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检索条件"机构=南京大学物理系和南京微结构国家重点实验室"
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超导涡旋玻璃
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物理 1997年 第8期26卷 470-474页
作者: 丁世英 南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室
超导涡旋统的性质丰富多彩,对它的理论和实验研究已积累了大量的新知识,以致形成了凝聚态物理的一个新分支———涡旋物理学涡旋固体可以是玻璃态或结晶态,其强度直接联超导应用的主要参量之一的临界电流密度,使这一研究有浓... 详细信息
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准自由硅团簇的表面模
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物理 1997年 第10期26卷 577-578页
作者: 王广厚 南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室
文章介绍用惰性气体冷凝法制得Si团簇并首次将其嵌入多孔硅的孔隙中,经与孔壁多次掠角散射形成准自由团簇.激光拉曼谱测量显示,除了多孔硅的散射峰(510cm-1附近)外,存在一些新的低频散射峰:分别在27(29),37和... 详细信息
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普适弛豫的一种新模型
普适弛豫的一种新模型
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第五届全国固体内耗与超声衰减学术会议
作者: 黄以能 大学固体微结构国家重点实验室 南京大学物理系
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Study on Structural Stability of Hydrogenated Amorphous Germanium-Nitrogen Alloys
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Journal of Semiconductors 1997年 第3期18卷 228-231页
作者: 徐骏 陈坤基 冯端 宫崎诚一 广濑全孝 南京大学物理系 固体微结构物理国家重点实验室 江苏 南京 Hiroshima University 日本
A series of hydrogenated amorphous germanium-nitrogen alloys have been synthesized by r. f. glow discharge process. The chemical bonding configurations and their thermal stability have been investigated by means of Ra... 详细信息
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颗粒尺寸对多晶C<,60>薄膜有序-无序相变引起的内耗峰的影响
颗粒尺寸对多晶C<,60>薄膜有序-无序相变引起的内耗峰的影响
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第五届全国固体内耗与超声衰减学术会议
作者: 严锋 王业宁 大学固体微结构物理国家重点实验室 南京大学物理系
C<,60>晶体在260K附近发生了一个有序-无序相变,这在很实验中得到验证,但是其中有很多物理性质,仍然不能解释清楚。很多文章都报道了在相变附近,C<,60>晶体的杨氏模量发生很大的变化,并且很多内耗实验都测出了一... 详细信息
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C<,60>晶体高温区域的相变
C<,60>晶体高温区域的相变
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第五届全国固体内耗与超声衰减学术会议
作者: 严峰 王业宁 大学固体微结构物理国家重点实验室 南京大学物理系
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溅射制备NiTi薄膜的表面组态对晶化热处理的影响
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科学通报 1997年 第19期42卷 2122-2122页
作者: 宫峰飞 姜恩永 沈惠敏 王业宁 天津大学物理系 天津300072 南京大学固体微结构国家重点实验室 南京210093
溅射制备的NiTi薄膜因其在智能薄膜统中的广泛应用而受到重视.通常情况下,溅射制备获得的NiTi薄膜是非晶.而非晶Ni-Ti薄膜没有形状记忆效应,因此要进行晶化热处理.但是,在较高温度和/或较长时间下晶化热处理时,我们发现有挥发物出来.... 详细信息
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普适弛豫理论的动力学模拟
普适弛豫理论的动力学模拟
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第五届全国固体内耗与超声衰减学术会议
作者: 李新 窦敖川 大学固体微结构国家重点实验室 南京大学物理系 市高等师范专科学校物理系
该文对具有简谐势的一维点阵统进行了模拟,发现其弛豫函数ψ(t),当t→0,ψ(t)=e<’-t/τ>,当t→∞,ψ(t)→e<’(-t/τ)β>。但在一定的时间处,弛豫函数ψ(t)由指数函数快速并连续地过渡到拉伸指... 详细信息
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注Si^+热氧化SiO2薄膜的蓝光发射及其退火特性
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Journal of Semiconductors 1996年 第10期17卷 789-792页
作者: 廖良生 鲍希茂 郑祥钦 李宁生 闵乃本 南京大学物理系和固体微结构国家重点实验室
对单晶硅片上热生长的SiO2薄膜注入Si+,注入能量为120keV,剂量为2×1016cm-2.在~5.0eV的光子激发下,注Si+氧化膜可生产~2.7eV的蓝光发射.在退火处理中,发光强度先随退火温度上升而增大... 详细信息
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SiO_2薄膜注Si^+后的蓝光发射
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科学通报 1996年 第1期41卷 94-95页
作者: 廖良生 鲍希茂 郑祥钦 李宁生 闵乃本 南京大学物理系和固体微结构国家重点实验室 南京210093
由于成熟的硅平面工艺已使硅成为目前不可取代的最重要的半导体材料,因此为了实现未来的硅基光电子集成,硅基发光材料正成为研究热点.广泛应用于硅集成电路中的SiO_2.薄膜有可能成为一种硅基发光材料.最近有人采用高注入能量在硅基SiO_2... 详细信息
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