检索结果-内蒙古大学图书馆

Nd_(1.85)Ce_(0.15)CuO_(4-δ)单晶c-轴方向电阻的低场行为

物理学报 2006年第6期55卷 3018-3021页

作者：李配军王智河白忠聂阳邱里徐小农南京大学物理系固体微结构国家重点实验室南京210093

采用自助熔剂缓冷法成功地生长出了Nd1·85Ce0·15CuO4-δ单晶,其零场下零电阻温度约为21K.在0—0·5T范围内分别测量了磁场平行和垂直样品表面的电阻转变曲线以及0·5T不同角度下的电阻转变曲线.结果显示磁场平行和垂... 详细信息

采用自助熔剂缓冷法成功地生长出了Nd1·85Ce0·15CuO4-δ单晶,其零场下零电阻温度约为21K.在0—0·5T范围内分别测量了磁场平行和垂直样品表面的电阻转变曲线以及0·5T不同角度下的电阻转变曲线.结果显示磁场平行和垂直样品表面时的转变温度Tp随磁场的变化均服从H=H0(1-Tp(h)/Tp(0))2关系.0·5T不同角度下的转变温度Tp符合有效质量模型,即Tp∝H1/2(cos2θ+sin2θ/γ2)1/4.该单晶的各向异性因子γ约为45.

关键词： Nd1.85Ce0.15CuO4-8单晶输运性质

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氮化硅介质中双层纳米硅薄膜的两级电荷存储

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物理学报 2006年第11期55卷 6080-6084页

作者：王久敏陈坤基宋捷余林蔚吴良才李伟黄信凡南京大学物理系固体微结构国家重点实验室南京210093

研究镶嵌在超薄非晶氮化硅(a-SiNx)层之间的双层纳米硅(nc-Si)的电荷存储现象.利用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)技术在硅衬底上制备a-SiNx/a-Si/a-SiNx/a-Si/a-SiNx多层薄膜结构.采用常规热退火方法使非晶硅(a-Si)层晶化,形成包含双... 详细信息

研究镶嵌在超薄非晶氮化硅(a-SiNx)层之间的双层纳米硅(nc-Si)的电荷存储现象.利用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)技术在硅衬底上制备a-SiNx/a-Si/a-SiNx/a-Si/a-SiNx多层薄膜结构.采用常规热退火方法使非晶硅(a-Si)层晶化,形成包含双层nc-Si的金属-氮化物-半导体(MIS)结构.通过电容电压(C-V)特性测量,观测到该结构中由于电荷存储引起的C-V回滞现象,并在室温下成功观察到载流子基于Fowler-Nordheim(F-N)隧穿注入到第一层、第二层nc-Si的两级电荷存储状态.结合电流电压(I-V)特性的测量,对电荷存储的机理进行了深入分析.

关键词：纳米硅氮化硅电容电压法电流电压法

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硅量子点中电子的荷电动力学特征

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物理学报 2000年第10期49卷 2037-2040页

作者：袁晓利施毅杨红官卜惠明吴军赵波张荣郑有炓南京大学物理系固体微结构国家重点实验室南京210093

利用频率依赖电容谱的测量 ,对于SiO2 /硅量子点 /SiO2 /硅衬底隧穿电容中硅量子点的荷电特征进行了研究 .由于量子点的极小尺寸和良好的均匀性 ,室温下在强反型区成功地观察到了与单电子隧穿相关的两个电容和电导共振峰 ,它们分别对应... 详细信息

利用频率依赖电容谱的测量 ,对于SiO2 /硅量子点 /SiO2 /硅衬底隧穿电容中硅量子点的荷电特征进行了研究 .由于量子点的极小尺寸和良好的均匀性 ,室温下在强反型区成功地观察到了与单电子隧穿相关的两个电容和电导共振峰 ,它们分别对应于硅衬底导带上的电子与量子点中第一与第二个基态之间直接隧穿过程 .实验数据分析给出了量子点中的库仑荷电能 ,并进行了讨论 .

关键词：量子点半导体硅电子荷电动力学特征

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弛豫铁电体Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-PbTiO_3的相变

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金属学报 2003年第11期39卷 1160-1162页

作者：包鹏戴玉蓉李伟沈惠敏朱劲松王业宁南京大学物理系固体微结构国家重点实验室南京210093

测量了(1-x％)镁铌酸铅-x％钛酸铅(1≤x≤11)(简称PMNTx)陶瓷样品的介电常数、内耗和Young’s模量.观测到在Tm温度附近,即在介电常数达到最大值时,出现一个内耗峰,并且模量发生软化.这反映了极化纳米微畴的弛豫.对于PMNTx(5≤x≤11)的样... 详细信息

测量了(1-x％)镁铌酸铅-x％钛酸铅(1≤x≤11)(简称PMNTx)陶瓷样品的介电常数、内耗和Young’s模量.观测到在Tm温度附近,即在介电常数达到最大值时,出现一个内耗峰,并且模量发生软化.这反映了极化纳米微畴的弛豫.对于PMNTx(5≤x≤11)的样品,在Tm温度以下的某个温度出现附加的内耗峰和Young’s模量的异常,表明样品中发生了自发的弛豫铁电到铁电(简称R—F)的相变.对R—F相变的机制进行了讨论.

关键词：弛豫铁电体内耗 Young’s模量

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控制氧化层对双势垒纳米硅浮栅存储结构性能的影响

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物理学报 2008年第7期57卷 4482-4486页

作者：丁宏林刘奎王祥方忠慧黄健余林蔚李伟黄信凡陈坤基南京大学物理系固体微结构国家重点实验室南京210093

在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中,利用逐层淀积非晶硅(a-Si)和等离子体氧化相结合的方法制备二氧化硅(SiO2)介质层.电容电压(C-V)和电导电压(G-V)测量结果表明:利用该方法在低温(250℃)条件下制备的SiO2介质层均匀致密,其固定... 详细信息

在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中,利用逐层淀积非晶硅(a-Si)和等离子体氧化相结合的方法制备二氧化硅(SiO2)介质层.电容电压(C-V)和电导电压(G-V)测量结果表明:利用该方法在低温(250℃)条件下制备的SiO2介质层均匀致密,其固定氧化物电荷和界面态密度分别为9×1011cm-2和2×***-1,击穿场强达4.6MV/cm,与热氧化形成的SiO2介质层的性质相当.将该SiO2介质层作为控制氧化层应用在双势垒纳米硅(nc-Si)浮栅存储结构中,通过调节控制氧化层的厚度,有效阻止栅电极与nc-Si之间的电荷交换,延长存储时间,使存储性能得到明显改善.

关键词：等离子体氧化二氧化硅纳米硅控制氧化层

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基于直接胶体晶体刻蚀技术的高度有序纳米硅阵列的尺寸及形貌控制

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物理学报 2007年第7期56卷 4242-4246页

作者：李卫徐岭孙萍赵伟明黄信凡徐骏陈坤基南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室南京210093

以自组装单层胶体小球阵列为掩模,采用直接胶体晶体刻蚀技术在硅表面制备二维有序尺寸可控的纳米结构.在样品制备过程中,首先通过自组装法在硅表面制备了直径200nm的单层聚苯乙烯(PS)胶体小球的二维有序阵列;然后对样品直接进行反应离... 详细信息

以自组装单层胶体小球阵列为掩模,采用直接胶体晶体刻蚀技术在硅表面制备二维有序尺寸可控的纳米结构.在样品制备过程中,首先通过自组装法在硅表面制备了直径200nm的单层聚苯乙烯(PS)胶体小球的二维有序阵列;然后对样品直接进行反应离子刻蚀(RIE),以氧气为气源,利用氧等离子体对聚苯乙烯小球和对硅的选择性刻蚀作用,通过改变刻蚀时间,制备出不同尺寸的PS胶体小球的有序单层阵列;接着以此二维PS胶体单层膜为掩模,以四氟化碳为气源对样品进行刻蚀;最后去除胶体球后得到二维有序的硅柱阵列.SEM和AFM的测量结果表明:改变氧等离子体对胶体球的刻蚀时间和四氟化碳对硅的刻蚀时间,可以控制硅柱的尺寸以及形貌,而硅柱阵列的周期取决于原始胶体球的直径.

关键词：胶体晶体刻蚀纳米硅柱阵列形貌控制

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发光纳米硅/二氧化硅多层膜的特性与氢气氛退火的影响

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物理学报 2007年第11期56卷 6691-6694页

作者：夏正月韩培高韦德远陈德媛徐骏马忠元黄信凡陈坤基南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室南京210093

利用等离子体增强化学气相沉积法制备了氢化非晶硅/二氧化硅多层膜,通过两步热退火的方法获得了尺寸可控的纳米硅/二氧化硅多层结构,晶粒尺寸约为4nm,在室温下观察到了较强的光致可见发光,其发光峰位于750nm.在此基础上,发现合适的氢气... 详细信息

利用等离子体增强化学气相沉积法制备了氢化非晶硅/二氧化硅多层膜,通过两步热退火的方法获得了尺寸可控的纳米硅/二氧化硅多层结构,晶粒尺寸约为4nm,在室温下观察到了较强的光致可见发光,其发光峰位于750nm.在此基础上,发现合适的氢气氛退火能有效地提高材料的发光强度.电子顺磁共振实验表明氢气氛退火有效地降低了纳米硅中的非辐射复合中心而导致发光效率的提高.

关键词：纳米结构光学性质复合

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激光晶化形成纳米硅材料的场电子发射性质研究

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物理学报 2008年第6期57卷 3674-3678页

作者：周江韦德远徐骏李伟宋凤麒万建国徐岭马忠元南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室南京210093

利用KrF准分子激光退火超薄非晶硅膜,并结合热退火技术制备了单层纳米硅薄膜并研究了薄膜的场电子发射性质.在晶化形成的纳米硅薄膜中可以观测到稳定的场电子发射现象,其开启电场从原始淀积的非晶硅薄膜的17V/μm降低到8·5V/μm,... 详细信息

利用KrF准分子激光退火超薄非晶硅膜,并结合热退火技术制备了单层纳米硅薄膜并研究了薄膜的场电子发射性质.在晶化形成的纳米硅薄膜中可以观测到稳定的场电子发射现象,其开启电场从原始淀积的非晶硅薄膜的17V/μm降低到8·5V/μm,而场发射电流密度可以达到0·1mA/cm2.激光晶化后形成的纳米硅材料的场电子发射特性的改善可以从薄膜表面形貌的改变以及高密度纳米硅的形成所导致的内部电场增强作用来解释.

关键词：纳米硅场发射激光晶化

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激光干涉结晶技术制备二维有序分布纳米硅阵列

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物理学报 2005年第8期54卷 3646-3650页

作者：邹和成乔峰吴良才黄信凡李鑫韩培高马忠元李伟陈坤基南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室南京210093

利用结合移相光栅掩模(PSGM)的激光结晶技术在超薄a-SiNx/a-Si:H/a-SiNx三明治结构样品中制备出二维有序分布的纳米硅阵列.原始样品是用等离子体增强化学气相淀积法生长.a-Si:H层厚为10nm,a-SiNx为50nm,衬底材料为SiO2/Si或熔凝石英.原... 详细信息

利用结合移相光栅掩模(PSGM)的激光结晶技术在超薄a-SiNx/a-Si:H/a-SiNx三明治结构样品中制备出二维有序分布的纳米硅阵列.原始样品是用等离子体增强化学气相淀积法生长.a-Si:H层厚为10nm,a-SiNx为50nm,衬底材料为SiO2/Si或熔凝石英.原子力显微镜、剖面透射电子显微镜、高分辨透射电子显微镜对样品表面形貌和微结构的观测结果表明,采用该方法可以在原始淀积的a-Si:H层中得到位置可控的晶化区域:每个晶化区域直径约250nm,具有同PSGM一致的2μm周期;晶化区域内形成的纳米硅颗粒尺寸接近原始淀积的a-Si:H层厚,且晶粒的择优取向为<111>.

关键词：结晶技术纳米硅激光干涉阵列分布有序二维制备高分辨透射电子显微镜化学气相淀积法等离子体增强 SiNx 原子力显微镜三明治结构晶化区 Si02 衬底材料观测结果表面形貌颗粒尺寸择优取向样品原始微结构

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蛋白质序列复杂性简化与非比对序列分析

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生物化学与生物物理进展 2006年第12期33卷 1215-1222页

作者：李菁李逢博王炜南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室南京210093

非比对序列分析是最新发展的一种序列分析方法,具有计算效率高并适用于分析低相似性的序列,已成功用于DNA的序列分析中.但是由于蛋白质序列的复杂性,非比对序列分析对于蛋白质序列分析的准确度却不高.用将20种天然氨基酸残基归类的方法... 详细信息

非比对序列分析是最新发展的一种序列分析方法,具有计算效率高并适用于分析低相似性的序列,已成功用于DNA的序列分析中.但是由于蛋白质序列的复杂性,非比对序列分析对于蛋白质序列分析的准确度却不高.用将20种天然氨基酸残基归类的方法,简化了蛋白质序列的复杂性,并运用到对蛋白质的非比对序列分析中,有效地提高了序列分析的准确性.

关键词：非比对序列分析氨基酸残基归类序列复杂性简化

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