检索结果-内蒙古大学图书馆

低温下用MBE方法生长了Ge／Si超晶格。X射线近边吸收限精细结构研究表明，Ge与Si再Ge／Si界面处存在化学混合。X射线反射及横向散射研究表明，Ge亚层上下表面的粗糙度呈反对称，下表面大的粗糙度来源于Ge向Si亚层中扩散形成SiGe混合组分结构：这种组分结构可以用一平均成份的SiGe合金层加以拟合，从而使得各亚层均有一个合理的粗糙度。旋转样品进行的X射线散射研究表明，这种SiGe的混合是各向同性的，这与透射电子显微镜的研究结构相一致。

关键词： Ge/Si超晶格界面结构 X射线粗糙度纳米结构光电特性

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Si缓冲层生长温度对SiGe外延层结构的影响

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北京同步辐射装置年报 2002年第1期 154-158页

作者：谭伟石吴小山蒋树声贾全杰郑文莉姜晓明郑鸿样南京大学固体微结构物理国家重点实验室，微结构物理高等科学技术中心，南京大学物理系，南京2l0093 中国科学院高能物理研究所，北京100039 国立台湾大学凝聚态科学中心，台湾

用X射线摇摆曲线和掠入射衍射、透射电镜、原子力显微镜等实验技术研究了MBE方法生长的Si缓冲层生长温度对SiGe／Si异质结结构的影响。结果表明，所研究的SiGe外延层晶格发生完全弛豫，但表面粗糙度和界面失配位错随Si缓冲层的生长温度... 详细信息

用X射线摇摆曲线和掠入射衍射、透射电镜、原子力显微镜等实验技术研究了MBE方法生长的Si缓冲层生长温度对SiGe／Si异质结结构的影响。结果表明，所研究的SiGe外延层晶格发生完全弛豫，但表面粗糙度和界面失配位错随Si缓冲层的生长温度而变化，最佳生长温度为450℃；缓冲层晶格应变是达到高质量SiGe外延层的主要原因。

关键词： Si缓冲层生长温度 SiGe外延层结构 X射线晶格

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磁性高分子材料的研究进展

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青岛化工学院学报（自然科学版） 2002年第2期23卷 23-26,35页

作者：王韶晖张萍赵树高王声乐都有为青岛化工学院高分子科学与工程学院山东青岛266042 南京斯威特集团博士后工作站江苏南京210006 南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室江苏南京210093

综述了结构型和复合型两类磁性高分子材料的制备方法、结构及性能的研究进展。

关键词：研究进展磁性高分子材料功能材料结构性能制备磁性能结构型材料复合型材料

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化学计量比LiNbO_3晶体的畴结构及完整性研究

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人工晶体学报 2002年第4期31卷 387-391页

作者：孙敦陆杭寅张连瀚钱小波李世峰徐军罗国珍祝世宁朱永元周圣明中国科学院安徽光学精密机械研究所中国科学院上海光学精密机械研究所上海201821 上光富晶光电材料有限公司昆山215316 中国科学院上海光学精密机械研究所上光富晶光电材料有限公司南京大学固体微结构国家重点实验室安徽大学物理系

本文对用助熔剂提拉法生长的两种化学计量比LiNbO3 晶体进行了测试分析 ,并与同成分LiNbO3 晶体相比较。通过差热分析和X射线粉末衍射测试 ,得出随着晶体中Li2 O含量的增加 ,其居里温度变高 ,晶格常数变小。用酸腐蚀晶体 ,通过直接观察... 详细信息

本文对用助熔剂提拉法生长的两种化学计量比LiNbO3 晶体进行了测试分析 ,并与同成分LiNbO3 晶体相比较。通过差热分析和X射线粉末衍射测试 ,得出随着晶体中Li2 O含量的增加 ,其居里温度变高 ,晶格常数变小。用酸腐蚀晶体 ,通过直接观察和金相照片 ,分析其畴结构 ,得出SLN11是单畴生长 ,首次观察出SLN19晶体在Z切面上出现了三块面积较大的对称反畴区 ,将其称为区域性单畴。另外 ,还对晶体在 (0 0 1)方向抛光面的不同位置测量了其回摆曲线 ,得到了其中SLN19晶体有着较完整的结晶面。期望通过改变生长参数 ,长出完全单畴且更加接近化学计量比的LiNbO3

关键词：化学计量比 LiNbO3晶体畴结构完整性研究居里温度晶格常数区域性单畴回摆曲线助熔剂提拉法

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硅纳米晶粒基MOSFET存储器的荷电特征研究

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电子学报 2001年第2期29卷 145-147页

作者：施毅袁晓利吴军杨红官顾书林韩平郑有炓南京大学物理系和固体微结构国家重点实验室南京210093

本文研究了硅纳米晶粒MOSFET存储器的荷电特征 .器件阈值电压偏移达 1 8V以上 ,并随着沟道宽度的变窄而增加 ,而与沟道长度基本无关 .同时 ,阈值涨落也随宽度的变窄而增大 .在 2 0～ 30 0K测量温度范围内 ,器件阈值偏移和电荷的存储特... 详细信息

本文研究了硅纳米晶粒MOSFET存储器的荷电特征 .器件阈值电压偏移达 1 8V以上 ,并随着沟道宽度的变窄而增加 ,而与沟道长度基本无关 .同时 ,阈值涨落也随宽度的变窄而增大 .在 2 0～ 30 0K测量温度范围内 ,器件阈值偏移和电荷的存储特性几乎不随温度变化 ,说明荷电过程主要由直接隧穿决定 .进一步 ,在最窄沟道器件中观察到单电荷的荷电过程 .

关键词：硅纳米晶粒存储器 MOSFET 荷电特征

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铁磁-d波超导结中的粗糙界面散射和自旋反转效应对隧道谱的影响

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物理学报 2001年第9期50卷 1779-1782页

作者：董正超淮阴师范学院物理系南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室南京210093

考虑到铁磁层中的自旋极化效应、以及界面的粗糙散射和自旋反转效应 ,利用推广了的Blonder Tinkham Klap wijk理论模型 ,计算铁磁 d波超导结中的自旋极化隧道谱 .研究表明 1)自旋反转效应能使零偏压电导峰变得尖锐 ;2 )粗糙的界面散射... 详细信息

考虑到铁磁层中的自旋极化效应、以及界面的粗糙散射和自旋反转效应 ,利用推广了的Blonder Tinkham Klap wijk理论模型 ,计算铁磁 d波超导结中的自旋极化隧道谱 .研究表明 1)自旋反转效应能使零偏压电导峰变得尖锐 ;2 )粗糙的界面散射除了能压低零偏压电导峰的高度 ,还能使零偏压凹陷处感应出一中心峰 .结果能定性地解释最近的两篇关于La2 3 Ba1 3 MnO3 DyBa2 Cu3O7与La2 3 Ba1 3 MnO3 YBa2 Cu3O7-δ结中的实验报道 .

关键词：自旋极化效应自旋反转效应粗糙界面散射效应铁磁-d波超导结自旋极化隧道谱

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稀土锰氧化物La_(1-x)Na_xMnO_3室温磁电阻效应研究

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功能材料 2001年第2期32卷 147-148页

作者：许恒毅曹庆琪唐涛张世远南京大学物理系固体微结构国家重点实验室江苏南京210093

采用固态烧结的方法制备了一系列稀土锰氧化物Ｌａ１－ｘＮａｘＭｎＯ３多晶样品，研究了不同成分样品的微结构，磁电阻和居里温度等性质，并对实验结果进行了定性讨论。

关键词：钙钛矿巨磁电阻双交换作用铁磁性稀土锰氧化物

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