检索结果-内蒙古大学图书馆

物理学进展 2000年第3期20卷 301-309页

作者：王骏王炜南京大学物理系固体微结构国家重点实验室南京210093

文中概要地描述了“蛋白质折叠”的问题及其统计研究方法 ,并针对根据氨基酸之间相互作用特性进行的氨基酸和蛋白质简化研究进行了较为细致的论述和讨论 ;并指出通过这样的分析 ,我们不仅可以对蛋白质具体的简化字母表示有一定的了解 ,... 详细信息

文中概要地描述了“蛋白质折叠”的问题及其统计研究方法 ,并针对根据氨基酸之间相互作用特性进行的氨基酸和蛋白质简化研究进行了较为细致的论述和讨论 ;并指出通过这样的分析 ,我们不仅可以对蛋白质具体的简化字母表示有一定的了解 ,而且对于我们进一步了解蛋白质序列结构关系有很大的帮助。

关键词：蛋白质折叠能量面简化表示蛋白质分子结构

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有Si覆盖的部分氧化多孔硅的光致发光

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Journal of Semiconductors 2000年第2期21卷 132-136页

作者：顾沂吴兴龙唐宁鲍希茂南京大学固体微结构国家重点实验室南京大学物理系南京210093

在４８８ｎｍ的Ａｒ＋激光激发下，Ｓｉ覆盖的部分氧化多孔硅（ＰＯＰＳ）的光致发光谱（ＰＬ）在１．７８ｅＶ处展示了一个稳定的ＰＬ峰，它的强度达到刚制备多孔硅的发光强度．使用Ｘ射线衍射、Ｒａｍａｎ散射、傅里叶变换红外... 详细信息

在４８８ｎｍ的Ａｒ＋激光激发下，Ｓｉ覆盖的部分氧化多孔硅（ＰＯＰＳ）的光致发光谱（ＰＬ）在１．７８ｅＶ处展示了一个稳定的ＰＬ峰，它的强度达到刚制备多孔硅的发光强度．使用Ｘ射线衍射、Ｒａｍａｎ散射、傅里叶变换红外吸收和电子自旋共振等对其发光机理进行了系统的研究．结果表明，这个增强的ＰＬ峰不是起源于量子限制硅晶粒中的带带复合，也不是起源于样品表面局域态或硅晶粒与氧化物之间的界面态的辐射复合．通过与Ｇｅ覆盖的部分氧化多孔硅的相关结果比较。

关键词：多孔硅光致发光硅

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硅基多孔U-SiC薄膜的电致发光及其机理分析

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Journal of Semiconductors 2000年第2期21卷 127-131页

作者：吴晓华鲍希茂李宁生廖良生郑祥钦南京大学物理系和固体微结构国家重点实验室南京210093

单晶硅中注入高剂量的Ｃ＋离子，注入能量为５０ｋｅＶ，经高温退火后形成β－ＳｉＣ沉淀，再经电化学腐蚀形成多孔β－ＳｉＣ，样品表面蒸上一层半透明的金膜，在正向偏压高于２５Ｖ时，可以获得波长约为４４７ｎｍ的蓝光发射，而... 详细信息

单晶硅中注入高剂量的Ｃ＋离子，注入能量为５０ｋｅＶ，经高温退火后形成β－ＳｉＣ沉淀，再经电化学腐蚀形成多孔β－ＳｉＣ，样品表面蒸上一层半透明的金膜，在正向偏压高于２５Ｖ时，可以获得波长约为４４７ｎｍ的蓝光发射，而且该蓝光发射随着电压的升高而增强．文中还将多孔β－ＳｉＣ薄膜的电致发光和其光致发光进行了比较。

关键词：碳化硅薄膜电致发光发光机理硅基

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硅基底电子束蒸发铝膜阳极氧化特性

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Journal of Semiconductors 2000年第3期21卷 255-259页

作者：邹建平吴俊辉朱青濮林朱健民鲍希茂南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室南京210093

研究了硅衬底上电子束蒸发铝膜 ,在 H2 SO4 水溶液中阳极氧化形成硅衬底多孔氧化铝复合结构的过程 .硅衬底电子束蒸发铝膜的阳极氧化过程主要由多孔氧化铝的生长、氧化铝生长向氧化硅生长的过渡和氧化硅生长三个阶段构成 .硅衬底多孔氧... 详细信息

研究了硅衬底上电子束蒸发铝膜 ,在 H2 SO4 水溶液中阳极氧化形成硅衬底多孔氧化铝复合结构的过程 .硅衬底电子束蒸发铝膜的阳极氧化过程主要由多孔氧化铝的生长、氧化铝生长向氧化硅生长的过渡和氧化硅生长三个阶段构成 .硅衬底多孔氧化铝复合结构的透射电子显微镜观察表明 ,在硅衬底上形成了垂直于硅表面的氧化铝纳米孔 ,而孔底可形成 Si O2 层 .有序结构多孔氧化铝的形成不依赖于铝膜的结晶状态 ,而是由阳极氧化过程的自组织作用所决定的 .实验表明将多孔氧化铝制备工艺移植到硅基衬底上直接形成硅基衬底多孔氧化铝复合结构是可行的。

关键词：多孔氧化铝阳极氧化电子束蒸发铝膜硅基底

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一种硅基多孔氧化铝-荧光复合发光材料

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Journal of Semiconductors 2000年第8期21卷 770-773页

作者：易争平邹建平杨阳陈慧兰鲍希茂南京大学化学系南京大学配位化学国家重点实验室南京210093 南京大学物理系南京大学固体微结构物理国家重点实验室南京210093

制备了硅基多孔氧化铝 - 3-羟基 - 2 -萘甲酸钠复合发光材料 .PL谱表明 3-羟基 - 2 -萘甲酸钠进入氧化铝膜的纳米孔内以后 ,发光峰位相对于其在膜表面有明显蓝移 .FT- IR谱进一步确认了 3-羟基 - 2 -萘甲酸钠进入氧化铝膜孔内 .实验结... 详细信息

制备了硅基多孔氧化铝 - 3-羟基 - 2 -萘甲酸钠复合发光材料 .PL谱表明 3-羟基 - 2 -萘甲酸钠进入氧化铝膜的纳米孔内以后 ,发光峰位相对于其在膜表面有明显蓝移 .FT- IR谱进一步确认了 3-羟基 - 2 -萘甲酸钠进入氧化铝膜孔内 .实验结果表明。

关键词：复合材料硅基发光材料荧光氧化铝

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硅衬底阳极氧化铝膜的荧光发射研究

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发光学报 2000年第1期21卷 53-56页

作者：吴俊辉邹建平朱青鲍希茂南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室江苏南京210093

报道了用电子束蒸发技术在硅衬底上沉积 ,并于 1 5wt% H2 SO4 ,温度 2 5℃和 4 0 V直流电压条件下阳极氧化铝薄的制备 (膜厚约 4 0 0 nm)。研究了该阳极氧化铝膜的红外吸收光谱 ( FTIR)、光致荧光光谱 ( PL)和荧光激发光谱 ( PLE)。发... 详细信息

报道了用电子束蒸发技术在硅衬底上沉积 ,并于 1 5wt% H2 SO4 ,温度 2 5℃和 4 0 V直流电压条件下阳极氧化铝薄的制备 (膜厚约 4 0 0 nm)。研究了该阳极氧化铝膜的红外吸收光谱 ( FTIR)、光致荧光光谱 ( PL)和荧光激发光谱 ( PLE)。发现其荧光光谱在 2 80～ 50 0 nm范围内由三个主发射带组成 ,其峰值分别位于 3 1 2 nm,3 67nm和 4 49nm。所有这三个 PL带 ,经分析都与阳极氧化铝膜中的氧空位缺陷有关。 3 1 2 nm和 3 67nm的发射带分别来源于与氧空位相关的 F+ ( 1 B→ 1 A)和 F( 3 P→ 1S)中心 ,而 4

关键词：阳极氧化铝光致发光荧光发射硅衬底薄膜

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α-PbO_2型TiO_2纳米晶微结构的HREM研究

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电子显微学报 2000年第4期19卷 421-422页

作者：马国斌陈志强洪建明朱健民周舜华李齐闵乃本南京大学物理系固体微结构国家重点实验室南京210093

TiO2是一种具有广泛应用前景的氧化物材料,其结构及相关的物理化学特性一直是实验和理论研究的焦点.常温常压下TiO2可以以四种形态存在,即锐钛矿、金红石、板钛矿和α-PbO2型.其中属四方晶系的金红石是最稳定的,其它几种形态在高温下都... 详细信息

TiO2是一种具有广泛应用前景的氧化物材料,其结构及相关的物理化学特性一直是实验和理论研究的焦点.常温常压下TiO2可以以四种形态存在,即锐钛矿、金红石、板钛矿和α-PbO2型.其中属四方晶系的金红石是最稳定的,其它几种形态在高温下都将转变成金红石.板钛矿和α-PbO2型TiO2都属正交晶系,但前者只是以亚稳相的形式存在,而后者则是一种高压淬火相.α-PbO2型TiO2可以在0.8到10.0GPa的压强下形成,其晶格参数为a=4.55、b=5.46、c=4.92[1].

关键词： α-PbO2型二氧化钛纳米晶微结构 HREM

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CdSe/HgSe/CdSe量子点量子阱(QDQW)的HREM研究

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电子显微学报 2000年第4期19卷 401-402页

作者：陈志强朱健民洪建明马国斌濮林朱信华周舜华李齐南京大学物理系固体微结构国家重点实验室南京210093

我们应用胶体化学合成方法制备出具有核壳结构的CdSe/HgSe/CdSe量子点量子阱(QDQW)纳米晶,由于QDQW中载流子的量子限制效应,其光致发光谱(PL)出现了明显的蓝移现象,谱峰也有明显增强.本文中,我们通过对CdSe/HgSe/CdSe量子点量子阱核壳... 详细信息

我们应用胶体化学合成方法制备出具有核壳结构的CdSe/HgSe/CdSe量子点量子阱(QDQW)纳米晶,由于QDQW中载流子的量子限制效应,其光致发光谱(PL)出现了明显的蓝移现象,谱峰也有明显增强.本文中,我们通过对CdSe/HgSe/CdSe量子点量子阱核壳结构进行HREM的研究,并对包裹层这种异质外延生长及PL谱进行分析,获得了有意义的结论.

关键词：硒化镉硒化汞半导体量子点量子阱 HREM

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层状钙钛矿铁电薄膜的层错结构研究

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电子显微学报 2000年第4期19卷 465-466页

作者：朱信华洪建明李爱东朱健民吴迪周舜华李齐刘治国闵乃本南京大学物理系固体微结构国家重点实验室南京210093

由于铁电薄膜具有工作电压低、读写速度快及较好的耐久性等优点,在非易失存储器(FRAM)方面受到人们的广泛重视.在过去的十年里,研究的重点集中在Pb(Zr,Ti)O3(PZT)系铁电薄膜材料,但由于该系材料存在严重的疲劳现象,限制其在FRAM器件上... 详细信息

由于铁电薄膜具有工作电压低、读写速度快及较好的耐久性等优点,在非易失存储器(FRAM)方面受到人们的广泛重视.在过去的十年里,研究的重点集中在Pb(Zr,Ti)O3(PZT)系铁电薄膜材料,但由于该系材料存在严重的疲劳现象,限制其在FRAM器件上的应用.近年来,铋系层状钙钛矿结构的铁电薄膜材料在FRAM器件中的应用与日俱增.SrBiTa2O9(SBT)铁电薄膜作为铋系层状钙钛矿结构材料的代表,它具有优良的耐疲劳特性(极化反转次数高达1012次)和较好的保持力特性,成为制备FRAM器件的首选材料[1].虽然人们对SBT铁电薄膜的制备工艺、电学性能及光学性能进行了大量的研究,但有关其缺陷及微结构对铁电性能的影响报道非常少,主要原因是由于其结构比较复杂,难于在原子尺度上对其结构缺陷进行表征.本文利用高分辨电子显微术(HRTEM)研究了铋过量10mol%的SBT铁电薄膜的层错结构缺陷.结果表明该层错是由垂直于C轴多余的Bi-O面插入层构成,它来源于薄膜中过量的氧化铋.本文还讨论了层错对SBT铁电薄膜性能及耐疲劳特性的影响.

关键词：层状钙钛矿铁电薄膜层错结构

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复合氧化物纳米粒子三维自组装的HREM研究

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电子显微学报 2000年第4期19卷 423-424页

作者：朱健民马国斌陈志强濮林朱信华周舜华李齐南京大学物理系固体微结构国家重点实验室南京210093

纳米晶以其不同于原子和大块材料的物理、化学性质而受到广泛关注,相关研究极其活跃.颗粒均匀、粒径小于10nm的纳米粒子被称为量子点(QDs).高极化激发态在光电子领域具有潜在的应用价值.如果将纳米晶组装成具有规则外形和有序排列的中... 详细信息

纳米晶以其不同于原子和大块材料的物理、化学性质而受到广泛关注,相关研究极其活跃.颗粒均匀、粒径小于10nm的纳米粒子被称为量子点(QDs).高极化激发态在光电子领域具有潜在的应用价值.如果将纳米晶组装成具有规则外形和有序排列的中孔材料[1],则可能对微电子、光电子和催化技术等产生深远的影响.因此,纳米晶的制备和组装具有重要的物理意义和广泛的应用前景.

关键词：复合氧化物纳米粒子三维自组装 HREM

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