GaN 是一种宽禁带的直接跃迁型半导体兰色发光与激光材料,基于 AlGaN/GaN 异质结构的场效应晶体管(HFETs)在大功率短波长耐高温电子器件方面的研究得到飞速发展。AlGaN 和 GaN 两种材料之间的晶格失配以及不同的热膨胀系数所导致的应变...
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GaN 是一种宽禁带的直接跃迁型半导体兰色发光与激光材料,基于 AlGaN/GaN 异质结构的场效应晶体管(HFETs)在大功率短波长耐高温电子器件方面的研究得到飞速发展。AlGaN 和 GaN 两种材料之间的晶格失配以及不同的热膨胀系数所导致的应变及其弛豫状态影响着 AlGaN/GaN 界面的二维电子气密度并进而影响器件的使用性能。本文利用掠入射同步辐射 X 射线衍射
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