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钙钛矿(La_1-_yTb_y)_(0.67)Sr_(0.33)MnO_3的超巨磁电阻效应

物理学报 1999年第2期48卷 370-377页

作者：吴坚曹庆琪谷坤明李启亮王亮张鸿才都有为张世远南京大学物理系南京大学固体微结构物理国家重点实验室

采用固相反应烧结法制成了钙钛矿（Ｌａ１－ｙＴｂｙ）０．６７Ｓｒ０．３３ＭｎＯ３（ｙ＝０—１）多晶样品．研究了样品的微观结构，常温、低温下的磁性，样品的磁电阻随温度、成分的变化关系，电阻随温度变化特性等．并在ｙ＝０４... 详细信息

采用固相反应烧结法制成了钙钛矿（Ｌａ１－ｙＴｂｙ）０．６７Ｓｒ０．３３ＭｎＯ３（ｙ＝０—１）多晶样品．研究了样品的微观结构，常温、低温下的磁性，样品的磁电阻随温度、成分的变化关系，电阻随温度变化特性等．并在ｙ＝０４０样品中，１７０Ｋ附近、最大磁化场为７Ｔ时。

关键词：钙钛矿型锰氧化物超巨磁电阻效应

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晶粒边界对Nd_2Fe_(14)B/α-Fe纳米复合材料性能的影响

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物理学报 2000年第11期49卷 2281-2286页

作者：计齐根都有为南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室南京210093

用快淬急冷技术制备了Nd10 Fe84 -xB6Inx(x =0和 1)系列薄带磁体 .利用添加和挥发微量In元素的方法从宏观表现上研究了晶粒边界对晶粒之间交换耦合和磁硬化等性能的影响 .发现晶粒边界性质以不同方式影响着磁体矫顽力和剩磁比 .某些晶... 详细信息

用快淬急冷技术制备了Nd10 Fe84 -xB6Inx(x =0和 1)系列薄带磁体 .利用添加和挥发微量In元素的方法从宏观表现上研究了晶粒边界对晶粒之间交换耦合和磁硬化等性能的影响 .发现晶粒边界性质以不同方式影响着磁体矫顽力和剩磁比 .某些晶界特性 ,像缺陷、应力等主要影响磁硬化机制 ;而另外一些性能 ,如晶界类型。

关键词：晶界纳米复合材料热处理微量添加

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尺寸可控的纳米硅的生长模型和实验验证

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物理学报 2006年第10期55卷 5403-5408页

作者：刘艳松陈铠乔峰黄信凡韩培高钱波马忠元李伟徐骏陈坤基南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室南京210093

基于经典热力学理论,对a-SiNx/a-Si:H/a-SiNx三明治结构或a-Si:H/a-SiNx多层膜结构中纳米硅成核,以及从球形到鼓形的生长过程进行了研究.建立了限制性晶化理论模型:在纳米硅生长过程中,由于界面能增大将导致生长停止,给出限制性晶化条... 详细信息

基于经典热力学理论,对a-SiNx/a-Si:H/a-SiNx三明治结构或a-Si:H/a-SiNx多层膜结构中纳米硅成核,以及从球形到鼓形的生长过程进行了研究.建立了限制性晶化理论模型:在纳米硅生长过程中,由于界面能增大将导致生长停止,给出限制性晶化条件——a-Si:H子层厚度小于34nm.在激光晶化和常规热退火两种方法形成的a-SiNx/nc-Si/a-SiNx三明治结构和nc-Si/a-SiNx多层膜结构中验证了该理论模型.

关键词：非晶硅纳米硅激光辐照结晶

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锗/硅异质纳米结构中空穴存储特性研究

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物理学报 2004年第4期53卷 1211-1216页

作者：杨红官施毅闾锦濮林张荣郑有炓南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室南京210093

对p沟道锗硅异质纳米结构存储器空穴隧穿的物理过程作了详细的分析 ,并对器件的擦写和保留时间特性进行了数值模拟 .研究结果表明 :由于异质纳米结构的台阶状隧穿势垒和较高价带带边差的影响 ,与传统的硅纳米结构存储器和n沟道锗硅... 详细信息

对p沟道锗硅异质纳米结构存储器空穴隧穿的物理过程作了详细的分析 ,并对器件的擦写和保留时间特性进行了数值模拟 .研究结果表明 :由于异质纳米结构的台阶状隧穿势垒和较高价带带边差的影响 ,与传统的硅纳米结构存储器和n沟道锗硅异质纳米结构存储器相比 ,当前器件的保留时间分别提高到 10 8和 10 5 s以上 ,同时器件的擦写时间特性基本保持不变 .这种存储器结构单元有效地解决了快速擦写编程和长久存储之间的矛盾。

关键词：锗/硅异质结纳米结构存储器空穴存储数值模拟隧穿势垒器件结构

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金属间化合物PrMn_6Sn_6的结构、磁性与^(119)Sn穆斯堡尔谱研究

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物理学报 2007年第4期56卷 2347-2352页

作者：黄彦君厉淑贞韩志达吕丽娅夏元复南京大学物理系南京210093 南京大学固体微结构物理国家重点实验室

采用电弧熔炼法制备了金属间化合物PrMn6Sn6.X射线衍射表明该化合物具有HoFe6Sn6型(空间群为Immm)晶体结构.磁测量表明该化合物为铁磁性,居里温度为325K.在15—360K范围内测量了119Sn穆斯堡尔谱,得到了8个Sn原子晶位的转移超精细场随温... 详细信息

采用电弧熔炼法制备了金属间化合物PrMn6Sn6.X射线衍射表明该化合物具有HoFe6Sn6型(空间群为Immm)晶体结构.磁测量表明该化合物为铁磁性,居里温度为325K.在15—360K范围内测量了119Sn穆斯堡尔谱,得到了8个Sn原子晶位的转移超精细场随温度的变化,并且讨论了Mn亚晶格与Pr亚晶格的磁有序方向.

关键词： PrMn6Sn6 穆斯堡尔谱磁结构

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基于直接胶体晶体刻蚀技术的高度有序纳米硅阵列的尺寸及形貌控制

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物理学报 2007年第7期56卷 4242-4246页

作者：李卫徐岭孙萍赵伟明黄信凡徐骏陈坤基南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室南京210093

以自组装单层胶体小球阵列为掩模,采用直接胶体晶体刻蚀技术在硅表面制备二维有序尺寸可控的纳米结构.在样品制备过程中,首先通过自组装法在硅表面制备了直径200nm的单层聚苯乙烯(PS)胶体小球的二维有序阵列;然后对样品直接进行反应离... 详细信息

以自组装单层胶体小球阵列为掩模,采用直接胶体晶体刻蚀技术在硅表面制备二维有序尺寸可控的纳米结构.在样品制备过程中,首先通过自组装法在硅表面制备了直径200nm的单层聚苯乙烯(PS)胶体小球的二维有序阵列;然后对样品直接进行反应离子刻蚀(RIE),以氧气为气源,利用氧等离子体对聚苯乙烯小球和对硅的选择性刻蚀作用,通过改变刻蚀时间,制备出不同尺寸的PS胶体小球的有序单层阵列;接着以此二维PS胶体单层膜为掩模,以四氟化碳为气源对样品进行刻蚀;最后去除胶体球后得到二维有序的硅柱阵列.SEM和AFM的测量结果表明:改变氧等离子体对胶体球的刻蚀时间和四氟化碳对硅的刻蚀时间,可以控制硅柱的尺寸以及形貌,而硅柱阵列的周期取决于原始胶体球的直径.

关键词：胶体晶体刻蚀纳米硅柱阵列形貌控制

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发光纳米硅/二氧化硅多层膜的特性与氢气氛退火的影响

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物理学报 2007年第11期56卷 6691-6694页

作者：夏正月韩培高韦德远陈德媛徐骏马忠元黄信凡陈坤基南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室南京210093

利用等离子体增强化学气相沉积法制备了氢化非晶硅/二氧化硅多层膜,通过两步热退火的方法获得了尺寸可控的纳米硅/二氧化硅多层结构,晶粒尺寸约为4nm,在室温下观察到了较强的光致可见发光,其发光峰位于750nm.在此基础上,发现合适的氢气... 详细信息

利用等离子体增强化学气相沉积法制备了氢化非晶硅/二氧化硅多层膜,通过两步热退火的方法获得了尺寸可控的纳米硅/二氧化硅多层结构,晶粒尺寸约为4nm,在室温下观察到了较强的光致可见发光,其发光峰位于750nm.在此基础上,发现合适的氢气氛退火能有效地提高材料的发光强度.电子顺磁共振实验表明氢气氛退火有效地降低了纳米硅中的非辐射复合中心而导致发光效率的提高.

关键词：纳米结构光学性质复合

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激光晶化形成纳米硅材料的场电子发射性质研究

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物理学报 2008年第6期57卷 3674-3678页

作者：周江韦德远徐骏李伟宋凤麒万建国徐岭马忠元南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室南京210093

利用KrF准分子激光退火超薄非晶硅膜,并结合热退火技术制备了单层纳米硅薄膜并研究了薄膜的场电子发射性质.在晶化形成的纳米硅薄膜中可以观测到稳定的场电子发射现象,其开启电场从原始淀积的非晶硅薄膜的17V/μm降低到8·5V/μm,... 详细信息

利用KrF准分子激光退火超薄非晶硅膜,并结合热退火技术制备了单层纳米硅薄膜并研究了薄膜的场电子发射性质.在晶化形成的纳米硅薄膜中可以观测到稳定的场电子发射现象,其开启电场从原始淀积的非晶硅薄膜的17V/μm降低到8·5V/μm,而场发射电流密度可以达到0·1mA/cm2.激光晶化后形成的纳米硅材料的场电子发射特性的改善可以从薄膜表面形貌的改变以及高密度纳米硅的形成所导致的内部电场增强作用来解释.

关键词：纳米硅场发射激光晶化

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嵌埋在SiO_2基质中的nc-Ge的制备及其发光现象

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物理学报 1997年第6期46卷 1153-1160页

作者：贺振宏陈坤基冯端南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室

采用等离子体化学汽相淀积技术生长ａＧｅｘＳｉ１－ｘ∶Ｈ薄膜，然后在８００℃，１０５Ｐａ下于传统开口管式炉中氧化热处理，制备嵌埋在ＳｉＯ２中的ｎｃＧｅ微晶粒．利用傅里叶变换红外光谱、喇曼光谱和Ｘ射线衍射谱分析样品的... 详细信息

采用等离子体化学汽相淀积技术生长ａＧｅｘＳｉ１－ｘ∶Ｈ薄膜，然后在８００℃，１０５Ｐａ下于传统开口管式炉中氧化热处理，制备嵌埋在ＳｉＯ２中的ｎｃＧｅ微晶粒．利用傅里叶变换红外光谱、喇曼光谱和Ｘ射线衍射谱分析样品的微结构，研究ａＧｅｘＳｉ１－ｘ∶Ｈ薄膜的氧化过程中发生的化学和物理变化，并用平衡态化学反应热理论加以解释．在某些样品中观察到室温下的光致发光现象，采用Ｂｒｕｓ电子空穴三维限制模型，结合ｎｃＧｅ的微结构。

关键词： nc-Ge 半导体纳米材料薄膜光致发光

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激光干涉结晶技术制备二维有序分布纳米硅阵列

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物理学报 2005年第8期54卷 3646-3650页

作者：邹和成乔峰吴良才黄信凡李鑫韩培高马忠元李伟陈坤基南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室南京210093

利用结合移相光栅掩模(PSGM)的激光结晶技术在超薄a-SiNx/a-Si:H/a-SiNx三明治结构样品中制备出二维有序分布的纳米硅阵列.原始样品是用等离子体增强化学气相淀积法生长.a-Si:H层厚为10nm,a-SiNx为50nm,衬底材料为SiO2/Si或熔凝石英.原... 详细信息

利用结合移相光栅掩模(PSGM)的激光结晶技术在超薄a-SiNx/a-Si:H/a-SiNx三明治结构样品中制备出二维有序分布的纳米硅阵列.原始样品是用等离子体增强化学气相淀积法生长.a-Si:H层厚为10nm,a-SiNx为50nm,衬底材料为SiO2/Si或熔凝石英.原子力显微镜、剖面透射电子显微镜、高分辨透射电子显微镜对样品表面形貌和微结构的观测结果表明,采用该方法可以在原始淀积的a-Si:H层中得到位置可控的晶化区域:每个晶化区域直径约250nm,具有同PSGM一致的2μm周期;晶化区域内形成的纳米硅颗粒尺寸接近原始淀积的a-Si:H层厚,且晶粒的择优取向为<111>.

关键词：结晶技术纳米硅激光干涉阵列分布有序二维制备高分辨透射电子显微镜化学气相淀积法等离子体增强 SiNx 原子力显微镜三明治结构晶化区 Si02 衬底材料观测结果表面形貌颗粒尺寸择优取向样品原始微结构

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