检索结果-内蒙古大学图书馆

超导隧道结中的电流相位关系

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物理学报 2009年第12期58卷 8591-8595页

作者：吴义华王振彦沈瑞南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室南京210093

计算了等自旋配对超导隧道结中的直流Josephson电流.结果表明,当两侧超导体中配对势的轨道对称性分别属于磁点群D4的A不可约表示和2E不可约表示的情况下,电流相位关系是I∝sin4φ.

关键词：超导隧道结 Josephson电流

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CdO基稀磁半导体纳米薄膜的制备及性质

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硅酸盐学报 2010年第3期38卷 404-408页

作者：卢奇袁岂凡万建国南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室南京210093

利用水热法和旋涂工艺制备Co2+掺杂CdO基稀磁半导体纳米薄膜,研究样品的微观结构及电磁性能等。结果表明:样品是具有岩盐矿结构的CdO晶体结构,薄膜中粒子的平均粒径约20nm,且随Co摩尔(下同)掺量的增加而减小。样品中Co离子为正二价,属... 详细信息

利用水热法和旋涂工艺制备Co2+掺杂CdO基稀磁半导体纳米薄膜,研究样品的微观结构及电磁性能等。结果表明:样品是具有岩盐矿结构的CdO晶体结构,薄膜中粒子的平均粒径约20nm,且随Co摩尔(下同)掺量的增加而减小。样品中Co离子为正二价,属替位掺杂;样品呈现出明显的室温铁磁性,饱和磁矩随Co2+掺量的增加先增大后减小,在Co2+掺量为4.33%时达到最大值。样品的电导率随Co2+掺量的增加先减小后微弱增大,在Co2+掺量约为6%时达到最小值。磁电阻效应测量结果表明:样品呈现出室温的正磁电阻效应,磁电阻随Co2+掺量的增加先增大后减小,在Co2+掺量约为7%时达到最大值。利用Ruderman-Kittel-Kasuya-Yoshida(RKKY)机制、间接超交换机制和直接超交换机制等模型合理解释样品的铁磁性起源和磁电阻效应产生的物理机制。

关键词：氧化镉稀磁半导体纳米薄膜水热法铁磁性磁电阻

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CdTe纳米晶及层状纳米晶薄膜的生长及其光荧光性质

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物理学报 2009年第10期58卷 7246-7249页

作者：戴明廖远宝刘东甘新慧徐岭马忠元徐骏陈坤基南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室南京210093

用湿化学法在水溶液中合成了单分散的、大小尺寸可控的、巯基包裹的胶体CdTe纳米晶体,并利用CdTe纳米晶体和双功能分子poly(diallyldimethylammonium chloride)(PDDA)在Si衬底表面自组织生长了有序的层状纳米晶薄膜,荧光光谱研究了层状... 详细信息

用湿化学法在水溶液中合成了单分散的、大小尺寸可控的、巯基包裹的胶体CdTe纳米晶体,并利用CdTe纳米晶体和双功能分子poly(diallyldimethylammonium chloride)(PDDA)在Si衬底表面自组织生长了有序的层状纳米晶薄膜,荧光光谱研究了层状纳米晶体之间的共振能量迁移过程.结果表明:层状自组织生长的样品中纳米晶粒的间隔几乎一样,表明它们是有序排列的;而用直接干燥形成的样品中,小尺寸和大尺寸的纳米晶体之间间隔较短,发生荧光共振能量迁移,较小尺寸的纳米晶粒荧光峰(即波长较短处的晶粒荧光峰)部分淬灭,较大尺寸的荧光峰(即波长较长处的晶粒荧光峰)加强,使得PL谱出现明显的红移现象.

关键词： CdTe纳米晶体量子限制效应共振能量迁移

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单面和双面沉积甘油的玻璃化转变力学谱比较

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上海交通大学学报 2010年第5期44卷 659-661页

作者：袁颖憨应学农朱劲松南京大学固体微结构国家重点实验室物理系南京210093

基于复合体系簧振动方法,比较了单面和双面沉积时甘油的玻璃化转变力学谱.结果表明:沉积面积对甘油力学谱的影响不大;在单面沉积时,其升、降温过程中的力学谱的差异明显,且降温过程中的模量虚部峰所对应的温度高于升温过程的相应温度,... 详细信息

基于复合体系簧振动方法,比较了单面和双面沉积时甘油的玻璃化转变力学谱.结果表明:沉积面积对甘油力学谱的影响不大;在单面沉积时,其升、降温过程中的力学谱的差异明显,且降温过程中的模量虚部峰所对应的温度高于升温过程的相应温度,显示出非本征的转变行为;而在双面沉积时,其升、降温过程中的模量虚部峰所对应的温度基本重合,表明其更具可靠性.

关键词：复合体系簧振动方法内耗玻璃化转变

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NiFe_2O_4纳米线阵列的制备与磁性

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物理学报 2005年第2期54卷 930-934页

作者：于冬亮都有为南京大学物理系固体微结构国家重点实验室江苏教育学院物理系南京210013

在氧化铝模板的纳米孔洞中 ,用电化学的方法沉积铁镍合金纳米线 ,经过 5 5 0℃ 30h氧化处理 ,成功制备出NiFe2 O4 纳米线阵列 .分别用扫描电子显微镜 (SEM)、透射电子显微镜 (TEM)、x射线衍射仪 (XRD)和振动样品磁场计 (VSM)对样品的形... 详细信息

在氧化铝模板的纳米孔洞中 ,用电化学的方法沉积铁镍合金纳米线 ,经过 5 5 0℃ 30h氧化处理 ,成功制备出NiFe2 O4 纳米线阵列 .分别用扫描电子显微镜 (SEM)、透射电子显微镜 (TEM)、x射线衍射仪 (XRD)和振动样品磁场计 (VSM)对样品的形貌、晶体结构和磁学性质进行了表征测试 .SEM和TEM观察结果显示氧化铝模板的孔洞分布均匀 ,孔心距约为 110nm ;纳米线的直径约为 70nm .XRD显示纳米线阵列的物相结构为NiFe2 O4 ;VSM测试结果表明 ,NiFe2 O4 纳米线阵列膜的易磁化方向垂直于膜面 .当垂直磁化时磁滞回线的矩形比约为 0 5 ,矫顽力为 4 1×10 3A m ,比氧化处理前的铁镍合金纳米线阵列都有显著提高 .

关键词：纳米线阵列 NiFe2O4 制备物相结构 XRD SEM 氧化处理磁学性质磁性磁滞回线

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铁磁-d波超导结中的粗糙界面散射和自旋反转效应对隧道谱的影响

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物理学报 2001年第9期50卷 1779-1782页

作者：董正超淮阴师范学院物理系南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室南京210093

考虑到铁磁层中的自旋极化效应、以及界面的粗糙散射和自旋反转效应 ,利用推广了的Blonder Tinkham Klap wijk理论模型 ,计算铁磁 d波超导结中的自旋极化隧道谱 .研究表明 1)自旋反转效应能使零偏压电导峰变得尖锐 ;2 )粗糙的界面散射... 详细信息

考虑到铁磁层中的自旋极化效应、以及界面的粗糙散射和自旋反转效应 ,利用推广了的Blonder Tinkham Klap wijk理论模型 ,计算铁磁 d波超导结中的自旋极化隧道谱 .研究表明 1)自旋反转效应能使零偏压电导峰变得尖锐 ;2 )粗糙的界面散射除了能压低零偏压电导峰的高度 ,还能使零偏压凹陷处感应出一中心峰 .结果能定性地解释最近的两篇关于La2 3 Ba1 3 MnO3 DyBa2 Cu3O7与La2 3 Ba1 3 MnO3 YBa2 Cu3O7-δ结中的实验报道 .

关键词：自旋极化效应自旋反转效应粗糙界面散射效应铁磁-d波超导结自旋极化隧道谱

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基于超构表面的非线性光学与量子光学

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红外与激光工程 2020年第9期49卷 1-22页

作者：石鸣谦刘俊陈卓王漱明王振林祝世宁南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室江苏南京210093

近年来,超构表面在经典光场调控领域受到了广泛的关注,获得了优异的成果。同时,超构表面在非线性光学和量子光学方面的应用也引起了人们越来越多的兴趣。文中分别介绍了非线性超构表面和量子超构表面的基本原理和应用,总结了近几年的相... 详细信息

近年来,超构表面在经典光场调控领域受到了广泛的关注,获得了优异的成果。同时,超构表面在非线性光学和量子光学方面的应用也引起了人们越来越多的兴趣。文中分别介绍了非线性超构表面和量子超构表面的基本原理和应用,总结了近几年的相关报道,包括谐波产生和增强,谐波产生和对称性的关系,非线性相位调控和全息成像,以及基于超构表面的纠缠光子对产生,测量和调控。最后,对超构表面在这两个领域的进一步应用和前景进行了展望。

关键词：超构表面非线性光学量子光学

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复合量子点MOSFET结构存储器的电路模拟

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电子学报 2004年第11期32卷 1793-1795页

作者：闾锦施毅濮林杨红官杨铮郑有炓南京大学物理系和固体微结构物理国家重点实验室江苏南京210093

本文采用准经典近似的MonteCarlo方法对复合量子点MOSFET结构存储器的等效单电子电路进行了模拟 .研究结果表明 ,由于台阶状的复合隧穿势垒的作用 ,存储器的存储时间特性可得到极大提高 .我们进一步研究了N沟道锗 /硅复合量子点MOSFET... 详细信息

本文采用准经典近似的MonteCarlo方法对复合量子点MOSFET结构存储器的等效单电子电路进行了模拟 .研究结果表明 ,由于台阶状的复合隧穿势垒的作用 ,存储器的存储时间特性可得到极大提高 .我们进一步研究了N沟道锗 /硅复合量子点MOSFET结构存储器的时间特性 ,得到其存储时间可长达数年 ,同时写擦时间可分别为 μs和ns量级。

关键词：复合量子点单电子存储器电路模拟

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Λ型三能级原子与数态单模光场互作用系统的纠缠特性

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物理学报 2005年第5期54卷 2043-2048页

作者：周青春祝世宁南京大学物理系固体微结构国家重点实验室南京210093 华东船舶工业学院数理系

通过计算场的量子力学熵讨论了Λ型三能级原子与数态单模光场互作用系统的纠缠和退纠缠时间演化规律 .结果表明 ,系统的纠缠呈现周期性 ,最大纠缠度依赖于原子初态、初始场光子数及场失谐量与耦合系数之比 .一周期内出现最大纠缠和退纠... 详细信息

通过计算场的量子力学熵讨论了Λ型三能级原子与数态单模光场互作用系统的纠缠和退纠缠时间演化规律 .结果表明 ,系统的纠缠呈现周期性 ,最大纠缠度依赖于原子初态、初始场光子数及场失谐量与耦合系数之比 .一周期内出现最大纠缠和退纠缠的次数与初始场光子数无关 .近简并下能级初始相对位相影响场熵演化 ,而激发态和基态之间的初始相对位相对场熵演化无影响 .

关键词：三能级原子数态单模光场量子纠缠冯诺伊曼熵激发态

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激光干涉结晶法制备一维周期结构的纳米硅阵列

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物理学报 2008年第8期57卷 4960-4965页

作者：姚尧方忠慧周江李伟马忠元徐骏黄信凡陈坤基宫本恭幸小田俊理南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室南京210093 东京工业大学物理电子学系

利用激光干涉结晶方法,采用周期为400nm的一维(1D)移相光栅掩模调制KrF准分子激光器的脉冲激光束斑的能量分布,在不同厚度的超薄氢化非晶硅(a-Si:H)膜内直接制备1D有序纳米硅(nc-Si)阵列.拉曼散射谱表明,样品上呈条状分布的受辐照区域... 详细信息

利用激光干涉结晶方法,采用周期为400nm的一维(1D)移相光栅掩模调制KrF准分子激光器的脉冲激光束斑的能量分布,在不同厚度的超薄氢化非晶硅(a-Si:H)膜内直接制备1D有序纳米硅(nc-Si)阵列.拉曼散射谱表明,样品上呈条状分布的受辐照区域发生晶化.原子力显微镜和透射电子显微镜测试结果表明:1D的nc-Si阵列的周期和移相光栅掩模一样.随着a-Si:H膜厚度从10nm降至4nm,通过控制激光的能量密度,每个周期中nc-Si条状分布区宽度可达到***-Si条状分布区的高分辨电子显微镜照片显示出清晰的nc-Si晶格像.

关键词：纳米硅激光干涉结晶移相光栅定域晶化

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