检索结果-内蒙古大学图书馆

物理学报 2006年第10期55卷 5403-5408页

作者：刘艳松陈铠乔峰黄信凡韩培高钱波马忠元李伟徐骏陈坤基南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室南京210093

基于经典热力学理论,对a-SiNx/a-Si:H/a-SiNx三明治结构或a-Si:H/a-SiNx多层膜结构中纳米硅成核,以及从球形到鼓形的生长过程进行了研究.建立了限制性晶化理论模型:在纳米硅生长过程中,由于界面能增大将导致生长停止,给出限制性晶化条... 详细信息

基于经典热力学理论,对a-SiNx/a-Si:H/a-SiNx三明治结构或a-Si:H/a-SiNx多层膜结构中纳米硅成核,以及从球形到鼓形的生长过程进行了研究.建立了限制性晶化理论模型:在纳米硅生长过程中,由于界面能增大将导致生长停止,给出限制性晶化条件——a-Si:H子层厚度小于34nm.在激光晶化和常规热退火两种方法形成的a-SiNx/nc-Si/a-SiNx三明治结构和nc-Si/a-SiNx多层膜结构中验证了该理论模型.

关键词：非晶硅纳米硅激光辐照结晶

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Nd_(1.85)Ce_(0.15)CuO_(4-δ)单晶c-轴方向电阻的低场行为

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物理学报 2006年第6期55卷 3018-3021页

作者：李配军王智河白忠聂阳邱里徐小农南京大学物理系固体微结构国家重点实验室南京210093

采用自助熔剂缓冷法成功地生长出了Nd1·85Ce0·15CuO4-δ单晶,其零场下零电阻温度约为21K.在0—0·5T范围内分别测量了磁场平行和垂直样品表面的电阻转变曲线以及0·5T不同角度下的电阻转变曲线.结果显示磁场平行和垂... 详细信息

采用自助熔剂缓冷法成功地生长出了Nd1·85Ce0·15CuO4-δ单晶,其零场下零电阻温度约为21K.在0—0·5T范围内分别测量了磁场平行和垂直样品表面的电阻转变曲线以及0·5T不同角度下的电阻转变曲线.结果显示磁场平行和垂直样品表面时的转变温度Tp随磁场的变化均服从H=H0(1-Tp(h)/Tp(0))2关系.0·5T不同角度下的转变温度Tp符合有效质量模型,即Tp∝H1/2(cos2θ+sin2θ/γ2)1/4.该单晶的各向异性因子γ约为45.

关键词： Nd1.85Ce0.15CuO4-8单晶输运性质

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氮化硅介质中双层纳米硅薄膜的两级电荷存储

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物理学报 2006年第11期55卷 6080-6084页

作者：王久敏陈坤基宋捷余林蔚吴良才李伟黄信凡南京大学物理系固体微结构国家重点实验室南京210093

研究镶嵌在超薄非晶氮化硅(a-SiNx)层之间的双层纳米硅(nc-Si)的电荷存储现象.利用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)技术在硅衬底上制备a-SiNx/a-Si/a-SiNx/a-Si/a-SiNx多层薄膜结构.采用常规热退火方法使非晶硅(a-Si)层晶化,形成包含双... 详细信息

研究镶嵌在超薄非晶氮化硅(a-SiNx)层之间的双层纳米硅(nc-Si)的电荷存储现象.利用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)技术在硅衬底上制备a-SiNx/a-Si/a-SiNx/a-Si/a-SiNx多层薄膜结构.采用常规热退火方法使非晶硅(a-Si)层晶化,形成包含双层nc-Si的金属-氮化物-半导体(MIS)结构.通过电容电压(C-V)特性测量,观测到该结构中由于电荷存储引起的C-V回滞现象,并在室温下成功观察到载流子基于Fowler-Nordheim(F-N)隧穿注入到第一层、第二层nc-Si的两级电荷存储状态.结合电流电压(I-V)特性的测量,对电荷存储的机理进行了深入分析.

关键词：纳米硅氮化硅电容电压法电流电压法

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蛋白质序列复杂性简化与非比对序列分析

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生物化学与生物物理进展 2006年第12期33卷 1215-1222页

作者：李菁李逢博王炜南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室南京210093

非比对序列分析是最新发展的一种序列分析方法,具有计算效率高并适用于分析低相似性的序列,已成功用于DNA的序列分析中.但是由于蛋白质序列的复杂性,非比对序列分析对于蛋白质序列分析的准确度却不高.用将20种天然氨基酸残基归类的方法... 详细信息

非比对序列分析是最新发展的一种序列分析方法,具有计算效率高并适用于分析低相似性的序列,已成功用于DNA的序列分析中.但是由于蛋白质序列的复杂性,非比对序列分析对于蛋白质序列分析的准确度却不高.用将20种天然氨基酸残基归类的方法,简化了蛋白质序列的复杂性,并运用到对蛋白质的非比对序列分析中,有效地提高了序列分析的准确性.

关键词：非比对序列分析氨基酸残基归类序列复杂性简化

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Ni纳米线阵列的铁磁共振研究

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物理学报 2006年第2期55卷 891-896页

作者：袁淑娟周仕明鹿牧上海大学物理系上海200444 复旦大学应用表面国家重点实验室复旦大学物理系上海200433 南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室南京210093

通过改变氧化电压和酸性溶液制备了孔径、孔隙率不同的阳极氧化铝模板,用电沉积方法在模板中制备了Ni有序纳米线阵列,并用铁磁共振技术和振动样品磁强计对其进行了研究.研究表明Ni纳米线阵列存在着较强的偶极相互作用,偶极相互作用与纳... 详细信息

通过改变氧化电压和酸性溶液制备了孔径、孔隙率不同的阳极氧化铝模板,用电沉积方法在模板中制备了Ni有序纳米线阵列,并用铁磁共振技术和振动样品磁强计对其进行了研究.研究表明Ni纳米线阵列存在着较强的偶极相互作用,偶极相互作用与纳米线的形状各向异性之间的竞争决定了纳米线的易磁化方向.随着纳米线阵列密度的增加,线间的偶极相互作用增加,使得纳米线易磁化方向从平行于纳米线方向渐趋向于垂直于纳米线的平面内.

关键词：纳米线铁磁共振偶极相互作用氧化铝模板

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不同尺寸CdTe纳米晶体的共振能量迁移过程的荧光光谱

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Journal of Semiconductors 2006年第z1期27卷 68-71页

作者：徐岭马忠元徐骏黄信凡陈坤基南京大学物理系固体微结构国家重点实验室南京210093 南京大学物理系固体微结构国家重点实验室南京210093 南京大学物理系固体微结构国家重点实验室南京210093 南京大学物理系固体微结构国家重点实验室南京210093 南京大学物理系固体微结构国家重点实验室南京210093

用两种不同尺寸的CdTe纳米晶体与明胶溶液生长出均匀稳定的CdTe纳米晶体-明胶复合薄膜.研究了这种复合体系中两种尺寸的CdTe纳米晶体之间的共振能量迁移过程.荧光光谱显示:当复合薄膜中两种尺寸的纳米晶体之间的距离逐渐靠近时,较小尺寸... 详细信息

用两种不同尺寸的CdTe纳米晶体与明胶溶液生长出均匀稳定的CdTe纳米晶体-明胶复合薄膜.研究了这种复合体系中两种尺寸的CdTe纳米晶体之间的共振能量迁移过程.荧光光谱显示:当复合薄膜中两种尺寸的纳米晶体之间的距离逐渐靠近时,较小尺寸的CdTe纳米晶体荧光峰强度逐步减弱,而较大尺寸的纳米晶体的荧光峰强度逐渐加强.荧光光谱的变化来源于大小尺寸纳米晶体之间的荧光共振能量迁移.小尺寸的纳米晶体作为施主,它的荧光光谱与大尺寸的纳米晶体(作为受主)的光吸收谱完全重叠,因而当施主和受主距离逐渐靠近时(明胶浓度逐渐降低时),施主将会把吸收光子得到的能量直接地共振传输给受主.从光谱分析可以得到荧光淬灭效率随颗粒间距的变化关系图,这种关系图可以被用来快速简捷地估计发光纳米晶体之间的距离,从而为它们在化学和生物领域的应用提供了广阔的前景.

关键词： CdTe纳米晶体共振能量迁移荧光淬灭效率

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利用多层膜生长技术制备纳米印章模板

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物理学报 2006年第4期55卷 2033-2037页

作者：张永军李卫孟祥东杨景海华中李伟徐骏黄信凡陈坤基吉林师范大学物理学院四平136000 南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室南京210093

在纳米印章技术中,为克服电子束刻蚀制备50nm以下线条的技术难点,利用等离子增强化学气相沉积技术制备了a-Si/SiNx多层膜,再利用选择性湿法腐蚀或干法腐蚀在横截面上制备出浮雕型一维纳米级模板.多层膜子层之间界面清晰陡峭,可以在纳米... 详细信息

在纳米印章技术中,为克服电子束刻蚀制备50nm以下线条的技术难点,利用等离子增强化学气相沉积技术制备了a-Si/SiNx多层膜,再利用选择性湿法腐蚀或干法腐蚀在横截面上制备出浮雕型一维纳米级模板.多层膜子层之间界面清晰陡峭,可以在纳米量级对子层厚度进行控制,得到了侧壁在纳米尺度上平滑的模板.通过控制多层膜子层的生长时间,制备出线条宽度和槽状宽度均为20nm的等间距模板,品质优于电子束刻蚀技术制备的模板.

关键词：纳米印章模板多层膜生长技术电子束刻蚀等离子化学气相沉积技术

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激光诱导单层纳米硅结构的形成及其发光特性

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Journal of Semiconductors 2006年第6期27卷 1016-1020页

作者：岑展鸿徐骏李鑫李伟陈三刘艳松黄信凡陈坤基南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室南京210093

结合激光退火与常规热退火方法对超薄非晶硅层作用,在绝缘衬底上获得了高密度的、均匀的单层纳米硅结构.所得样品通过原子力显微镜、透射电子显微镜和Raman散射谱进行表征,证实了晶化过程的发生和纳米硅晶粒的形成.在得到的5nm厚晶化样... 详细信息

结合激光退火与常规热退火方法对超薄非晶硅层作用,在绝缘衬底上获得了高密度的、均匀的单层纳米硅结构.所得样品通过原子力显微镜、透射电子显微镜和Raman散射谱进行表征,证实了晶化过程的发生和纳米硅晶粒的形成.在得到的5nm厚晶化样品中观察到在660nm左右范围内光致发光峰,初步的分析表明其发光与纳米硅晶粒的形成有关.

关键词：纳米硅激光晶化光致发光

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等离子体表面氮掺杂对非晶碳膜场发射特性的影响

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南京大学学报（自然科学版） 2006年第4期42卷 346-350页

作者：李伟岑展鸿钱波梅嘉欣徐骏陈坤基南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室南京210093

氢化非晶碳膜作为一种场致阴极电子发射材料已被广泛研究,通过对薄膜进行掺杂以提高其场发射特性已被证明是行之有效的方法之一.利用常规等离子体化学气相淀积技术制备了氢化非晶碳薄膜材料,在原位利用氮等离子体对碳膜表面进行N型掺杂... 详细信息

氢化非晶碳膜作为一种场致阴极电子发射材料已被广泛研究,通过对薄膜进行掺杂以提高其场发射特性已被证明是行之有效的方法之一.利用常规等离子体化学气相淀积技术制备了氢化非晶碳薄膜材料,在原位利用氮等离子体对碳膜表面进行N型掺杂.通过不同手段研究了氮表面掺杂前后非晶碳膜的微结构和化学键的变化,对表面掺杂前后的薄膜的场电子特性的测量表明,在氮表面掺杂后其场电子发射特性有了明显改善,特别是场发射的阈值电场从掺杂前的3.2 V/μm下降到掺杂后的1.0 V/μm.初步实验分析表明:由于氮表面掺杂后,在碳膜表面形成N-H键,从而导致碳膜表面的有效功函数降低使场电子发射特性得以提高.

关键词：场发射氢化非晶碳表面掺杂

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应力对铋系铁电薄膜性能影响的研究进展

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物理学进展 2006年第3期26卷 490-494页

作者：吴秀梅吕笑梅朱劲松南京大学固体微结构国家重点实验室物理系南京210093

应力普遍存在于铁电薄膜中,是影响薄膜性能和薄膜电子器件可靠性的一个重要参数。本文系统介绍了本小组近年来所进行的应力对铋系铁电薄膜(Bi3.25La0.75Ti3O12,Bi3.15Nd0.85Ti3O12和SrBi2Ta2O9)的铁电性能及与铁电存储有关的开关、疲劳... 详细信息

应力普遍存在于铁电薄膜中,是影响薄膜性能和薄膜电子器件可靠性的一个重要参数。本文系统介绍了本小组近年来所进行的应力对铋系铁电薄膜(Bi3.25La0.75Ti3O12,Bi3.15Nd0.85Ti3O12和SrBi2Ta2O9)的铁电性能及与铁电存储有关的开关、疲劳性能等影响的研究。结果表明:张应力有利于增大薄膜的剩余极化和开关电荷量,而压应力却使得两者都降低。还发现:应力对薄膜的开关时间、矫顽场、疲劳性能等都有影响。其结果都与“应力作用下薄膜内铁电畴的重新取向”有关。

关键词：应力效应铋系铁电薄膜铁电性能开关与疲劳

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