶纳米晶硅

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NiO/FeCo磁性多层膜的高频磁性研究

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功能材料与器件学报 2010年第2期16卷 148-152页

作者：李玉伟陈继红唐东明张豹山鹿牧陆怀先固体微结构国家重点实验室南京大学物理系南京210093

制备了一系列具有铁磁/反铁磁交换偏置作用的[NiO/Fe65Co35]10多层膜,使用振动样品磁强计(VSM)测量了样品的静磁参数,利用微带线法测量了样品4GHz-10GHz的磁谱,首次制备并测得了自然共振频率(fr)在6GHz以上,最高到fr=9.6GHz的薄膜样品... 详细信息

制备了一系列具有铁磁/反铁磁交换偏置作用的[NiO/Fe65Co35]10多层膜,使用振动样品磁强计(VSM)测量了样品的静磁参数,利用微带线法测量了样品4GHz-10GHz的磁谱,首次制备并测得了自然共振频率(fr)在6GHz以上,最高到fr=9.6GHz的薄膜样品。结果表明交换偏置场(Hex)、各向异性场(Hua)、以及矫顽力(Hc)随铁磁层厚度(tFM)增大而减小;基于Landau-Lifishitz(L-L)方程对静磁参量和磁谱进行了比较,发现样品自然共振频率较L-L方程计算值偏大30%以上。

关键词：铁磁反铁磁交换偏置场各向异性场交换耦合能密度自然共振频率

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学物理,也可以这样开始

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物理 2010年第3期39卷 199-200页

作者：彭茹雯南京大学物理系和固体微结构物理国家重点实验室

2009年12月10日晚上10点多钟,接中国科学院物理所吴令安老师从北京打来的电话,约我为'三·八国际妇女节专题'写点东西,'写什么都行'.我恭然从命,一来深深感动于吴老师的热情鼓励

2009年12月10日晚上10点多钟,接中国科学院物理所吴令安老师从北京打来的电话,约我为<物理>'三·八国际妇女节专题'写点东西,'写什么都行'.我恭然从命,一来深深感动于吴老师的热情鼓励

关键词：物理南京大学物理系女生量子力学

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多孔硅在高温退火过程中结构变化的研究

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功能材料 2010年第12期41卷 2060-2063页

作者：蔡红沈鸿烈黄海宾唐正霞鲁林峰沈剑沧南京航空航天大学材料科学与技术学院江苏南京210016 南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室江苏南京210093

采用电化学腐蚀的方法制备了不同孔径的多孔硅薄膜样品,并在1050℃高温下进行了退火。采用扫描电镜和拉曼光谱对多孔硅退火前后结构的变化进行了观察,根据晶体形核理论分析了孔径变化的机理,并从热力学角度对其微观机制进行了讨论。实... 详细信息

采用电化学腐蚀的方法制备了不同孔径的多孔硅薄膜样品,并在1050℃高温下进行了退火。采用扫描电镜和拉曼光谱对多孔硅退火前后结构的变化进行了观察,根据晶体形核理论分析了孔径变化的机理,并从热力学角度对其微观机制进行了讨论。实验和理论分析的结果均表明,多孔硅的初始孔径存在一个临界值,初始孔径小于此临界值时,孔在高温退火中有收缩的趋势;反之,初始孔径大于此临界值时,孔有变大的趋势。

关键词：多孔硅高温退火拉曼谱形核理论

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高分子结晶的链内成核模型

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高分子通报 2010年第12期 1-13页

作者：郝丽娟马禹蒋中英胡文兵伊犁师范学院物理与电子信息学院伊宁835000 南京大学化学化工学院高分子科学与工程系配位化学国家重点实验室南京210093 南京大学物理系固体微结构国家重点实验室南京210093

高分子的微观晶体生长动力学理论是高分子科学的重要研究课题之一。本文系统地介绍了近年来发展起来的高分子晶体生长动力学模型—链内成核模型。该模型能够对高分子结晶过程中的链折叠现象、分子分凝现象、二元链长共结晶现象、Regime... 详细信息

高分子的微观晶体生长动力学理论是高分子科学的重要研究课题之一。本文系统地介绍了近年来发展起来的高分子晶体生长动力学模型—链内成核模型。该模型能够对高分子结晶过程中的链折叠现象、分子分凝现象、二元链长共结晶现象、Regime转变现象和半晶织构现象给出较为合理的解释。这些现象为高分子结晶所特有,揭示了高分子有序化相转变行为的特殊性。在结语部分,本文还对比描述了以链间成核模式为主的一些情景,并对链内成核模型的进一步发展做了展望。

关键词：高分子结晶晶体生长动力学链内成核模型链折叠

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外压调制下ZnO晶体结构与光学性质变化特性的研究

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量子电子学报 2010年第5期27卷 613-619页

作者：胡智向吴玉喜顾书林李腾渠立成中国矿业大学理学院物理系江苏徐州221116 南京大学物理学系固体微结构国家重点实验室江苏南京210093 徐州空军学院航空弹药系江苏徐州221000

为了研究外压调制对半导体材料ZnO晶体结构和光学性质的影响,采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理对不同外压条件下ZnO晶体的晶格常数、介电函数、复折射率、吸收系数、反射率等的变化特性进行了模拟计算研究。计算结果表明:随着压... 详细信息

为了研究外压调制对半导体材料ZnO晶体结构和光学性质的影响,采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理对不同外压条件下ZnO晶体的晶格常数、介电函数、复折射率、吸收系数、反射率等的变化特性进行了模拟计算研究。计算结果表明:随着压力的增大,晶体的晶格常数、晶胞体积缓慢变小,内坐标u值逐渐增大,Zn-O键长缩短,共价性增强,带隙E_g明显展宽。光学特性谱显示不同外压对低能段光学性质的影响并不明显,而在高能段,随着压力的增大光学性质发生明显的蓝移。

关键词：材料氧化锌第一性原理光学性质调制

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激光干涉制备二维纳米硅阵列及在提高光萃取效率中的应用

激光干涉制备二维纳米硅阵列及在提高光萃取效率中的应用

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第二届全国纳米材料与结构、检测与表征研讨会

作者：王旦清姚尧陈坤基黄信凡徐骏马忠元南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室南京 210093

纳米硅(nc-Si)薄膜作为半导体材料中的重要一员，其制备方法及性能研究已经成为国际上的热点之一。本文利用一种激光干涉诱导结晶的方法，由激光光源与二维(2D)移相光栅掩模(PSGM)相结合，产生二维分布的干涉激光束。

关键词：激光干涉二维纳米硅阵列纳米硅薄膜半导体材料二维移相光栅掩模光萃取效率

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不同退火温度下晶化硅薄膜的电学输运性质

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物理学报 2009年第11期58卷 7878-7883页

作者：宋超陈谷然徐骏王涛孙红程刘宇李伟陈坤基南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室南京210093

采用等离子体化学气相沉积技术制备氢化非晶硅薄膜,经过不同温度下的热退火处理,使薄膜由非晶结构向晶化结构转变,得到含有纳米晶粒的晶化硅薄膜.在晶化过程中,采用Raman技术对样品的结构进行表征.通过变温电导率的测试,对薄膜的电学输... 详细信息

采用等离子体化学气相沉积技术制备氢化非晶硅薄膜,经过不同温度下的热退火处理,使薄膜由非晶结构向晶化结构转变,得到含有纳米晶粒的晶化硅薄膜.在晶化过程中,采用Raman技术对样品的结构进行表征.通过变温电导率的测试,对薄膜的电学输运性质进行了分析.研究结果表明:退火温度为700℃时,样品中开始有纳米晶形成,随着退火温度的增加,样品的晶化比增大,在1000℃时,薄膜的晶化比达到90%以上.在700℃退火时,薄膜中晶化成分较低,载流子的传输特性主要受到与硅悬挂键有关的缺陷态影响,表现为带尾定域态的跳跃电导.随着晶化度的提高,在1000℃时薄膜的电输运过程主要为晶化硅的扩展态电导,同时量子隧穿输运对薄膜的电输运过程也有一定的影响.

关键词：氢化非晶硅退火纳米硅电输运

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