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作者

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语言

  • 170 篇 中文
检索条件"机构=南京大学现代工程与应用科学学院固体微结构国家实验室"
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Cu互连结构中非晶与纳米晶金属Ta薄膜扩散阻挡行为的研究
Cu互连结构中非晶与纳米晶金属Ta薄膜扩散阻挡行为的研究
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第十三届全国固体薄膜学术会议
作者: 操振华 孟祥康 南京大学固体微结构物理国家重点实验室 南京大学现代工程与应用科学学院南京210093
采用高真空磁控溅射法在单晶Si上沉积了分别包含非晶与纳米晶Ta 薄膜的两种Cu/Ta/Si膜基体系,利用X 射线衍射仪、扫描电子显微镜与透射电子显微镜等表征了其界面结构演化,研究了两种结构Ta 膜在Cu/Ta/Si膜基体系的扩散阻挡行为及其失... 详细信息
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铁电材料的研究进展
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中国材料进展 2012年 第3期31卷 26-38,43页
作者: 殷江 袁国亮 刘治国 南京大学现代工程与应用科学学院固体微结构物理国家重点实验室 江苏南京210093 南京理工大学材料科学与工程学院 江苏南京210093
铁电材料的优秀电学性能孕育了它广阔的应用前景,其电子元件有着集成度高、能耗小、响应速度快等众多优点。而且目前研究者将铁电材料同其它技术相结合,使新诞生的集成铁电材料性能更为优秀。介绍了铁电材料的发展历史和当前的研究概况... 详细信息
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准相位匹配非线性切连科夫倍频与和频效应
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物理 2011年 第5期40卷 316-320页
作者: 张勇 祝世宁 南京大学物理学院固体微结构国家重点实验室 南京大学现代工程与应用科学学院 南京210093
研究了两维光学超晶格光波导中的准相位匹配切连科夫(Cerenkov)倍频与和频效应,利用光学超晶格的不同倒格矢实现了多组准相位匹配切连科夫倍频与和频的同时输出,从理论和实验两个方面探讨了光学微结构材料中非线性切连科夫辐射产生的机... 详细信息
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表面等离激元参与的量子纠缠过程
表面等离激元参与的量子纠缠过程
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中国物理学会2011年秋季学术会议
作者: 明阳 吴子建 胡伟 徐飞 陆延青 南京大学现代工程与应用科学学院、南京固体微结构国家实验室 南京 210093
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液晶及人工微纳结构在光纤传感中的应用
液晶及人工微纳结构在光纤传感中的应用
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中国物理学会2011年秋季学术会议
作者: 陆延青 南京大学现代工程与应用科学学院、南京微结构国家实验室(筹)
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亚波长金属线栅在LCD增亮中的应用
亚波长金属线栅在LCD增亮中的应用
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中国物理学会2011年秋季学术会议
作者: 胡伟 林晓雯 吴子建 崔宏青 陆延青 南京大学现代工程与应用科学学院、南京固体微结构国家实验室 南京 210093 南京大学现代工程与应用科学学院、南京固体微结构国家实验室 南京 210093 LCD 研发中心 龙腾光电有限公司昆山 215300
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双烯取代噁二唑分子诱导液晶蓝相的研究
双烯取代噁二唑分子诱导液晶蓝相的研究
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中国物理学会2011年秋季学术会议
作者: 诸戈 胡伟 郑致刚 王海峰 林晓雯 崔宏青 沈冬 陆延青 南京大学现代工程与应用科学学院、南京固体微结构国家实验室 南京 210093 南京大学现代工程与应用科学学院、南京固体微结构国家实验室 南京 210093 华东理工大学物理学院 上海 200237 华东理工大学物理学院 上海 200237 南京大学现代工程与应用科学学院、南京固体微结构国家实验室 南京 210093 LCD 研发中心 龙腾光电有限公司昆山 215300
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自偏振液晶调控太赫兹相移器
自偏振液晶调控太赫兹相移器
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中国物理学会2011年秋季学术会议
作者: 林晓雯 吴敬波 胡伟 郑致刚 吴子建 诸戈 徐飞 金飚兵 陆延青 华东理工大学物理学院 上海 200237 南京大学现代工程与应用科学学院、南京固体微结构国家实验室 南京 210093 南京大学超导电子学研究所、南京大学电子系 南京 210093 南京大学现代工程与应用科学学院、南京固体微结构国家实验室南京 210093
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电渗流对DNA穿越纳米孔的影响
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湘潭大学自然科学学 2010年 第1期32卷 45-47页
作者: 朱红 周亚亭 常州工学院理学院 江苏常州213022 南京大学现代工程与应用科学学院国家微结构实验室的微波光子实验室 江苏南京210093
控制在电场驱动下的脱氧核糖核酸(DNA)穿越纳米孔的过程有利于实现低成本基因测序.DNA表面的反离子在电场驱动下与DNA反方向运动,形成对DNA的电渗流阻力.该文用力学原理研究电渗流对DNA穿越纳米孔的影响,并用分子动力学模拟的方法验证... 详细信息
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原子层沉积高介电纳米薄膜的生长与电学性能
原子层沉积高介电纳米薄膜的生长与电学性能
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2010(第三届)中国微纳电子技术交流与学术研讨会
作者: 李爱东 南京大学 现代工程与应用科学学院 材料科学与工程系固体微结构物理实验室 南京210093
原子层沉积技术(atomic layer deposition,ALD),一种可对膜厚进行近似亚单层(sub-monolayer)的精确控制的化学气相沉积技术,在深亚微米集成电路和纳米结构的制备上显示出巨大的应用前景.原子层沉积技术之所以受到半导体工业和纳米材料...
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