检索结果-内蒙古大学图书馆

红外与毫米波学报 2008年第3期27卷 176-179页

作者：赵伟明甘新慧戴明徐岭孙萍李卫马懿马忠元吴良才徐骏陈坤基南京大学固体微结构物理国家重点实验室南京大学物理系江苏南京210093 中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050

应用胶体化学的方法,在溶液中合成了Ⅱ-Ⅵ族化合物—CdSe,CdTe纳米晶粒.紫外-可见光吸收谱(ABS)和光致荧光谱(PL)显示Ⅱ-Ⅵ族纳米晶粒具有良好的单分散性.在室温下利用双功能分子在S i衬底表面组装了Ⅱ-Ⅵ族纳米晶粒,原子力显微镜图像... 详细信息

应用胶体化学的方法,在溶液中合成了Ⅱ-Ⅵ族化合物—CdSe,CdTe纳米晶粒.紫外-可见光吸收谱(ABS)和光致荧光谱(PL)显示Ⅱ-Ⅵ族纳米晶粒具有良好的单分散性.在室温下利用双功能分子在S i衬底表面组装了Ⅱ-Ⅵ族纳米晶粒,原子力显微镜图像和接触角实验证实,Ⅱ-Ⅵ族纳米晶粒已经自组装到了S i衬底表面,并且表面比较平整,纳米晶粒分布均匀.

关键词：半导体纳米晶体自组装双功能分子刻蚀

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二维Rh-C60聚合相的制备和表征

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高压物理学报 2008年第1期22卷 35-38页

作者：王素芹顾民淮海工学院数理科学系江苏连云港222005 南京大学固体微结构国家重点实验室南京大学物理系江苏南京210093

利用高压合成装置在6 GPa压力、700℃温度条件下合成了二维C60聚合相,并用X射线衍射(XRD)和高分辨核磁共振(NMR)等方法对样品进行了表征。XRD分析结果表明,C60分子在高温高压下发生了聚合反应,晶体结构由面心立方结构变为菱形结构,通过[... 详细信息

利用高压合成装置在6 GPa压力、700℃温度条件下合成了二维C60聚合相,并用X射线衍射(XRD)和高分辨核磁共振(NMR)等方法对样品进行了表征。XRD分析结果表明,C60分子在高温高压下发生了聚合反应,晶体结构由面心立方结构变为菱形结构,通过[2+2]加环反应在邻近分子间形成sp3杂化共价键1。3C核磁共振魔角谱(13C MAS NMR)在δ145和δ72处出现了两个共振峰,其中在δ145附近的峰展宽并有两个边带。δ145附近的峰的展宽与分裂主要是由于C60分子上出现了不等价的sp2杂化碳和高温高压条件下产生的结构无序,边带的形成说明了其结构的各向异性;位置为δ72附近的峰证明了聚合物内C60分子之间出现了sp3杂化键。

关键词： C60 聚合物高温高压 X射线衍射高分辨核磁共振

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N掺杂ZnO中的缺陷与光致发光

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半导体技术 2008年第S1期33卷 333-336页

作者：陈慧顾书林朱顺明南京大学物理系微结构国家重点实验室南京210093

采用金属有机物化学汽相沉淀法(MOCVD)在蓝宝石衬底(0002)上生长了高质量的ZnO掺氮薄膜,继后在氧气氛中对薄膜进行1000℃快速热退火,重点对退火后样品的发光特性进行变温光致发光谱的研究。低温下,在3.377、3.362、3.332eV附近有三个明... 详细信息

采用金属有机物化学汽相沉淀法(MOCVD)在蓝宝石衬底(0002)上生长了高质量的ZnO掺氮薄膜,继后在氧气氛中对薄膜进行1000℃快速热退火,重点对退火后样品的发光特性进行变温光致发光谱的研究。低温下,在3.377、3.362、3.332eV附近有三个明显的近紫外发光峰,分别对应自由激子发射(FXA)、施主束缚激子(D0X)和其双电子伴线(TES),随着温度升高,施主热解离,导致D0X峰强下降,而FXA增强,同时DAP峰也向e-A0峰转变。深能级可见光区有台阶状精细结构,被指认为从浅施主及其激发态到锌空位的跃迁及其多级声子峰,并且观察到明显的负热淬灭效应,讨论了其产生原因。

关键词： N掺杂ZnO 变温光致发光谱激子负热淬灭效应

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O_2流量对ZnO薄膜生长及性质的影响

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半导体技术 2008年第S1期33卷 349-352页

作者：周茂峰顾书林朱顺明南京大学物理系南京微结构国家重点实验室南京210093

讨论了MOCVD生长ZnO薄膜各种性质随氧流量的变化规律。固定锌源(DEZn)流量改变氧源(O2)流量,采用低压MOCVD在石英衬底上生长一组ZnO薄膜样品。由厚度测量、Raman散射、XRD表征表明,随O2流量增加,ZnO薄膜生长速率先提高后降低,碳杂质有... 详细信息

讨论了MOCVD生长ZnO薄膜各种性质随氧流量的变化规律。固定锌源(DEZn)流量改变氧源(O2)流量,采用低压MOCVD在石英衬底上生长一组ZnO薄膜样品。由厚度测量、Raman散射、XRD表征表明,随O2流量增加,ZnO薄膜生长速率先提高后降低,碳杂质有所减少,晶体质量先提高后降低。PL显示,随O2流量增大带内深能级发光带强度逐步增强,带边发光峰强度也有较大变化,薄膜光学质量先提高后退化。霍尔测量表明,随氧流量增大,薄膜电阻率逐渐增加。实验表明不同氧流量对MOCVD生长的ZnO薄膜多种性质都有规律性影响。

关键词：氧化锌薄膜金属有机物化学气相淀积氧气流量锌源

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不同退火条件对Fe73．5Si13．5B9Cu1Nb3-xAlx磁导率的影响

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功能材料 2008年第5期39卷 740-743页

作者：刘海顺都有为张丽萍张吉雄殷春浩缪协兴中国矿业大学理学院江苏徐州221008 南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室江苏南京210093

用Al部分替代Nb制备了Fe73.5Si13.5B9Cu1Nb3-xAlx非晶条带,通过4种不同的退火方式得到其纳米晶样品,采用阻抗分析仪测量各样品的复数磁导率,并分析了退火方式对初始磁导率的影响。研究发现,经退火后,样品(除x=3.0)的磁导率有明显改善,... 详细信息

用Al部分替代Nb制备了Fe73.5Si13.5B9Cu1Nb3-xAlx非晶条带,通过4种不同的退火方式得到其纳米晶样品,采用阻抗分析仪测量各样品的复数磁导率,并分析了退火方式对初始磁导率的影响。研究发现,经退火后,样品(除x=3.0)的磁导率有明显改善,明显高于经同样退火处理的Finemet配方的样品;对于不同退火方式,性能最好的样品Al含量不尽相同;对于不同Al含量的样品,有各自不同的最佳退火方式;对于x=3.0、完全不含Nb的样品,经随炉升温或降温退火后,仍然有较高的磁导率。研究结果表明,在Finemet配方中,用适量Al替代Nb,经适当退火后,样品的磁导率得到明显改善,从而提供了一条研制低成本高磁导率纳米晶合金的可能的途径。

关键词：纳米晶合金非晶合金复数磁导率退火条件

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MOCVD ZnO缓冲层生长与退火研究

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半导体技术 2008年第S1期33卷 337-340页

作者：朱光耀顾书林朱顺明南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室南京210093

采用MOCVD技术在蓝宝石基底上生长ZnO缓冲层,利用X射线衍射和原子力显微镜技术研究了生长温度和退火温度对缓冲层质量及表面形貌的影响。结果表明,低温生长时,生长温度的提高有利于增强反应物原子的扩散能力,降低表面粗糙度,从三维岛状... 详细信息

采用MOCVD技术在蓝宝石基底上生长ZnO缓冲层,利用X射线衍射和原子力显微镜技术研究了生长温度和退火温度对缓冲层质量及表面形貌的影响。结果表明,低温生长时,生长温度的提高有利于增强反应物原子的扩散能力,降低表面粗糙度,从三维岛状生长模式转变为准二维层状生长模式。研究发现,高温退火时氧气气氛下900℃是较合适的退火温度,可以最大限度地激活原子使之移动到合适的晶格位置,有利于晶体择优取向生长,而更高的温度将导致ZnO的分解,从而大大降低晶体质量。

关键词：氧化锌金属有机物化学气相淀积缓冲层表面形貌晶体质量

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Zn_(1-x)Mg_xO合金的MOCVD生长及其紫外探测器的研究

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半导体技术 2008年第S1期33卷 353-356页

作者：单正平顾书林朱顺明南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室南京210093

以MOCVD系统生长Zn1-xMgxO合金,通过改变Mg、Zn气相比调制得到了不同组分含量的Zn1-xMgxO合金,其中Mg的固态含量从0变化到0.49,其对应的禁带宽度从3.31eV覆盖到5.02eV。以所生长的Zn1-xMgxO/蓝宝石为衬底,制备MSM结构的紫外探测器,在特... 详细信息

以MOCVD系统生长Zn1-xMgxO合金,通过改变Mg、Zn气相比调制得到了不同组分含量的Zn1-xMgxO合金,其中Mg的固态含量从0变化到0.49,其对应的禁带宽度从3.31eV覆盖到5.02eV。以所生长的Zn1-xMgxO/蓝宝石为衬底,制备MSM结构的紫外探测器,在特定的偏压下,Ti/ZnO基紫外探测器在380nm具有最高响应度0.14A/W,Ni/Mg0.36Zn0.64O基深紫外探测器在327nm具有最高响应度1.9×10-4A/W,并且其在紫外波长的峰值响应度均比可见光450nm处的响应度高出两个数量级。

关键词： MOCVD ZnMgO 紫外探测器

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PZT纳米铁电薄膜的生长行为和介电性能及微结构

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电子显微学报 2008年第5期27卷 346-351页

作者：朱信华朱健民周舜华刘治国闵乃本南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室江苏南京210093

采用溶胶-凝胶(sol-gel)自旋涂敷法在Si(100)基多孔氧化铝模版介质上制备了Pb(Zr0.53Ti0.47)O3(PZT)纳米铁电薄膜(厚度25nm)。利用电化学方法在多孔氧化铝模版孔道内(孔径25nm)生长Au纳米线,作为底电极一部分。利用X射线衍射(XRD)、扫... 详细信息

采用溶胶-凝胶(sol-gel)自旋涂敷法在Si(100)基多孔氧化铝模版介质上制备了Pb(Zr0.53Ti0.47)O3(PZT)纳米铁电薄膜(厚度25nm)。利用电化学方法在多孔氧化铝模版孔道内(孔径25nm)生长Au纳米线,作为底电极一部分。利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)及场发射透射电镜(FE-TEM)对PZT纳米铁电薄膜的生长行为、表面形貌和微结构进行了研究。XRD谱图表明PZT纳米铁电薄膜具有(111)择优取向;SEM像显示PZT纳米铁电薄膜结构致密,晶粒呈椭球状,平均尺寸为22nm。剖面TEM像证实PZT纳米铁电薄膜与Au纳米线直接接触,它们之间的界面呈现一定程度的弯曲;部分Au纳米线顶端出现分枝展宽现象。介电谱表明PZT纳米铁电薄膜的介电常数在低频区域(频率小于104Hz)从760迅速下降到100,然后基本保持在100,直至测量频率升高到106Hz。低频区域内介电常数的迅速下降是由于空间电荷极化机制所致;介电损耗在4000Hz附近出现峰值(来源于空间电荷的共振吸收)也证实了空间电荷极化机制的存在。

关键词： PZT纳米结构生长行为介电性能微结构溶胶-凝胶自旋涂敷

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铁电纳米结构的浸渍涂敷法制备和微结构STEM表征(英文)

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电子显微学报 2008年第4期27卷 293-299页

作者：朱信华朱健民周舜华刘治国南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室江苏南京210093

本文利用浸渍涂敷法在硅基多孔氧化铝模版介质(孔径20 nm^100 nm)上制备了Pb(Zr0.53Ti0.47)O3(PZT)铁电纳米结构,并利用扫描透射电子显微镜(STEM)观察了其表面形貌和剖面微结构。TEM像和X-射线能谱分析结果表明在多孔氧化铝模版孔道内... 详细信息

本文利用浸渍涂敷法在硅基多孔氧化铝模版介质(孔径20 nm^100 nm)上制备了Pb(Zr0.53Ti0.47)O3(PZT)铁电纳米结构,并利用扫描透射电子显微镜(STEM)观察了其表面形貌和剖面微结构。TEM像和X-射线能谱分析结果表明在多孔氧化铝模版孔道内形成了PZT纳米结构,其横向尺寸可通过改变氧化铝模版的孔径来调节。采用浸渍涂敷法可使PZT溶液贯穿整个氧化铝纳米孔道,在其内壁形成PZT涂层,厚度为4 nm^15 nm。氧化铝纳米孔道内的黑色TEM衬度线证实了PZT涂层的存在,其存在方式为连续介质型或离散的晶粒形状。平面STEM像显示PZT纳米结构具有椭球状形貌,这可能是由氧化铝纳米孔道的局部扭曲或PZT溶液在退火过程中的收缩引起的。在硅基多孔氧化铝模版介质上采用浸渍涂敷法制备的PZT有序纳米结构,在将来三维结构的非挥发性铁电存储器方面具有十分诱人的应用前景。

关键词：铁电纳米结构 PZT 浸渍涂敷 STEM

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绰墩农业遗址古碳化稻粒有机结构研究及与其起源的可能关系

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中国科学（D辑） 2008年第8期38卷 978-985页

作者：胡林潮李夏刘本定顾民代静玉南京农业大学资源与环境科学学院南京210095 南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室南京210029

绰墩农业遗址第六次发掘中发现大量的古碳化稻粒，经^14C定年分析证明该碳化稻粒属于马家浜文化时期（7-6kaBP）的产物．为探求古碳化稻粒的形成机制，比较了古碳化稻粒与现代稻粒FT-IR光谱和热重分析的差异；并通过实验室方法在氦气氛... 详细信息

绰墩农业遗址第六次发掘中发现大量的古碳化稻粒，经^14C定年分析证明该碳化稻粒属于马家浜文化时期（7-6kaBP）的产物．为探求古碳化稻粒的形成机制，比较了古碳化稻粒与现代稻粒FT-IR光谱和热重分析的差异；并通过实验室方法在氦气氛围下制成现代碳化稻粒，利用CP]MAS-^13C-NMR光谱对古碳化稻粒与现代碳化稻粒的碳进行结构表征．结果表明：与现代稻粒相比，古碳化稻粒中存在大量的芳香族成分；随着氧化时间和温度的增加，现代碳化稻粒中的脂肪族成分不断减少，同时伴随芳香族成分的累积；氧化的时间越长、温度越高，现代碳化稻粒的结构组成越接近古碳化稻粒．同时，现代碳化稻粒的FT-IR光谱和热重分析结果也表明，通过人为氧化可使现代稻粒达到与古碳化稻了相似的结构组成．从而说明与火相关的原始耕作方式可能是古碳化稻粒的来源．

关键词：古碳化稻粒 FT-IR 热重分析 CP/MAS-^13C—NMR 形成机制

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