检索结果-内蒙古大学图书馆

物理学报 1997年第6期46卷 1153-1160页

作者：贺振宏陈坤基冯端南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室

采用等离子体化学汽相淀积技术生长ａＧｅｘＳｉ１－ｘ∶Ｈ薄膜，然后在８００℃，１０５Ｐａ下于传统开口管式炉中氧化热处理，制备嵌埋在ＳｉＯ２中的ｎｃＧｅ微晶粒．利用傅里叶变换红外光谱、喇曼光谱和Ｘ射线衍射谱分析样品的... 详细信息

采用等离子体化学汽相淀积技术生长ａＧｅｘＳｉ１－ｘ∶Ｈ薄膜，然后在８００℃，１０５Ｐａ下于传统开口管式炉中氧化热处理，制备嵌埋在ＳｉＯ２中的ｎｃＧｅ微晶粒．利用傅里叶变换红外光谱、喇曼光谱和Ｘ射线衍射谱分析样品的微结构，研究ａＧｅｘＳｉ１－ｘ∶Ｈ薄膜的氧化过程中发生的化学和物理变化，并用平衡态化学反应热理论加以解释．在某些样品中观察到室温下的光致发光现象，采用Ｂｒｕｓ电子空穴三维限制模型，结合ｎｃＧｅ的微结构。

关键词： nc-Ge 半导体纳米材料薄膜光致发光

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GaN基光发射二极管中深能级研究

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固体电子学研究与进展 2002年第4期22卷 371-374页

作者：毕朝霞张荣邓娜顾书林沈波施毅郑有炓南京大学物理系和固体微结构国家重点实验室 210093

利用深能级瞬态谱 (DLTS)仪对 Si C衬底上 Ga N基光发射二极管 (LED)中 n-In0 .2 5Ga0 .75N层的深能级进行了研究。在 77K到 3 0 0 K的温度扫描范围内只测量到一个 DLTS峰。该 DLTS峰在反向偏压为 3 V时有一极大值 ,说明 n-In0 .2 5Ga0 ... 详细信息

利用深能级瞬态谱 (DLTS)仪对 Si C衬底上 Ga N基光发射二极管 (LED)中 n-In0 .2 5Ga0 .75N层的深能级进行了研究。在 77K到 3 0 0 K的温度扫描范围内只测量到一个 DLTS峰。该 DLTS峰在反向偏压为 3 V时有一极大值 ,说明 n-In0 .2 5Ga0 .75N层此时全部被耗尽。改变测量的率窗 ,得到该深能级在导带下 0 .2 4e V处 ,浓度为 2 .2 % ND,俘获截面为 1 .93× 1 0 - 1 5cm2。在 Ga N材料中 ,其他小组也报道了此位置上的深能级结果。结合文中的工作 ,该深能级可能和 n-In0 .2 5Ga0 .75N层中的线位错有关。

关键词：深能级瞬态谱光发射二级管铟镓氮

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硅纳米晶粒基MOSFET存储器的荷电特征研究

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电子学报 2001年第2期29卷 145-147页

作者：施毅袁晓利吴军杨红官顾书林韩平郑有炓南京大学物理系和固体微结构国家重点实验室南京210093

本文研究了硅纳米晶粒MOSFET存储器的荷电特征 .器件阈值电压偏移达 1 8V以上 ,并随着沟道宽度的变窄而增加 ,而与沟道长度基本无关 .同时 ,阈值涨落也随宽度的变窄而增大 .在 2 0～ 30 0K测量温度范围内 ,器件阈值偏移和电荷的存储特... 详细信息

本文研究了硅纳米晶粒MOSFET存储器的荷电特征 .器件阈值电压偏移达 1 8V以上 ,并随着沟道宽度的变窄而增加 ,而与沟道长度基本无关 .同时 ,阈值涨落也随宽度的变窄而增大 .在 2 0～ 30 0K测量温度范围内 ,器件阈值偏移和电荷的存储特性几乎不随温度变化 ,说明荷电过程主要由直接隧穿决定 .进一步 ,在最窄沟道器件中观察到单电荷的荷电过程 .

关键词：硅纳米晶粒存储器 MOSFET 荷电特征

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蛋白质序列复杂性简化与非比对序列分析

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生物化学与生物物理进展 2006年第12期33卷 1215-1222页

作者：李菁李逢博王炜南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室南京210093

非比对序列分析是最新发展的一种序列分析方法,具有计算效率高并适用于分析低相似性的序列,已成功用于DNA的序列分析中.但是由于蛋白质序列的复杂性,非比对序列分析对于蛋白质序列分析的准确度却不高.用将20种天然氨基酸残基归类的方法... 详细信息

非比对序列分析是最新发展的一种序列分析方法,具有计算效率高并适用于分析低相似性的序列,已成功用于DNA的序列分析中.但是由于蛋白质序列的复杂性,非比对序列分析对于蛋白质序列分析的准确度却不高.用将20种天然氨基酸残基归类的方法,简化了蛋白质序列的复杂性,并运用到对蛋白质的非比对序列分析中,有效地提高了序列分析的准确性.

关键词：非比对序列分析氨基酸残基归类序列复杂性简化

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不同退火温度下晶化硅薄膜的电学输运性质

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物理学报 2009年第11期58卷 7878-7883页

作者：宋超陈谷然徐骏王涛孙红程刘宇李伟陈坤基南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室南京210093

采用等离子体化学气相沉积技术制备氢化非晶硅薄膜,经过不同温度下的热退火处理,使薄膜由非晶结构向晶化结构转变,得到含有纳米晶粒的晶化硅薄膜.在晶化过程中,采用Raman技术对样品的结构进行表征.通过变温电导率的测试,对薄膜的电学输... 详细信息

采用等离子体化学气相沉积技术制备氢化非晶硅薄膜,经过不同温度下的热退火处理,使薄膜由非晶结构向晶化结构转变,得到含有纳米晶粒的晶化硅薄膜.在晶化过程中,采用Raman技术对样品的结构进行表征.通过变温电导率的测试,对薄膜的电学输运性质进行了分析.研究结果表明:退火温度为700℃时,样品中开始有纳米晶形成,随着退火温度的增加,样品的晶化比增大,在1000℃时,薄膜的晶化比达到90%以上.在700℃退火时,薄膜中晶化成分较低,载流子的传输特性主要受到与硅悬挂键有关的缺陷态影响,表现为带尾定域态的跳跃电导.随着晶化度的提高,在1000℃时薄膜的电输运过程主要为晶化硅的扩展态电导,同时量子隧穿输运对薄膜的电输运过程也有一定的影响.

关键词：氢化非晶硅退火纳米硅电输运

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额外HCl对HVPE生长GaN性质的影响

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固体电子学研究与进展 2002年第4期22卷 395-398页

作者：修向前张荣卢佃清顾书林沈波施毅郑有炓南京大学物理系固体微结构国家重点实验室 210093

利用氢化物气相外延 (HVPE)生长系统 ,提出并采用在生长区添加额外 HCl的方法改变 Ga N的极化生长方向获得 Ga面极化具有平滑表面的 Ga N生长技术。该法将一定量的 HCl添加到传统 HVPE生长方法中的总氮气流中 ,引入 Ga Cl和 NH3混合生长... 详细信息

利用氢化物气相外延 (HVPE)生长系统 ,提出并采用在生长区添加额外 HCl的方法改变 Ga N的极化生长方向获得 Ga面极化具有平滑表面的 Ga N生长技术。该法将一定量的 HCl添加到传统 HVPE生长方法中的总氮气流中 ,引入 Ga Cl和 NH3混合生长区 ,通过改变蓝宝石衬底表现的化学反应平衡 ,抑制 N面极化 Ga N的成核 ,获得了粗糙度只有一个纳米左右的具有平滑表面的高质量 Ga极化 Ga N薄膜。由于该方法是在 HVPE装置中“原位”获得了表面光滑的 Ga N,与其他方法相比。

关键词：氢化物气相外延湿化学法腐蚀氮化镓极性

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绝缘颗粒液体主体基质复合介质的非线性光学性质

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物理学报 2003年第3期52卷 575-580页

作者：高雷洪刚苏州大学物理系苏州215006 南京大学固体微结构物理国家重点实验室南京210008

利用Maxwell Garnett近似 ,并结合谱表示方法 ,理论研究了具有一般非线性的绝缘颗粒 ,无规则浸入液体主体基质复合体系的非线性光学性质 .在弱非线性条件下 ,数值研究了体系的有效线性介电函数和光学非线性随体积分数的变化 ,并发现体... 详细信息

利用Maxwell Garnett近似 ,并结合谱表示方法 ,理论研究了具有一般非线性的绝缘颗粒 ,无规则浸入液体主体基质复合体系的非线性光学性质 .在弱非线性条件下 ,数值研究了体系的有效线性介电函数和光学非线性随体积分数的变化 ,并发现体系的线性介电函数比光学非线性更依赖于绝缘颗粒组分的体积分数 .在一般非线性条件下 ,研究体系的有效介电函数随入射光强度的依赖关系 ,还研究了s方向和p方向极化的总反射率的行为 .

关键词：绝缘颗粒液体主体基质复合介质谱表示非线性光学性质复合材料

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纳米氧化铟和稀土共掺杂二氧化硅薄膜的结构和光学性质研究

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红外与毫米波学报 2008年第3期27卷 172-175页

作者：林涛万能徐骏徐岭李伟陈坤基南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室江苏南京210093

用溶胶-凝胶法制得了In2O3纳米颗粒与Eu3+共掺的SiO2薄膜.使用X-射线衍射证实体系中形成了In2O3纳米颗粒,其数密度可以通过改变铟的掺杂浓度来进行良好的控制.在薄膜的光致发光光谱中观察到Eu3+离子的5D0-7FJ(J=0-4)特征发射峰,In2O3纳... 详细信息

用溶胶-凝胶法制得了In2O3纳米颗粒与Eu3+共掺的SiO2薄膜.使用X-射线衍射证实体系中形成了In2O3纳米颗粒,其数密度可以通过改变铟的掺杂浓度来进行良好的控制.在薄膜的光致发光光谱中观察到Eu3+离子的5D0-7FJ(J=0-4)特征发射峰,In2O3纳米颗粒的掺入使Eu3+的光致发光得到显著增强.通过光致发光激发光谱的测量进一步研究了In2O3纳米颗粒对Eu3+的光致发光增强的机制.

关键词：稀土发光材料纳米颗粒溶胶-凝胶法光致发光

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二维移相光栅光强分布的计算及在制备有序纳米硅阵列中的应用

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物理学报 2010年第5期59卷 3205-3209页

作者：严敏逸王旦清马忠元姚尧刘广元李伟黄信凡陈坤基徐骏徐岭南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室南京210093

从菲涅耳衍射积分的一般形式出发,结合二维(2D)移相光栅掩模(PSGM)的具体参数,通过数值计算得到了作用于样品表面的光强分布.实验上,采用激光干涉晶化的方法,利用周期为400nm的2D-PSGM调制KrF准分子激光器的脉冲激光束斑的能量分布,在... 详细信息

从菲涅耳衍射积分的一般形式出发,结合二维(2D)移相光栅掩模(PSGM)的具体参数,通过数值计算得到了作用于样品表面的光强分布.实验上,采用激光干涉晶化的方法,利用周期为400nm的2D-PSGM调制KrF准分子激光器的脉冲激光束斑的能量分布,在氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜上直接制备了2D的有序纳米硅(nc-Si)阵列.测试结果表明:2D的nc-Si阵列的周期和PSGM的相一致,晶化区域与理论模拟的结果符合得很好.

关键词：纳米硅激光干涉晶化移相光栅菲涅耳衍射

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嵌入硅基多孔氧化铝中的荧光染料的发光性质研究

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高等学校化学学报 2002年第5期23卷 768-771页

作者：杨阳李菡滢陈慧兰鲍希茂南京大学化学系配位化学国家重点实验室南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室南京210093

3种不同的荧光染料被分别嵌入硅基多孔氧化铝模板中，并且在室温下得到了蓝光、绿光和红光波长的荧光发射．实验中同时观测到上述荧光光谱的蓝移现象．研究结果表明，荧光染料沉积在不同的模板（如硅基多孔氧化铝、多孔硅）中，其相互... 详细信息

3种不同的荧光染料被分别嵌入硅基多孔氧化铝模板中，并且在室温下得到了蓝光、绿光和红光波长的荧光发射．实验中同时观测到上述荧光光谱的蓝移现象．研究结果表明，荧光染料沉积在不同的模板（如硅基多孔氧化铝、多孔硅）中，其相互作用的机理是不同的．模板发光机制的差异将直接影响荧光染料的发光性质．

关键词：硅基多孔氧化铝荧光染料发光性质光致发光多孔硅

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