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与准Λ型四能级系统互作用光场的熵演化

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物理学报 2005年第3期54卷 1184-1189页

作者：周青春祝世宁江苏科技大学数理系镇江212003 南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室南京210093

研究了准Λ型四能级系统与非关联双模相干光场相互作用系统的场熵演化特性 ,讨论了原子初态、平均光子数及能级劈裂对场熵的影响 .该系统包含了二能级原子和三能级原子与单模场相互作用情况 .

关键词：四能级系统光场场熵演化平均光子数三能级原子相干光相互作用系统模场单模初态

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纳米结构Zn_xFe_(3-x)O_4-α-Fe_2O_3多晶材料中的巨隧道磁电阻效应

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物理学报 2001年第11期50卷 2275-2277页

作者：都有为陈鹏朱建民邢定钰南京大学固体微结构物理国家重点实验室物理系南京210093

在具有纳米绝缘层的多晶锌铁氧体体系中 ,当晶界为α Fe2 O3纳米量级 ( 6— 7nm)的绝缘层时 ,则构成 (ZnxFe3-xO4 ) α Fe2 O3非均匀体 ,高分辨电子显微镜已证实了这种微结构 ,该体系在 0 .5T磁场、4 .2K温度下 ,磁电阻效应可达12 80 %... 详细信息

在具有纳米绝缘层的多晶锌铁氧体体系中 ,当晶界为α Fe2 O3纳米量级 ( 6— 7nm)的绝缘层时 ,则构成 (ZnxFe3-xO4 ) α Fe2 O3非均匀体 ,高分辨电子显微镜已证实了这种微结构 ,该体系在 0 .5T磁场、4 .2K温度下 ,磁电阻效应可达12 80 % ,3 0 0℃下为 15 8% .

关键词：隧道磁电阻效应锌铁氧体纳米结构 ZnxFe3-xO4-α-Fe2O3多晶材料

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金属薄膜的量子输运理论

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物理学报 1997年第3期46卷 568-578页

作者：董正超盛利邢定钰董锦明南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室

运用格林函数方法和久保公式研究金属薄膜中的电子输运．考虑了量子尺寸效应及来自杂质和两个粗糙表面的散射，计算单粒子格林函数和平行电导率．计算结果表明：（１）在薄膜系统中，电子数密度、平均自由程以及来自杂质和表面散射的电... 详细信息

运用格林函数方法和久保公式研究金属薄膜中的电子输运．考虑了量子尺寸效应及来自杂质和两个粗糙表面的散射，计算单粒子格林函数和平行电导率．计算结果表明：（１）在薄膜系统中，电子数密度、平均自由程以及来自杂质和表面散射的电导率都以π／ｋＦ（ｋＦ为费密波矢的数值）为周期随厚度ｄ振荡；（２）在薄膜和厚膜的两种极限。

关键词：金属薄膜量子输运

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纳米球刻蚀法制备的二维有序的CdS纳米阵列及其光学性质的研究

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物理学报 2008年第3期57卷 1951-1955页

作者：孙萍徐岭赵伟明李卫徐骏马忠元吴良才黄信凡陈坤基南京大学物理系固体微结构国家重点实验室南京210093 上海微系统和技术信息研究所上海200050

采用纳米球刻蚀(nanosphere lithography)技术,以自组装的聚苯乙烯纳米小球(polystyrene,PS小球)的单层膜为掩模,制备出二维有序的CdS纳米阵列.利用扫描电子显微镜(SEM)对样品结构进行了表征,用紫外—可见分光光度计对样品光学性质进行... 详细信息

采用纳米球刻蚀(nanosphere lithography)技术,以自组装的聚苯乙烯纳米小球(polystyrene,PS小球)的单层膜为掩模,制备出二维有序的CdS纳米阵列.利用扫描电子显微镜(SEM)对样品结构进行了表征,用紫外—可见分光光度计对样品光学性质进行了分析.结果表明:制备的二维CdS纳米阵列是高度有序的,且与作为掩模的纳米小球的原始尺寸及排布结构一致;禁带宽度为2.60eV,相对于体材料的2.42eV,向短波长蓝移了0.18eV,表现出CdS材料在纳米结构点阵中的量子尺寸效应;CdS纳米阵列在长波段透光性较好,短波段透光性几乎为零,表现出良好的光透选择性.

关键词：纳米球刻蚀二维CdS纳米有序阵列制备光学性质半导体材料

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ZnMgO生长中压强和衬底对薄膜性质的影响

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发光学报 2011年第5期32卷 482-486页

作者：陈慧顾书林朱顺明南京大学物理系南京微结构国家重点实验室江苏南京210093

利用金属有机源化学气相沉积(MOCVD)生长方法,在2.5kPa和5kPa生长压强下,分别以sapphire(Al_2O_3)和ZnO为衬底生长ZnMgO薄膜。研究分析了样品的晶体结构、表面形貌、光电学性质。结果表明,衬底和生长压强对ZnMgO薄膜的生长有重要影响。5... 详细信息

利用金属有机源化学气相沉积(MOCVD)生长方法,在2.5kPa和5kPa生长压强下,分别以sapphire(Al_2O_3)和ZnO为衬底生长ZnMgO薄膜。研究分析了样品的晶体结构、表面形貌、光电学性质。结果表明,衬底和生长压强对ZnMgO薄膜的生长有重要影响。5kPa高压生长和以ZnO为衬底均有利于ZnMgO薄膜中Mg的掺入。

关键词： ZnMgO薄膜衬底生长压强

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磁通密度对第Ⅱ类超导体磁通动力学的影响

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物理学报 2002年第5期51卷 1122-1127页

作者：刘旭东王进刘楣邢定钰东南大学物理系南京210096 南京大学固体微结构物理国家重点实验室南京210093

计算了二维无序钉扎系统中磁通运动的平均速度、微分电阻、纵向电压噪声和静态结构因子 .通过在不同磁通密度下的磁通运动形式 ,给出了磁通运动的动力学相图 .研究表明 ,磁通晶格存在钉扎相、塑性流相、近晶流相 ,和运动玻璃相 .在运动... 详细信息

计算了二维无序钉扎系统中磁通运动的平均速度、微分电阻、纵向电压噪声和静态结构因子 .通过在不同磁通密度下的磁通运动形式 ,给出了磁通运动的动力学相图 .研究表明 ,磁通晶格存在钉扎相、塑性流相、近晶流相 ,和运动玻璃相 .在运动玻璃相中 ,随着驱动力的进一步增加 ,横向玻璃态和运动Bragg玻璃态相继出现 .磁通密度增大有利于有序相的出现 .当磁通密度增大到一定程度时 ,近晶流动相会消失 .

关键词：磁通动力学运动玻璃相磁通密度第Ⅱ类超导体

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同轴相移数字全息中相移角的选取及相移误差的消除

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光子学报 2004年第3期33卷 353-356页

作者：张莉国承山荣振宇任秀云刘轩王慧田山东师范大学物理系济南250014 南京大学固体微结构国家重点实验室南京210093

基于两步同轴相移数字全息 ,首先从理论上分析了记录时不同相移角的选取及相移误差对再现像的影响 ,并给出了一种利用再现像所有抽样点的强度偏差之和作为评价标准 ,通过逐步改变理论设定相移角值来寻找实际相移角的相移误差消除新方法 ... 详细信息

基于两步同轴相移数字全息 ,首先从理论上分析了记录时不同相移角的选取及相移误差对再现像的影响 ,并给出了一种利用再现像所有抽样点的强度偏差之和作为评价标准 ,通过逐步改变理论设定相移角值来寻找实际相移角的相移误差消除新方法 ;其次对二步相移数字全息中记录时参考光波最佳相移角的选取作了计算机模拟 ,发现只有将参考光波的相移角选择在一定范围内 ,再现像的噪声较小 ;最后利用计算机模拟了相移误差消除。

关键词：二步相移数字全息相移误差相移角

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磁通格子的有序-无序相变和反向熔化

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物理学报 2003年第12期52卷 3162-3167页

作者：王进赵志刚刘楣邢定钰东南大学物理系南京210096 南京大学固体微结构物理国家重点实验室南京210093

考虑了无序钉扎、热涨落和磁通互作用 ,用MonteCarlo分子动力学模拟方法研究二维磁通格子在无序钉扎强度和温度空间的相图 ,以及由布拉格玻璃相到非晶磁通玻璃相和到磁通液体相的有序无序相变 .为了决定磁通格子的序 ,计算了静态结构... 详细信息

考虑了无序钉扎、热涨落和磁通互作用 ,用MonteCarlo分子动力学模拟方法研究二维磁通格子在无序钉扎强度和温度空间的相图 ,以及由布拉格玻璃相到非晶磁通玻璃相和到磁通液体相的有序无序相变 .为了决定磁通格子的序 ,计算了静态结构因子和磁通格子位形的有限尺寸指数 .计算结果表明 ,Bragg玻璃相在低温的无序磁通玻璃相和高温的磁通液体相之间 ,表现出磁通格子的反向熔化行为 .分析后认为 ,这一反向熔化行为起因于磁通之间互作用的温度效应 .

关键词：超导体磁通格子相图结构因子反向熔化无序钉扎热涨落蒙特卡罗模拟温度效应

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硅基纳米β-SiC量子点列阵的制备

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过程工程学报 2002年第4期2卷 301-304页

作者：吴兴龙顾沂鲍希茂南京大学固体微结构物理国家重点实验室及物理系江苏南京210093

报道了用两步自组装法制备硅基纳米碳化硅量子点列阵. 先将两种硅烷偶联剂均匀有序地偶联到洁净的单晶硅片上,其中一种偶联剂能打破C60上的碳碳双键而使C60通过偶联剂均匀有序地分布在硅片的表面上. 然后用夹心法或覆盖法将样品在900oC... 详细信息

报道了用两步自组装法制备硅基纳米碳化硅量子点列阵. 先将两种硅烷偶联剂均匀有序地偶联到洁净的单晶硅片上,其中一种偶联剂能打破C60上的碳碳双键而使C60通过偶联剂均匀有序地分布在硅片的表面上. 然后用夹心法或覆盖法将样品在900oC的氮气氛中退火20 min,使C60分解成活性碳,与周围的硅原子结合生成碳化硅,碳化硅分子的自组装形成了碳化硅纳米晶粒(量子点),C60在硅表面的有序排列导致了纳米碳化硅量子点列阵形成.

关键词：硅基碳化硅量子点自组织生长纳米半导体

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Bi_(1.8)Pb_(0.4)Sr_2Ca_(2.2)Cu_3O_y的磁通运动与临界电流特征

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物理学报 1993年第7期42卷 1160-1166页

作者：曾朝阳史可信余正丁世英周贻茹叶兵南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室南京210008 北京有色金属研究总院北京100088

制备了银包套的Bi_(1.8)Pb_(0.4)Sr_2Ca_(2.2)Cu_3O_y带材。微结构观察证明样品是高度织构化的Bi2223单相。输运测量发现J_c(T,B,θ,φ)和 R(T,B,θ,φ)均与θ有关,与φ无关(T=77K,B<1T),式中的θ和φ分别表示磁场与ab面和电流的夹... 详细信息

制备了银包套的Bi_(1.8)Pb_(0.4)Sr_2Ca_(2.2)Cu_3O_y带材。微结构观察证明样品是高度织构化的Bi2223单相。输运测量发现J_c(T,B,θ,φ)和 R(T,B,θ,φ)均与θ有关,与φ无关(T=77K,B<1T),式中的θ和φ分别表示磁场与ab面和电流的夹角。求得了磁通运动的激活能。提出了热激活磁通弯结的形成与运动模型,并用London理论计算了弯结的形成能,它和实验求得的激活能一致,使本模型基本上解释了实验结果。还讨论了提高这种材料临界电流的方法。

关键词：超导体铋系磁通钉扎临界电流

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