检索结果-内蒙古大学图书馆

物理学报 1997年第6期46卷 1217-1222页

作者：佟嵩刘湘娜王路春阎峰鲍希茂南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室

在用等离子体增强化学汽相淀积的嵌有纳米晶粒硅薄膜中观测到电致发光．发光谱处在５００—８００ｎｍ之间，它有两个分别位于６３０—６８０ｎｍ和７３０ｎｍ附近的峰，两个峰的强度与薄膜的电导率有密切关系．根据这种材料的结构特性... 详细信息

在用等离子体增强化学汽相淀积的嵌有纳米晶粒硅薄膜中观测到电致发光．发光谱处在５００—８００ｎｍ之间，它有两个分别位于６３０—６８０ｎｍ和７３０ｎｍ附近的峰，两个峰的强度与薄膜的电导率有密切关系．根据这种材料的结构特性对载流子的传导通道进行了讨论。

关键词： PECVD 纳米晶硅薄膜电致发光器件

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不同退火温度下晶化硅薄膜的电学输运性质

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物理学报 2009年第11期58卷 7878-7883页

作者：宋超陈谷然徐骏王涛孙红程刘宇李伟陈坤基南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室南京210093

采用等离子体化学气相沉积技术制备氢化非晶硅薄膜,经过不同温度下的热退火处理,使薄膜由非晶结构向晶化结构转变,得到含有纳米晶粒的晶化硅薄膜.在晶化过程中,采用Raman技术对样品的结构进行表征.通过变温电导率的测试,对薄膜的电学输... 详细信息

采用等离子体化学气相沉积技术制备氢化非晶硅薄膜,经过不同温度下的热退火处理,使薄膜由非晶结构向晶化结构转变,得到含有纳米晶粒的晶化硅薄膜.在晶化过程中,采用Raman技术对样品的结构进行表征.通过变温电导率的测试,对薄膜的电学输运性质进行了分析.研究结果表明:退火温度为700℃时,样品中开始有纳米晶形成,随着退火温度的增加,样品的晶化比增大,在1000℃时,薄膜的晶化比达到90%以上.在700℃退火时,薄膜中晶化成分较低,载流子的传输特性主要受到与硅悬挂键有关的缺陷态影响,表现为带尾定域态的跳跃电导.随着晶化度的提高,在1000℃时薄膜的电输运过程主要为晶化硅的扩展态电导,同时量子隧穿输运对薄膜的电输运过程也有一定的影响.

关键词：氢化非晶硅退火纳米硅电输运

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嵌埋在SiO_2基质中的nc-Ge的制备及其发光现象

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物理学报 1997年第6期46卷 1153-1160页

作者：贺振宏陈坤基冯端南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室

采用等离子体化学汽相淀积技术生长ａＧｅｘＳｉ１－ｘ∶Ｈ薄膜，然后在８００℃，１０５Ｐａ下于传统开口管式炉中氧化热处理，制备嵌埋在ＳｉＯ２中的ｎｃＧｅ微晶粒．利用傅里叶变换红外光谱、喇曼光谱和Ｘ射线衍射谱分析样品的... 详细信息

采用等离子体化学汽相淀积技术生长ａＧｅｘＳｉ１－ｘ∶Ｈ薄膜，然后在８００℃，１０５Ｐａ下于传统开口管式炉中氧化热处理，制备嵌埋在ＳｉＯ２中的ｎｃＧｅ微晶粒．利用傅里叶变换红外光谱、喇曼光谱和Ｘ射线衍射谱分析样品的微结构，研究ａＧｅｘＳｉ１－ｘ∶Ｈ薄膜的氧化过程中发生的化学和物理变化，并用平衡态化学反应热理论加以解释．在某些样品中观察到室温下的光致发光现象，采用Ｂｒｕｓ电子空穴三维限制模型，结合ｎｃＧｅ的微结构。

关键词： nc-Ge 半导体纳米材料薄膜光致发光

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载气流量对HVPE外延生长GaN膜光学性质的影响

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固体电子学研究与进展 2002年第4期22卷 385-390页

作者：卢佃清张荣修向前李杰顾书林沈波施毅郑有炓南京大学物理系固体微结构国家重点实验室 210093

研究了利用水平氢化物气相外延 (HVPE)系统在蓝宝石衬底上外延氮化镓 (Ga N)的生长规律 ,重点研究了作为载气的氮气流量对 Ga N膜的结构及光学性质的影响。观察到载气流量对预反应的强弱有很大影响 ,外延膜的质量和生长速度对载气流量... 详细信息

研究了利用水平氢化物气相外延 (HVPE)系统在蓝宝石衬底上外延氮化镓 (Ga N)的生长规律 ,重点研究了作为载气的氮气流量对 Ga N膜的结构及光学性质的影响。观察到载气流量对预反应的强弱有很大影响 ,外延膜的质量和生长速度对载气流量极为敏感。当载气流量较小时 ,样品的 X射线衍射谱 (XRD)中出现了杂峰(1 0 -1 1 )和 (1 1 -2 0 ) ,相应的光致发光谱 (PL)中出现了黄带 (YL) ,靠近带边有杂质态。而当载气流量增大时 ,样品质量改善。Ga N外延膜的结构和光学性质的相关性表明深能级的黄带与生长过程中产生的非 c轴方向晶面有关 ,据此我们推测 :Ga空位与束缚在 (1 0 -1 1 )和 (1 1 -2 0 )等原子面上的杂质构成复合结构 ,这些复合结构所产生的深能级对黄带的发射有贡献 ;

关键词：氢化物所相外延氮化镓 X射线衍射谱光致发光谱载气流量

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非挥发浮栅存储器用PtAu纳米颗粒单层膜的制备

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纳米技术与精密工程 2008年第2期6卷 81-84页

作者：闾锦陈裕斌潘力佳濮林施毅郑有炓南京大学物理系固体微结构物理国家实验室南京210093

将Langmuir-Blodgett(LB)膜等化学方法应用于非挥发浮栅存储器制备工艺中.采用反相微乳液方法合成的分散良好的PtAu纳米颗粒粒径约为5 nm,并应用LB膜方法在存储器隧穿氧化层上制备了PtAu纳米颗粒的单层膜.采用SEM对LB膜的表面形貌进行观... 详细信息

将Langmuir-Blodgett(LB)膜等化学方法应用于非挥发浮栅存储器制备工艺中.采用反相微乳液方法合成的分散良好的PtAu纳米颗粒粒径约为5 nm,并应用LB膜方法在存储器隧穿氧化层上制备了PtAu纳米颗粒的单层膜.采用SEM对LB膜的表面形貌进行观测,研究了表面压对成膜质量的影响,结果表明在表面压为15 mN/m时可获得密度为1011cm-2均匀分布的PtAu纳米颗粒单层二维阵列,可应用于非挥发性金属纳米颗粒浮栅存储器,并成功拓展了LB膜等化学方法的应用范围.

关键词：非挥发浮栅存储器 PtAu纳米颗粒反相微乳液 LB膜

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绝缘颗粒液体主体基质复合介质的非线性光学性质

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物理学报 2003年第3期52卷 575-580页

作者：高雷洪刚苏州大学物理系苏州215006 南京大学固体微结构物理国家重点实验室南京210008

利用Maxwell Garnett近似 ,并结合谱表示方法 ,理论研究了具有一般非线性的绝缘颗粒 ,无规则浸入液体主体基质复合体系的非线性光学性质 .在弱非线性条件下 ,数值研究了体系的有效线性介电函数和光学非线性随体积分数的变化 ,并发现体... 详细信息

利用Maxwell Garnett近似 ,并结合谱表示方法 ,理论研究了具有一般非线性的绝缘颗粒 ,无规则浸入液体主体基质复合体系的非线性光学性质 .在弱非线性条件下 ,数值研究了体系的有效线性介电函数和光学非线性随体积分数的变化 ,并发现体系的线性介电函数比光学非线性更依赖于绝缘颗粒组分的体积分数 .在一般非线性条件下 ,研究体系的有效介电函数随入射光强度的依赖关系 ,还研究了s方向和p方向极化的总反射率的行为 .

关键词：绝缘颗粒液体主体基质复合介质谱表示非线性光学性质复合材料

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基于碳纳米管的电子器件

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固体电子学研究与进展 2002年第2期22卷 131-136页

作者：杨铮施毅顾书林沈波张荣郑有炓南京大学物理系和固体微结构国家重点实验室 210093

碳纳米管有着众多独特的性质 ,尤其是它的电学性质。近几年来 ,碳纳米管的研究已展示出了在纳米电子器件上的应用前景 ,即通过构建尺寸只有几十纳米甚至更小的基于碳纳米管的电子器件和连线 ,实现速度远快于而功耗远小于目前集成电路的... 详细信息

碳纳米管有着众多独特的性质 ,尤其是它的电学性质。近几年来 ,碳纳米管的研究已展示出了在纳米电子器件上的应用前景 ,即通过构建尺寸只有几十纳米甚至更小的基于碳纳米管的电子器件和连线 ,实现速度远快于而功耗远小于目前集成电路的碳纳米管集成电路。文中在讨论碳纳米管电学性质的基础上 ,主要介绍基于碳纳米管的结。

关键词：碳纳米管电子器件场效应晶体管单电子晶体管分子节 PN结交叉结

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纳米氧化铟和稀土共掺杂二氧化硅薄膜的结构和光学性质研究

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红外与毫米波学报 2008年第3期27卷 172-175页

作者：林涛万能徐骏徐岭李伟陈坤基南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室江苏南京210093

用溶胶-凝胶法制得了In2O3纳米颗粒与Eu3+共掺的SiO2薄膜.使用X-射线衍射证实体系中形成了In2O3纳米颗粒,其数密度可以通过改变铟的掺杂浓度来进行良好的控制.在薄膜的光致发光光谱中观察到Eu3+离子的5D0-7FJ(J=0-4)特征发射峰,In2O3纳... 详细信息

用溶胶-凝胶法制得了In2O3纳米颗粒与Eu3+共掺的SiO2薄膜.使用X-射线衍射证实体系中形成了In2O3纳米颗粒,其数密度可以通过改变铟的掺杂浓度来进行良好的控制.在薄膜的光致发光光谱中观察到Eu3+离子的5D0-7FJ(J=0-4)特征发射峰,In2O3纳米颗粒的掺入使Eu3+的光致发光得到显著增强.通过光致发光激发光谱的测量进一步研究了In2O3纳米颗粒对Eu3+的光致发光增强的机制.

关键词：稀土发光材料纳米颗粒溶胶-凝胶法光致发光

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二维移相光栅光强分布的计算及在制备有序纳米硅阵列中的应用

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物理学报 2010年第5期59卷 3205-3209页

作者：严敏逸王旦清马忠元姚尧刘广元李伟黄信凡陈坤基徐骏徐岭南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室南京210093

从菲涅耳衍射积分的一般形式出发,结合二维(2D)移相光栅掩模(PSGM)的具体参数,通过数值计算得到了作用于样品表面的光强分布.实验上,采用激光干涉晶化的方法,利用周期为400nm的2D-PSGM调制KrF准分子激光器的脉冲激光束斑的能量分布,在... 详细信息

从菲涅耳衍射积分的一般形式出发,结合二维(2D)移相光栅掩模(PSGM)的具体参数,通过数值计算得到了作用于样品表面的光强分布.实验上,采用激光干涉晶化的方法,利用周期为400nm的2D-PSGM调制KrF准分子激光器的脉冲激光束斑的能量分布,在氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜上直接制备了2D的有序纳米硅(nc-Si)阵列.测试结果表明:2D的nc-Si阵列的周期和PSGM的相一致,晶化区域与理论模拟的结果符合得很好.

关键词：纳米硅激光干涉晶化移相光栅菲涅耳衍射

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CdTe纳米晶及层状纳米晶薄膜的生长及其光荧光性质

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物理学报 2009年第10期58卷 7246-7249页

作者：戴明廖远宝刘东甘新慧徐岭马忠元徐骏陈坤基南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室南京210093

用湿化学法在水溶液中合成了单分散的、大小尺寸可控的、巯基包裹的胶体CdTe纳米晶体,并利用CdTe纳米晶体和双功能分子poly(diallyldimethylammonium chloride)(PDDA)在Si衬底表面自组织生长了有序的层状纳米晶薄膜,荧光光谱研究了层状... 详细信息

用湿化学法在水溶液中合成了单分散的、大小尺寸可控的、巯基包裹的胶体CdTe纳米晶体,并利用CdTe纳米晶体和双功能分子poly(diallyldimethylammonium chloride)(PDDA)在Si衬底表面自组织生长了有序的层状纳米晶薄膜,荧光光谱研究了层状纳米晶体之间的共振能量迁移过程.结果表明:层状自组织生长的样品中纳米晶粒的间隔几乎一样,表明它们是有序排列的;而用直接干燥形成的样品中,小尺寸和大尺寸的纳米晶体之间间隔较短,发生荧光共振能量迁移,较小尺寸的纳米晶粒荧光峰(即波长较短处的晶粒荧光峰)部分淬灭,较大尺寸的荧光峰(即波长较长处的晶粒荧光峰)加强,使得PL谱出现明显的红移现象.

关键词： CdTe纳米晶体量子限制效应共振能量迁移

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