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从量子限制发光中心模型出发 ,计算了纳米硅的光致发光 (PL)特征与发光中心间的关系 .研究发现 ,纳米硅与发光中心间的内电场对载流子复合率及峰位振荡有着十分重要的影响 .在 2— 5nm的尺寸范围内 ,纳米硅发光中心上的载流子复合概率远大于内部复合概率 ,仅需考虑发光中心上的载流子复合发光 .还发现发光中心与纳米硅粒子间的内电场对于纳米硅的发光峰位振荡有着显著的影响 .发光中心与纳米硅粒子间的内电场的存在会显著减小纳米硅粒子的内部发光效率以及外部相应发光中心上的发光强度。

关键词：内电场纳米硅光致发光谱量子限制发光中心载流子复合率发光强度

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晶粒边界对Nd_2Fe_(14)B/α-Fe纳米复合材料性能的影响

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物理学报 2000年第11期49卷 2281-2286页

作者：计齐根都有为南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室南京210093

用快淬急冷技术制备了Nd10 Fe84 -xB6Inx(x =0和 1)系列薄带磁体 .利用添加和挥发微量In元素的方法从宏观表现上研究了晶粒边界对晶粒之间交换耦合和磁硬化等性能的影响 .发现晶粒边界性质以不同方式影响着磁体矫顽力和剩磁比 .某些晶... 详细信息

用快淬急冷技术制备了Nd10 Fe84 -xB6Inx(x =0和 1)系列薄带磁体 .利用添加和挥发微量In元素的方法从宏观表现上研究了晶粒边界对晶粒之间交换耦合和磁硬化等性能的影响 .发现晶粒边界性质以不同方式影响着磁体矫顽力和剩磁比 .某些晶界特性 ,像缺陷、应力等主要影响磁硬化机制 ;而另外一些性能 ,如晶界类型。

关键词：晶界纳米复合材料热处理微量添加

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尺寸可控的纳米硅的生长模型和实验验证

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物理学报 2006年第10期55卷 5403-5408页

作者：刘艳松陈铠乔峰黄信凡韩培高钱波马忠元李伟徐骏陈坤基南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室南京210093

基于经典热力学理论,对a-SiNx/a-Si:H/a-SiNx三明治结构或a-Si:H/a-SiNx多层膜结构中纳米硅成核,以及从球形到鼓形的生长过程进行了研究.建立了限制性晶化理论模型:在纳米硅生长过程中,由于界面能增大将导致生长停止,给出限制性晶化条... 详细信息

基于经典热力学理论,对a-SiNx/a-Si:H/a-SiNx三明治结构或a-Si:H/a-SiNx多层膜结构中纳米硅成核,以及从球形到鼓形的生长过程进行了研究.建立了限制性晶化理论模型:在纳米硅生长过程中,由于界面能增大将导致生长停止,给出限制性晶化条件——a-Si:H子层厚度小于34nm.在激光晶化和常规热退火两种方法形成的a-SiNx/nc-Si/a-SiNx三明治结构和nc-Si/a-SiNx多层膜结构中验证了该理论模型.

关键词：非晶硅纳米硅激光辐照结晶

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锗/硅异质纳米结构中空穴存储特性研究

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物理学报 2004年第4期53卷 1211-1216页

作者：杨红官施毅闾锦濮林张荣郑有炓南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室南京210093

对p沟道锗硅异质纳米结构存储器空穴隧穿的物理过程作了详细的分析 ,并对器件的擦写和保留时间特性进行了数值模拟 .研究结果表明 :由于异质纳米结构的台阶状隧穿势垒和较高价带带边差的影响 ,与传统的硅纳米结构存储器和n沟道锗硅... 详细信息

对p沟道锗硅异质纳米结构存储器空穴隧穿的物理过程作了详细的分析 ,并对器件的擦写和保留时间特性进行了数值模拟 .研究结果表明 :由于异质纳米结构的台阶状隧穿势垒和较高价带带边差的影响 ,与传统的硅纳米结构存储器和n沟道锗硅异质纳米结构存储器相比 ,当前器件的保留时间分别提高到 10 8和 10 5 s以上 ,同时器件的擦写时间特性基本保持不变 .这种存储器结构单元有效地解决了快速擦写编程和长久存储之间的矛盾。

关键词：锗/硅异质结纳米结构存储器空穴存储数值模拟隧穿势垒器件结构

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硅量子点中电子的荷电动力学特征

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物理学报 2000年第10期49卷 2037-2040页

作者：袁晓利施毅杨红官卜惠明吴军赵波张荣郑有炓南京大学物理系固体微结构国家重点实验室南京210093

利用频率依赖电容谱的测量 ,对于SiO2 /硅量子点 /SiO2 /硅衬底隧穿电容中硅量子点的荷电特征进行了研究 .由于量子点的极小尺寸和良好的均匀性 ,室温下在强反型区成功地观察到了与单电子隧穿相关的两个电容和电导共振峰 ,它们分别对应... 详细信息

利用频率依赖电容谱的测量 ,对于SiO2 /硅量子点 /SiO2 /硅衬底隧穿电容中硅量子点的荷电特征进行了研究 .由于量子点的极小尺寸和良好的均匀性 ,室温下在强反型区成功地观察到了与单电子隧穿相关的两个电容和电导共振峰 ,它们分别对应于硅衬底导带上的电子与量子点中第一与第二个基态之间直接隧穿过程 .实验数据分析给出了量子点中的库仑荷电能 ,并进行了讨论 .

关键词：量子点半导体硅电子荷电动力学特征

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Nd_(1.85)Ce_(0.15)CuO_(4-δ)单晶c-轴方向电阻的低场行为

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物理学报 2006年第6期55卷 3018-3021页

作者：李配军王智河白忠聂阳邱里徐小农南京大学物理系固体微结构国家重点实验室南京210093

采用自助熔剂缓冷法成功地生长出了Nd1·85Ce0·15CuO4-δ单晶,其零场下零电阻温度约为21K.在0—0·5T范围内分别测量了磁场平行和垂直样品表面的电阻转变曲线以及0·5T不同角度下的电阻转变曲线.结果显示磁场平行和垂... 详细信息

采用自助熔剂缓冷法成功地生长出了Nd1·85Ce0·15CuO4-δ单晶,其零场下零电阻温度约为21K.在0—0·5T范围内分别测量了磁场平行和垂直样品表面的电阻转变曲线以及0·5T不同角度下的电阻转变曲线.结果显示磁场平行和垂直样品表面时的转变温度Tp随磁场的变化均服从H=H0(1-Tp(h)/Tp(0))2关系.0·5T不同角度下的转变温度Tp符合有效质量模型,即Tp∝H1/2(cos2θ+sin2θ/γ2)1/4.该单晶的各向异性因子γ约为45.

关键词： Nd1.85Ce0.15CuO4-8单晶输运性质

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氮化硅介质中双层纳米硅薄膜的两级电荷存储

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物理学报 2006年第11期55卷 6080-6084页

作者：王久敏陈坤基宋捷余林蔚吴良才李伟黄信凡南京大学物理系固体微结构国家重点实验室南京210093

研究镶嵌在超薄非晶氮化硅(a-SiNx)层之间的双层纳米硅(nc-Si)的电荷存储现象.利用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)技术在硅衬底上制备a-SiNx/a-Si/a-SiNx/a-Si/a-SiNx多层薄膜结构.采用常规热退火方法使非晶硅(a-Si)层晶化,形成包含双... 详细信息

研究镶嵌在超薄非晶氮化硅(a-SiNx)层之间的双层纳米硅(nc-Si)的电荷存储现象.利用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)技术在硅衬底上制备a-SiNx/a-Si/a-SiNx/a-Si/a-SiNx多层薄膜结构.采用常规热退火方法使非晶硅(a-Si)层晶化,形成包含双层nc-Si的金属-氮化物-半导体(MIS)结构.通过电容电压(C-V)特性测量,观测到该结构中由于电荷存储引起的C-V回滞现象,并在室温下成功观察到载流子基于Fowler-Nordheim(F-N)隧穿注入到第一层、第二层nc-Si的两级电荷存储状态.结合电流电压(I-V)特性的测量,对电荷存储的机理进行了深入分析.

关键词：纳米硅氮化硅电容电压法电流电压法

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基于碳纳米管的电子器件

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固体电子学研究与进展 2002年第2期22卷 131-136页

作者：杨铮施毅顾书林沈波张荣郑有炓南京大学物理系和固体微结构国家重点实验室 210093

碳纳米管有着众多独特的性质 ,尤其是它的电学性质。近几年来 ,碳纳米管的研究已展示出了在纳米电子器件上的应用前景 ,即通过构建尺寸只有几十纳米甚至更小的基于碳纳米管的电子器件和连线 ,实现速度远快于而功耗远小于目前集成电路的... 详细信息

碳纳米管有着众多独特的性质 ,尤其是它的电学性质。近几年来 ,碳纳米管的研究已展示出了在纳米电子器件上的应用前景 ,即通过构建尺寸只有几十纳米甚至更小的基于碳纳米管的电子器件和连线 ,实现速度远快于而功耗远小于目前集成电路的碳纳米管集成电路。文中在讨论碳纳米管电学性质的基础上 ,主要介绍基于碳纳米管的结。

关键词：碳纳米管电子器件场效应晶体管单电子晶体管分子节 PN结交叉结

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