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超导隧道结中的电流相位关系

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物理学报 2009年第12期58卷 8591-8595页

作者：吴义华王振彦沈瑞南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室南京210093

计算了等自旋配对超导隧道结中的直流Josephson电流.结果表明,当两侧超导体中配对势的轨道对称性分别属于磁点群D4的A不可约表示和2E不可约表示的情况下,电流相位关系是I∝sin4φ.

关键词：超导隧道结 Josephson电流

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CdO基稀磁半导体纳米薄膜的制备及性质

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硅酸盐学报 2010年第3期38卷 404-408页

作者：卢奇袁岂凡万建国南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室南京210093

利用水热法和旋涂工艺制备Co2+掺杂CdO基稀磁半导体纳米薄膜,研究样品的微观结构及电磁性能等。结果表明:样品是具有岩盐矿结构的CdO晶体结构,薄膜中粒子的平均粒径约20nm,且随Co摩尔(下同)掺量的增加而减小。样品中Co离子为正二价,属... 详细信息

利用水热法和旋涂工艺制备Co2+掺杂CdO基稀磁半导体纳米薄膜,研究样品的微观结构及电磁性能等。结果表明:样品是具有岩盐矿结构的CdO晶体结构,薄膜中粒子的平均粒径约20nm,且随Co摩尔(下同)掺量的增加而减小。样品中Co离子为正二价,属替位掺杂;样品呈现出明显的室温铁磁性,饱和磁矩随Co2+掺量的增加先增大后减小,在Co2+掺量为4.33%时达到最大值。样品的电导率随Co2+掺量的增加先减小后微弱增大,在Co2+掺量约为6%时达到最小值。磁电阻效应测量结果表明:样品呈现出室温的正磁电阻效应,磁电阻随Co2+掺量的增加先增大后减小,在Co2+掺量约为7%时达到最大值。利用Ruderman-Kittel-Kasuya-Yoshida(RKKY)机制、间接超交换机制和直接超交换机制等模型合理解释样品的铁磁性起源和磁电阻效应产生的物理机制。

关键词：氧化镉稀磁半导体纳米薄膜水热法铁磁性磁电阻

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额外HCl对HVPE生长GaN性质的影响

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固体电子学研究与进展 2002年第4期22卷 395-398页

作者：修向前张荣卢佃清顾书林沈波施毅郑有炓南京大学物理系固体微结构国家重点实验室 210093

利用氢化物气相外延 (HVPE)生长系统 ,提出并采用在生长区添加额外 HCl的方法改变 Ga N的极化生长方向获得 Ga面极化具有平滑表面的 Ga N生长技术。该法将一定量的 HCl添加到传统 HVPE生长方法中的总氮气流中 ,引入 Ga Cl和 NH3混合生长... 详细信息

利用氢化物气相外延 (HVPE)生长系统 ,提出并采用在生长区添加额外 HCl的方法改变 Ga N的极化生长方向获得 Ga面极化具有平滑表面的 Ga N生长技术。该法将一定量的 HCl添加到传统 HVPE生长方法中的总氮气流中 ,引入 Ga Cl和 NH3混合生长区 ,通过改变蓝宝石衬底表现的化学反应平衡 ,抑制 N面极化 Ga N的成核 ,获得了粗糙度只有一个纳米左右的具有平滑表面的高质量 Ga极化 Ga N薄膜。由于该方法是在 HVPE装置中“原位”获得了表面光滑的 Ga N,与其他方法相比。

关键词：氢化物气相外延湿化学法腐蚀氮化镓极性

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硅纳米晶粒基MOSFET存储器的荷电特征研究

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电子学报 2001年第2期29卷 145-147页

作者：施毅袁晓利吴军杨红官顾书林韩平郑有炓南京大学物理系和固体微结构国家重点实验室南京210093

本文研究了硅纳米晶粒MOSFET存储器的荷电特征 .器件阈值电压偏移达 1 8V以上 ,并随着沟道宽度的变窄而增加 ,而与沟道长度基本无关 .同时 ,阈值涨落也随宽度的变窄而增大 .在 2 0～ 30 0K测量温度范围内 ,器件阈值偏移和电荷的存储特... 详细信息

本文研究了硅纳米晶粒MOSFET存储器的荷电特征 .器件阈值电压偏移达 1 8V以上 ,并随着沟道宽度的变窄而增加 ,而与沟道长度基本无关 .同时 ,阈值涨落也随宽度的变窄而增大 .在 2 0～ 30 0K测量温度范围内 ,器件阈值偏移和电荷的存储特性几乎不随温度变化 ,说明荷电过程主要由直接隧穿决定 .进一步 ,在最窄沟道器件中观察到单电荷的荷电过程 .

关键词：硅纳米晶粒存储器 MOSFET 荷电特征

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铁磁-d波超导结中的粗糙界面散射和自旋反转效应对隧道谱的影响

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物理学报 2001年第9期50卷 1779-1782页

作者：董正超淮阴师范学院物理系南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室南京210093

考虑到铁磁层中的自旋极化效应、以及界面的粗糙散射和自旋反转效应 ,利用推广了的Blonder Tinkham Klap wijk理论模型 ,计算铁磁 d波超导结中的自旋极化隧道谱 .研究表明 1)自旋反转效应能使零偏压电导峰变得尖锐 ;2 )粗糙的界面散射... 详细信息

考虑到铁磁层中的自旋极化效应、以及界面的粗糙散射和自旋反转效应 ,利用推广了的Blonder Tinkham Klap wijk理论模型 ,计算铁磁 d波超导结中的自旋极化隧道谱 .研究表明 1)自旋反转效应能使零偏压电导峰变得尖锐 ;2 )粗糙的界面散射除了能压低零偏压电导峰的高度 ,还能使零偏压凹陷处感应出一中心峰 .结果能定性地解释最近的两篇关于La2 3 Ba1 3 MnO3 DyBa2 Cu3O7与La2 3 Ba1 3 MnO3 YBa2 Cu3O7-δ结中的实验报道 .

关键词：自旋极化效应自旋反转效应粗糙界面散射效应铁磁-d波超导结自旋极化隧道谱

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NiFe_2O_4纳米线阵列的制备与磁性

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物理学报 2005年第2期54卷 930-934页

作者：于冬亮都有为南京大学物理系固体微结构国家重点实验室江苏教育学院物理系南京210013

在氧化铝模板的纳米孔洞中 ,用电化学的方法沉积铁镍合金纳米线 ,经过 5 5 0℃ 30h氧化处理 ,成功制备出NiFe2 O4 纳米线阵列 .分别用扫描电子显微镜 (SEM)、透射电子显微镜 (TEM)、x射线衍射仪 (XRD)和振动样品磁场计 (VSM)对样品的形... 详细信息

在氧化铝模板的纳米孔洞中 ,用电化学的方法沉积铁镍合金纳米线 ,经过 5 5 0℃ 30h氧化处理 ,成功制备出NiFe2 O4 纳米线阵列 .分别用扫描电子显微镜 (SEM)、透射电子显微镜 (TEM)、x射线衍射仪 (XRD)和振动样品磁场计 (VSM)对样品的形貌、晶体结构和磁学性质进行了表征测试 .SEM和TEM观察结果显示氧化铝模板的孔洞分布均匀 ,孔心距约为 110nm ;纳米线的直径约为 70nm .XRD显示纳米线阵列的物相结构为NiFe2 O4 ;VSM测试结果表明 ,NiFe2 O4 纳米线阵列膜的易磁化方向垂直于膜面 .当垂直磁化时磁滞回线的矩形比约为 0 5 ,矫顽力为 4 1×10 3A m ,比氧化处理前的铁镍合金纳米线阵列都有显著提高 .

关键词：纳米线阵列 NiFe2O4 制备物相结构 XRD SEM 氧化处理磁学性质磁性磁滞回线

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纳米晶复合SrFe_(12)O_(19)γ-Fe_2O_3永磁铁氧体的制备和交换耦合作用

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物理学报 2002年第5期51卷 1128-1132页

作者：刘先松钟伟杨森姜洪英顾本喜都有为南京大学物理系固体微结构国家实验室南京210093 西安交通大学

采用sol gel方法制备M型六角锶铁氧体 .利用X射线衍射 ,透射电子显微镜和VSM对纳米晶样品进行了研究 .当焙烧温度小于或等于 80 0℃ ,样品存在复相 .在同样条件下 ,压成薄片的样品呈现了硬磁与软磁SrFe1 2 O1 9 γ Fe2 O3 的纳米复合相... 详细信息

采用sol gel方法制备M型六角锶铁氧体 .利用X射线衍射 ,透射电子显微镜和VSM对纳米晶样品进行了研究 .当焙烧温度小于或等于 80 0℃ ,样品存在复相 .在同样条件下 ,压成薄片的样品呈现了硬磁与软磁SrFe1 2 O1 9 γ Fe2 O3 的纳米复合相的磁性交换耦合作用 .80 0℃焙烧的薄片样品的比饱和磁化强度σS 为 75 .6A·m2 kg ,内禀矫顽力HcJ为 478.9kA m ,最大磁能积 (BH) max为 14.9kJ m3 ,而粉末样品相应的分别为 75 .9A·m2 kg ,5 0 9.6kA m和 12 .1kJ m3 .当焙烧温度大于 85 0℃时。

关键词：六角锶铁氧体交换耦合磁性永磁材料纳米晶复合永磁铁氧体制备

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激光干涉结晶法制备一维周期结构的纳米硅阵列

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物理学报 2008年第8期57卷 4960-4965页

作者：姚尧方忠慧周江李伟马忠元徐骏黄信凡陈坤基宫本恭幸小田俊理南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室南京210093 东京工业大学物理电子学系

利用激光干涉结晶方法,采用周期为400nm的一维(1D)移相光栅掩模调制KrF准分子激光器的脉冲激光束斑的能量分布,在不同厚度的超薄氢化非晶硅(a-Si:H)膜内直接制备1D有序纳米硅(nc-Si)阵列.拉曼散射谱表明,样品上呈条状分布的受辐照区域... 详细信息

利用激光干涉结晶方法,采用周期为400nm的一维(1D)移相光栅掩模调制KrF准分子激光器的脉冲激光束斑的能量分布,在不同厚度的超薄氢化非晶硅(a-Si:H)膜内直接制备1D有序纳米硅(nc-Si)阵列.拉曼散射谱表明,样品上呈条状分布的受辐照区域发生晶化.原子力显微镜和透射电子显微镜测试结果表明:1D的nc-Si阵列的周期和移相光栅掩模一样.随着a-Si:H膜厚度从10nm降至4nm,通过控制激光的能量密度,每个周期中nc-Si条状分布区宽度可达到***-Si条状分布区的高分辨电子显微镜照片显示出清晰的nc-Si晶格像.

关键词：纳米硅激光干涉结晶移相光栅定域晶化

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GaN基光发射二极管中深能级研究

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固体电子学研究与进展 2002年第4期22卷 371-374页

作者：毕朝霞张荣邓娜顾书林沈波施毅郑有炓南京大学物理系和固体微结构国家重点实验室 210093

利用深能级瞬态谱 (DLTS)仪对 Si C衬底上 Ga N基光发射二极管 (LED)中 n-In0 .2 5Ga0 .75N层的深能级进行了研究。在 77K到 3 0 0 K的温度扫描范围内只测量到一个 DLTS峰。该 DLTS峰在反向偏压为 3 V时有一极大值 ,说明 n-In0 .2 5Ga0 ... 详细信息

利用深能级瞬态谱 (DLTS)仪对 Si C衬底上 Ga N基光发射二极管 (LED)中 n-In0 .2 5Ga0 .75N层的深能级进行了研究。在 77K到 3 0 0 K的温度扫描范围内只测量到一个 DLTS峰。该 DLTS峰在反向偏压为 3 V时有一极大值 ,说明 n-In0 .2 5Ga0 .75N层此时全部被耗尽。改变测量的率窗 ,得到该深能级在导带下 0 .2 4e V处 ,浓度为 2 .2 % ND,俘获截面为 1 .93× 1 0 - 1 5cm2。在 Ga N材料中 ,其他小组也报道了此位置上的深能级结果。结合文中的工作 ,该深能级可能和 n-In0 .2 5Ga0 .75N层中的线位错有关。

关键词：深能级瞬态谱光发射二级管铟镓氮

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ZnMgO生长中压强和衬底对薄膜性质的影响

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发光学报 2011年第5期32卷 482-486页

作者：陈慧顾书林朱顺明南京大学物理系南京微结构国家重点实验室江苏南京210093

利用金属有机源化学气相沉积(MOCVD)生长方法,在2.5kPa和5kPa生长压强下,分别以sapphire(Al_2O_3)和ZnO为衬底生长ZnMgO薄膜。研究分析了样品的晶体结构、表面形貌、光电学性质。结果表明,衬底和生长压强对ZnMgO薄膜的生长有重要影响。5... 详细信息

利用金属有机源化学气相沉积(MOCVD)生长方法,在2.5kPa和5kPa生长压强下,分别以sapphire(Al_2O_3)和ZnO为衬底生长ZnMgO薄膜。研究分析了样品的晶体结构、表面形貌、光电学性质。结果表明,衬底和生长压强对ZnMgO薄膜的生长有重要影响。5kPa高压生长和以ZnO为衬底均有利于ZnMgO薄膜中Mg的掺入。

关键词： ZnMgO薄膜衬底生长压强

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