检索结果-内蒙古大学图书馆

物理学报 1997年第6期46卷 1217-1222页

作者：佟嵩刘湘娜王路春阎峰鲍希茂南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室

在用等离子体增强化学汽相淀积的嵌有纳米晶粒硅薄膜中观测到电致发光．发光谱处在５００—８００ｎｍ之间，它有两个分别位于６３０—６８０ｎｍ和７３０ｎｍ附近的峰，两个峰的强度与薄膜的电导率有密切关系．根据这种材料的结构特性... 详细信息

在用等离子体增强化学汽相淀积的嵌有纳米晶粒硅薄膜中观测到电致发光．发光谱处在５００—８００ｎｍ之间，它有两个分别位于６３０—６８０ｎｍ和７３０ｎｍ附近的峰，两个峰的强度与薄膜的电导率有密切关系．根据这种材料的结构特性对载流子的传导通道进行了讨论。

关键词： PECVD 纳米晶硅薄膜电致发光器件

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嵌埋在SiO_2基质中的nc-Ge的制备及其发光现象

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物理学报 1997年第6期46卷 1153-1160页

作者：贺振宏陈坤基冯端南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室

采用等离子体化学汽相淀积技术生长ａＧｅｘＳｉ１－ｘ∶Ｈ薄膜，然后在８００℃，１０５Ｐａ下于传统开口管式炉中氧化热处理，制备嵌埋在ＳｉＯ２中的ｎｃＧｅ微晶粒．利用傅里叶变换红外光谱、喇曼光谱和Ｘ射线衍射谱分析样品的... 详细信息

采用等离子体化学汽相淀积技术生长ａＧｅｘＳｉ１－ｘ∶Ｈ薄膜，然后在８００℃，１０５Ｐａ下于传统开口管式炉中氧化热处理，制备嵌埋在ＳｉＯ２中的ｎｃＧｅ微晶粒．利用傅里叶变换红外光谱、喇曼光谱和Ｘ射线衍射谱分析样品的微结构，研究ａＧｅｘＳｉ１－ｘ∶Ｈ薄膜的氧化过程中发生的化学和物理变化，并用平衡态化学反应热理论加以解释．在某些样品中观察到室温下的光致发光现象，采用Ｂｒｕｓ电子空穴三维限制模型，结合ｎｃＧｅ的微结构。

关键词： nc-Ge 半导体纳米材料薄膜光致发光

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机械合金化Fe-Si合金的微结构与磁性

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物理学报 1997年第11期46卷 2250-2257页

作者：周铁军王敦辉章建荣都有为王锦辉陈允鸿南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室扬州大学师范学院物理系

用机械合金化方法制备了不同成分的ＦｅＳｉ合金．其晶粒具有αＦｅ结构，粒径为十几到几十纳米，且晶格存在严重畸变．它们的饱和磁化强度σｓ与Ｓｉ含量近似成线性关系，只是稍小于相应的单晶和多晶ＦｅＳｉ合金，而其矫顽力Ｈ... 详细信息

用机械合金化方法制备了不同成分的ＦｅＳｉ合金．其晶粒具有αＦｅ结构，粒径为十几到几十纳米，且晶格存在严重畸变．它们的饱和磁化强度σｓ与Ｓｉ含量近似成线性关系，只是稍小于相应的单晶和多晶ＦｅＳｉ合金，而其矫顽力Ｈｃ和有效各向异性常数Ｋｅｆｆ却远大于相应的单晶和多晶ＦｅＳｉ合金．它们的磁谱除Ｆｅ７５Ｓｉ２５外都是弛豫型的，其磁导率的大小与相应的铁氧体复合材料差不多．在它们的磁化过程中，畴壁位移占主导地位．

关键词：机械合金化铁硅合金微结构软磁合金

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金属薄膜的量子输运理论

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物理学报 1997年第3期46卷 568-578页

作者：董正超盛利邢定钰董锦明南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室

运用格林函数方法和久保公式研究金属薄膜中的电子输运．考虑了量子尺寸效应及来自杂质和两个粗糙表面的散射，计算单粒子格林函数和平行电导率．计算结果表明：（１）在薄膜系统中，电子数密度、平均自由程以及来自杂质和表面散射的电... 详细信息

运用格林函数方法和久保公式研究金属薄膜中的电子输运．考虑了量子尺寸效应及来自杂质和两个粗糙表面的散射，计算单粒子格林函数和平行电导率．计算结果表明：（１）在薄膜系统中，电子数密度、平均自由程以及来自杂质和表面散射的电导率都以π／ｋＦ（ｋＦ为费密波矢的数值）为周期随厚度ｄ振荡；（２）在薄膜和厚膜的两种极限。

关键词：金属薄膜量子输运

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从动力学驰豫的测量结果推导临界电流密度Jc0（T,Be）的直接方法

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低温物理学报 1997年第3期19卷 2-6页

作者：姚希贤,覃孟军,于杨南京大学物理系固体微结构国家重点实验室

本文给出了一种从高温超导体动力学驰豫的测量结果推导其临界电流密度Ｊｃ０（Ｔ，Ｂｅ）的直接方法．这种方法与ＧＩＳ相比，避免了ＧＩＳ中所涉及的复杂的讨论和处理，使问题变得直接和明朗．同时，用这种方法还可以从动力学弛豫的测... 详细信息

本文给出了一种从高温超导体动力学驰豫的测量结果推导其临界电流密度Ｊｃ０（Ｔ，Ｂｅ）的直接方法．这种方法与ＧＩＳ相比，避免了ＧＩＳ中所涉及的复杂的讨论和处理，使问题变得直接和明朗．同时，用这种方法还可以从动力学弛豫的测量中求出μ和Ｕｃ随温度和磁场的依赖关系μ（Ｔ，Ｂｅ）、Ｕｃ（Ｔ，Ｂｅ）．

关键词：直接方法临界电流密度驰豫 c0 T,B_e 测量结果动力学

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硅基双色发光图形的研制

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Journal of Semiconductors 1997年第5期18卷 325-328页

作者：李宁生鲍希茂廖良生王振飞南京大学物理系和固体微结构国家重点实验室南京210093

本文提出一种制作硅基发光图形的方法，利用SiO2作掩膜，通过C+离子选区注入，退火处理及电化学腐蚀，使样品的单晶区形成多孔硅红-绿色发光区，注C+区域形成多孔SiC的蓝光发射区域，构成双色发光图形．

关键词：双色发光图形硅基光电子材料硅单晶

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Nb_3Te_4单晶输运性质及磁化率测量

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无机材料学报 1997年第3期12卷 409-411页

作者：窦敖川刘治国镇江师范专科学校物理系镇江212003 南京大学固体微结构国家重点实验室南京212008

测量了Nb3Te4单晶在不同磁场及电场作用下R（T）/（300K）～T曲线，发现磁场对高温Peierls相变温度的回滞有“压缩”作用，电场对高温Peierls相变温度的回滞有“加宽”作用．另外，测量磁化率时还发现，T＜50K时，晶体出现抗磁信号．

关键词：相变电荷密度波磁化率测量单晶碲化铌

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一种纳米硅薄膜的传导机制

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物理学报 1997年第8期46卷 1636-1644页

作者：何宇亮余明斌胡根友张蔷南京大学固体微结构物理国家重点实验室西安理工大学物理系北京联合大学电子自动化工程学院

基于对实验和理论的分析，提出一种异质结量子点隧穿（ＨＱＤ）模型，并导出了纳米硅薄膜电导率完整的表达式．其主要思想是，纳米硅薄膜中的微晶粒（几个纳米大小）具有量子点特征，在微晶粒与界面之间由于两者能隙的差异构成晶间势垒... 详细信息

基于对实验和理论的分析，提出一种异质结量子点隧穿（ＨＱＤ）模型，并导出了纳米硅薄膜电导率完整的表达式．其主要思想是，纳米硅薄膜中的微晶粒（几个纳米大小）具有量子点特征，在微晶粒与界面之间由于两者能隙的差异构成晶间势垒，这类似于多晶硅中经常使用的晶间势垒模型（ＧＢＴ）．考虑到量子点中的单电子隧穿特征，认为纳米硅薄膜中的电传导是由微晶粒中电子弹道式输运与单电子越过势垒的隧穿构成的．这就是ＨＱＤ模型的主要内容。

关键词： HQD模型纳米硅薄膜传导机制

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原子设计材料科学与技术(Ⅰ)

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物理 1997年第5期26卷 203-208页

作者：王广厚南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室

科学实验技术的发展，使得人们有可能在原子尺度上人工合成材料，例如，原子团簇、团簇材料、线性链、多层异质结构、超薄膜等．这些材料的特征是维数低，对称性减小，几何特征显著．文章强调原子工程作为这些领域的交接点，重点讨论了... 详细信息

科学实验技术的发展，使得人们有可能在原子尺度上人工合成材料，例如，原子团簇、团簇材料、线性链、多层异质结构、超薄膜等．这些材料的特征是维数低，对称性减小，几何特征显著．文章强调原子工程作为这些领域的交接点，重点讨论了原子设计材料的合成、表征和应用．考察了有限尺度和减少维数对这些材料的电磁、光和化学性质的影响和作用．从物理学、化学。

关键词：原子设计材料制备结构技术发展原子团簇

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发光高分子聚合物中的无序结构及其对电子性质的影响

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物理 1997年第6期26卷 352-356页

作者：熊诗杰南京大学物理系固体微结构国家重点实验室

发光高分子聚合物的电子结构和发光机制的理论研究，是引起人们广泛重视的基础理论研究的新领域．文章简要介绍了这方面的研究概况。

关键词：发光聚合物无序结构局域化电子能带结构

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