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第十五届全国电介质、材料与应用学术会议

作者：陈延彬周健张善涛陈延峰南京大学微结构物理国家实验室南京大学物理系南京大学南京210093

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拓扑Weyl半金属简介

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物理 2015年第7期44卷 427-438页

作者：万贤纲南京大学物理学院南京大学固体微结构国家实验室南京210093 南京大学人工微结构与量子调控协同创新中心南京210093

材料体系的拓扑量子行为是当前凝聚态物理研究的热点。作为一种新型拓扑量子态,Weyl半金属最近引起了人们的关注。文章以烧绿石结构铱氧化物A2Ir2O7(其中A=Y或稀土元素)为例,介绍了Weyl半金属的奇特性质:Weyl点受拓扑保护稳定;Weyl半金... 详细信息

材料体系的拓扑量子行为是当前凝聚态物理研究的热点。作为一种新型拓扑量子态,Weyl半金属最近引起了人们的关注。文章以烧绿石结构铱氧化物A2Ir2O7(其中A=Y或稀土元素)为例,介绍了Weyl半金属的奇特性质:Weyl点受拓扑保护稳定;Weyl半金属有着受拓扑保护的表面态,即非闭合的费米弧;Weyl半金属的反常霍尔效应与Weyl点的位置有关,和能带的细节无关;Weyl半金属特有的输运性质。文章还介绍了人们预言的几种Weyl半金属以及相关的实验进展。

关键词： Weyl半金属费米弧 Adler-Bell-Jackiw反常 5d过渡金属氧化物

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利用纳米加工合成二维人工斯格明晶体

利用纳米加工合成二维人工斯格明晶体

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第八届全国磁性薄膜与纳米磁学会议

作者：缪冰锋孙亮丁海峰南京微结构国家实验室南京大学物理学院南京 210093

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YIG薄膜中自旋波的自旋泵浦效应

YIG薄膜中自旋波的自旋泵浦效应

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第八届全国磁性薄膜与纳米磁学会议

作者：王鹏姜生伟陶新德丁海峰吴镝南京大学物理学院南京固体微结构国家实验室南京 210093

近年来,自旋电子学因为其在信息技术领域的潜在应用,而受到物理学界的普遍关注.利用纯自旋流传递信息比利用电荷流可以大大减少能量损耗,因此如何产生和探测纯自旋流是一个很重要的问题.自旋泵浦效应是产生自旋流的方法之一,其原理是:...

近年来,自旋电子学因为其在信息技术领域的潜在应用,而受到物理学界的普遍关注.利用纯自旋流传递信息比利用电荷流可以大大减少能量损耗,因此如何产生和探测纯自旋流是一个很重要的问题.自旋泵浦效应是产生自旋流的方法之一,其原理是:铁磁共振时,铁磁层与探测层界面处的磁矩在进动过程中受到额外的阻尼,从而将角动量以自旋流的方式传递给探测层.探测层一般用自旋轨道耦合作用强的金属,如Pt,利用其逆自旋霍尔效应将自旋流转化为可探测的电压信号.

关键词：

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电场调控SrRuO3/Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3异质结中的磁性和输运性质

电场调控SrRuO3/Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3异质结中的磁性和输运性...

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第八届全国磁性薄膜与纳米磁学会议

作者：周卫平李潜熊元强张清梅王敦辉曹庆琪吕丽娅都有为南京大学物理学院与固体微结构国家实验室南京 210093

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Ar/H2退火对CoO纳米颗粒结构及磁性的影响

Ar/H2退火对CoO纳米颗粒结构及磁性的影响

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第八届全国磁性薄膜与纳米磁学会议

作者：何学敏李志文张星乔文宋雪银颜士明钟伟都有为固体微结构物理国家重点实验室南京大学物理系南京 210093

众所周知,块体CoO具有岩盐-立方结构(fcc),是典型的反铁磁材料(TN=298K).研究发现,在小的Co簇表面包覆一层薄的CoO壳,就可以突破超顺磁极限,同时由于铁磁性Co与反铁磁性CoO之间的磁耦合,最终还会引发交换偏置效应[1].此外,纤锌矿-六角结...

众所周知,块体CoO具有岩盐-立方结构(fcc),是典型的反铁磁材料(TN=298K).研究发现,在小的Co簇表面包覆一层薄的CoO壳,就可以突破超顺磁极限,同时由于铁磁性Co与反铁磁性CoO之间的磁耦合,最终还会引发交换偏置效应[1].此外,纤锌矿-六角结构(hcp)的CoO作为固溶体Zn1-xCoxO的一员也被关注,这种过渡金属替代的半导体可以展现出高居里温度的铁磁性[2].

关键词：

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Pb2FeMoO6材料的高压合成和其磁电阻效应

Pb2FeMoO6材料的高压合成和其磁电阻效应

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第17届中国高压科学学术会议

作者：徐明祥袁雪平陈延彬东南大学物理系南京211189 南京大学固体与微结构国家重点实验室南京210093

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氧化锌基材料、异质结构及光电器件

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发光学报 2014年第1期35卷 1-60页

作者：申德振梅增霞梁会力杜小龙叶建东顾书林吴玉喜徐春祥朱刚毅戴俊陈明明季旭汤子康单崇新张宝林杜国同张振中发光学及应用国家重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所中国科学院清洁能源前沿研究重点实验室北京新能源材料与器件重点实验室中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室南京大学电子科学与工程学院和南京微结构国家实验室(筹) 中国矿业大学物理学院东南大学生物科学与医学工程学院生物电子学国家重点实验室中山大学光电材料与技术国家重点实验室香港科技大学物理系吉林大学电子科学与工程学院集成光子学国家重点实验室大连理工大学物理与光电工程学院

Ⅱ-Ⅵ族直接带隙化合物半导体氧化锌(ZnO)的禁带宽度为3.37 eV,室温下激子束缚能高达60 meV,远高于室温热离化能(26 meV),是制造高效率短波长探测、发光和激光器件的理想材料。历经10年的发展,ZnO基半导体的研究在薄膜生长、杂质调控和... 详细信息

Ⅱ-Ⅵ族直接带隙化合物半导体氧化锌(ZnO)的禁带宽度为3.37 eV,室温下激子束缚能高达60 meV,远高于室温热离化能(26 meV),是制造高效率短波长探测、发光和激光器件的理想材料。历经10年的发展,ZnO基半导体的研究在薄膜生长、杂质调控和器件应用等方面的研究获得了巨大的进展。本文主要介绍了以国家"973"项目(2011CB302000)研究团队为主体,在上述方面所取得的研究进展,同时概述国际相关研究,主要包括衬底级ZnO单晶的生长,ZnO薄膜的同质、异质外延,表面/界面工程,异质结电子输运性质、合金能带工程,p型掺杂薄膜的杂质调控,以及基于上述结果的探测、发光和激光器件等的研究进展。迄今为止,该团队已经实现了薄膜同质外延的二维生长、硅衬底上高质量异质外延、基于MgZnO合金薄膜的日盲紫外探测器、可重复的p型掺杂、可连续工作数十小时的同质结紫外发光管以及模式可控的异质结微纳紫外激光器件等重大成果。本文针对这些研究内容中存在的问题和困难加以剖析并探索新的研究途径,期望能对ZnO材料在未来的实际应用起到一定的促进作用。

关键词：氧化锌氧化镁锌外延薄膜表面/界面工程紫外探测器

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界面效应对Py/Nd多层膜的磁性调控

界面效应对Py/Nd多层膜的磁性调控

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第八届全国磁性薄膜与纳米磁学会议

作者：罗琛蒋盛张栋章文翟亚杜军翟宏如 Hartmut Zabel 东南大学物理系南京 210096 东南大学物理系南京 210096 南京大学固体微结构国家重点实验室南京210093 南京大学固体微结构国家重点实验室南京210093 Department of PhysicsRuhr-University Bochum44780 BochumGermany

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MOCVD法生长的InGaN薄膜表面缺陷与光学性质相互关系研究

MOCVD法生长的InGaN薄膜表面缺陷与光学性质相互关系研究

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第13届全国MOCVD学术会议

作者：陶涛陈鹏修向前赵红施毅韩平郑有炓智婷刘斌张荣谢自力庄喆李毅张国刚柴旭朝南京大学电子学院江苏省光电信息功能材料重点实验室南京210093 南京大学物理学院南京大学固体微结构国家实验室南京210093

本文研究了采用MOCVD方法在GaN衬底上生长的InGaN薄膜材料结构和光学性质之间的相互关系.采用热场发射扫描电子显微镜(SEM)对样品的表面形貌进行了表征.InGaN材料表现出了典型的V型缺陷和沟壑.如图1所示,阴极荧光谱(CL)探测出了InGaN薄...

本文研究了采用MOCVD方法在GaN衬底上生长的InGaN薄膜材料结构和光学性质之间的相互关系.采用热场发射扫描电子显微镜(SEM)对样品的表面形貌进行了表征.InGaN材料表现出了典型的V型缺陷和沟壑.如图1所示,阴极荧光谱(CL)探测出了InGaN薄膜不同区域上出现了410纳米和460纳米的发光峰位.同时,CL mapping图进一步验证了以上两种缺陷与薄膜材料表面形貌有着密切的联系.通过对图2中各种区域的一一对应可以发现薄膜表面形貌与发光性质紧密相关.缺陷周围,缺陷密集处和缺陷稀疏处发光有很大差异.采用透射电子显微镜(TEM)对InGaN薄膜进行表征并结合电子散射能谱(EDX),我们得到了薄膜样品在Ⅴ型缺陷周围形成高铟组分的有力证据.

关键词：

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